- 北京訊，包括賽普拉斯半導體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容，從而使網絡交換機、路由器及聚合平臺制造商不必修改電路板設計，只需提高系統(tǒng)內時鐘速度即可大幅改善產品性能?！?/li>
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QDR SRAM
- 摘要：詳細描述了一種內置于AM-OLED顯示驅動芯片中的單端口SRAM電路的設計方法，提出了一種解決SRAM訪問時序沖突問題的仲裁算法。同時給出了基于0．18mu;m標準CMOS工藝設計的一款大小為320x240x18位的SRAM電路。通過
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SRAM 設計 內置 芯片 顯示 驅動 AM-OLED
- 據消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術細節(jié)，據稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結構，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結構。消息來源還稱Intel“很快就會”對外公開展示一款基于這種22nm制程的處理器實 物。不過記者詢問Intel發(fā)言人后得到的答復則是:"我們不會對流言或猜測進行評論。"
盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm制程SRA
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Intel 22nm SRAM
- 摘 要：文章中提出了一種應用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨
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FPGA SRAM 嵌入式
- 摘 要：文章中提出了一種應用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨立
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FPGA SRAM 嵌入式
- 瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設定針對RTN的設計余度。該公司已在ldquo
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SRAM RTN 模擬 方法
- RAM業(yè)界的領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速? (QDR?) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產品是其65-nm SRAM 系列產品中的最新成員。這些新的存儲器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產品線，最高容量可達144Mbit，速度最快可達550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領了“綠色”網絡架構應用的新潮流。
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賽普拉斯 SRAM
- 隨著集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續(xù)增長，使得高性能和低功耗設計已成為芯片設計的主流。在微處理器和SoC中，存儲器占據了大部分的芯片面積，而且還有持續(xù)增加的趨勢。這使存儲器中的字線長度和位線長度不斷增加，增加了延時和功耗。因此，研究高速低功耗存儲器的設計技術對集成電路的發(fā)展具有重要意義。對SRAM存儲器的低功耗設計技術進行研究，在多級位線位SRAM結構及工作原理基礎上，以改善SRAM速度和功耗特性為目的，設計了基于位線循環(huán)充電結構的雙模式自定時SRAM，其容量為8K×32 b。
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定時 電路設計 模式 SRAM 循環(huán) 充電 基于
- SRAM市場的領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，全球領先的通訊設備和網絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網交換機中選用了賽普拉斯的QDR?II+ (四倍速?) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上最快的550MHz的時鐘頻率下工作，且擁有市場上最寬泛的產品選擇范圍，并能提供業(yè)界最多的參考設計。
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賽普拉斯 交換機 SRAM
- 普拉斯半導體公司日前宣布通訊設備和網絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網交換機中選用了賽普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上
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普拉 72-Mbit SRAM 賽普 選用 新型 以太網 交換機 中興
- 基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據存儲的設計, 1 前言 針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出了部分VHDL程序?！ ? 硬件設計 這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
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存儲 設計 數(shù)據 大容量 FPGA SRAM 基于
- 同步SRAM的傳統(tǒng)應用領域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網絡中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現(xiàn)，系統(tǒng)設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網流)、計數(shù)器、統(tǒng)
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應用 網絡 SRAM
- SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據. 基本簡介 SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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SRAM 工作原理
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置
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保密性 問題 FPGA 工藝 SRAM 基于
- 賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫獣r間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48-B
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賽普拉斯 SRAM
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