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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息，當?shù)貢r間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設(shè)備進場，預(yù)計2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開始生產(chǎn)，預(yù)計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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英飛凌與Wolfspeed擴展并延長多年期 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議
- 【2024年1月26日，德國慕尼黑和美國北卡羅來納州達勒姆訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過此次擴展，雙方的合作又新增了一項多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導體產(chǎn)品日益增長的需求。&
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英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議
- 據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
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一起模擬業(yè)務(wù)并購案，凸顯出功率芯片大廠的孤注一擲
- 近期，業(yè)內(nèi)完成了一起并購案，美國功率器件大廠 Wolfspeed 以 1.25 億美元的價格，將其射頻業(yè)務(wù)（Wolfspeed RF）出售給了美國另一家模擬和混合信號芯片廠商 MACOM Technology。在出售的射頻業(yè)務(wù)中，還包括 GaN-on-SiC（以 SiC 為襯底的 GaN 芯片技術(shù)）產(chǎn)品組合及其專利，主要用于制造射頻芯片），這部分業(yè)務(wù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域是航空航天、國防、工業(yè)和電信。對于這起并購案，Wolfspeed 總裁兼首席執(zhí)行官 Gregg Lowe 表示：「鑒于在汽車，工業(yè)和可再生能源市
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美國總統(tǒng)拜登視察Wolfspeed總部,作為“投資美國”之行首站
- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.宣布，美國東部時間 3 月 28 日，美國總統(tǒng)喬·拜登（Joe Biden）視察了位于北卡羅來納州達勒姆市的 Wolfspeed, Inc.總部，作為“投資美國（Invest in America）”之行的首站。拜登總統(tǒng)強調(diào)了政府項目針對促進美國制造業(yè)發(fā)展，重建國家基礎(chǔ)設(shè)施，并增強供應(yīng)鏈。美國商務(wù)部部長吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）和北卡羅來納州州長羅伊·庫珀（Roy Cooper）同時出席。Wolfspeed 作為站在從硅基產(chǎn)品向
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Wolfspeed與采埃孚建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同發(fā)展未來碳化硅半導體項目
- ●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯(lián)合研發(fā)中心，旨在進一步提升在全球碳化硅系統(tǒng)和器件創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資，以支持全球最先進、最大的碳化硅器件工廠的建設(shè)。全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術(shù)公司采埃孚集團宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這其中包括建立一座聯(lián)合創(chuàng)新實驗室，共同推動碳化硅系統(tǒng)和器件技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應(yīng)用領(lǐng)域的進步。此次合作還包括采埃孚將向
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優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
- 碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術(shù)，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準確的預(yù)測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓撲、系統(tǒng)和應(yīng)用。Wolfspeed EAB450M12XM3 是一款車規(guī)級 SiC 功率模塊，已針對牽引逆變器市場進行了優(yōu)化。這款功率模塊具備很多優(yōu)點，但設(shè)計人員還是要盡可能多的進行系統(tǒng)仿真，以充分利用這些優(yōu)點。在仿真電動
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Wolfspeed 碳化硅器件賦能梅賽德斯-奔馳新一代電動汽車平臺
- 2023年1月6日，美國北卡羅來納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）近日宣布與梅賽德斯-奔馳達成合作。Wolfspeed 將為梅賽德斯-奔馳供應(yīng)碳化硅器件，賦能其未來電動汽車平臺，為其動力總成帶來更高效率。梅賽德斯-奔馳部分汽車線的新一代動力總成系統(tǒng)將采用 Wolfspeed 半導體。 梅賽德斯-奔馳采購與供應(yīng)商品質(zhì)負責人 Gunnar Güthenke 博士表示：“我們兩家公司長期以來一直保持著良好的
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純電動捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布，搭載先進 Wolfspeed 碳化硅技術(shù)
- 2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動方程式世界錦標賽 Formula E（以下簡稱：Formula E）設(shè)計、研發(fā)打造，標志著 Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車新時代。
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先進碳化硅技術(shù)，有效助力儲能系統(tǒng)
- 人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現(xiàn)了更小的占用空間。SiC 已經(jīng)是一種成熟的技術(shù)，并成
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AMP 創(chuàng)新型電動汽車充電解決方案：采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件
- 2022年11月14日，美國北卡羅來納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過采用 Wolfspeed 創(chuàng)新型碳化硅技術(shù)，將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素
- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長的使用壽
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