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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> supergan fet

        保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

        • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中,各種功率場效應(yīng)晶體管(power FET,功率FET),被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路,連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會讓該器件疲損,致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
        • 關(guān)鍵字: RTP器件  FET  

        通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

        •  在計算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,效率已經(jīng)有了顯著的提高,重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn),設(shè)計人員開始認(rèn)識到,AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。  AC/DC平均系統(tǒng)
        • 關(guān)鍵字: 改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過  

        用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號

        • 智能手機(jī)代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
        • 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

        Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計

        • 簡介   一提到電源設(shè)計,大多數(shù)工程師都會感到撓頭,他們往往會問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲?、升壓、flyback、半橋和全橋等。
        • 關(guān)鍵字: intersil  FET  DC/DC  

        MOS-FET與電子管OTL功放的制作

        MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

        • MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
        • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

        MOS—FET甲乙類功率放大器

        TI 小貼士:圖例理FET知識

        • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
        • 關(guān)鍵字: FET  

        手把手教你讀懂FET選取合適器件

        • 現(xiàn)在;一臺臺電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個開關(guān)...
        • 關(guān)鍵字: FET  

        CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

        •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
        • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

        如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

        •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
        • 關(guān)鍵字: 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

        MOS-FET開關(guān)電路

        • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
        • 關(guān)鍵字: MOS-FET  開關(guān)電路    

        J-FET開關(guān)電路工作原理

        • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時,VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
        • 關(guān)鍵字: J-FET  開關(guān)電路  工作原理    

        與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

        • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級,但一個等級內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時,
        • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗(yàn)  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表  

        使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路

        • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
        • 關(guān)鍵字: FET  輸入  OP放大器  模擬定時電路    
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        supergan fet介紹

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