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使用SPI找到無鉛制造缺陷的根本原因

使用SPI找到無鉛制造缺陷的根本原因 Jeff Harrell, 安捷倫科技自動光學(xué)檢測系統(tǒng)(AOI)產(chǎn)品經(jīng)理錫膏印刷在無鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，為印刷過程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點的相關(guān)問題，根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對無鉛對生產(chǎn)線最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要的。首先，可以通過結(jié)構(gòu)化實現(xiàn)的三維錫膏印刷檢測(3D SPI)識別這些根本原因，并且利用3D SPI更好的實現(xiàn)過程控制以及識別變化。此外，在電路板組裝后認
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愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲器工業(yè)控制

JTAG口及其對F1aSh的在線編程

本文介紹一種通過JTAG對Flash進行的在線編程方法。
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適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來越多地在控制類、消費類、通訊類等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，并且隨著數(shù)字信號處理與人機交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大，數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜，在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲與管理是不容回避的問題。FLASH存儲器因制造成本低廉、存儲容量大、數(shù)據(jù)非易失、無機械故障，在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲器件。然而Flash存儲器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，應(yīng)用中可能會出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元，這又給應(yīng)用Flash存儲器的嵌入式系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)存儲管理增
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Flash 編程器的FPGA實現(xiàn)

1 引言閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器（ROM）使用。現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲問題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲器件的首選。由于在研制實時信號處理系統(tǒng)時，需要一塊大容量的Flash來存儲坐標變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此
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外掛Flash的引導(dǎo)裝載設(shè)計

本文所敘述的引導(dǎo)方法在四通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中得到了有效的驗證，并且整個過程操作起來非常方便快捷。
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計與實現(xiàn)

1 引言 FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進行特殊設(shè)計，以保證系統(tǒng)的性能達到最優(yōu)。 2 FLASH的特點FLASH是一種非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory），根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
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MLX90601系列紅外測溫模塊的原理及應(yīng)用

1 引言一般來說，測溫方式可分為接觸式和非接觸式，接觸式測溫只能測量被測物體與測溫傳感器達到熱平衡后的溫度，所以響應(yīng)時間長，且極易受環(huán)境溫度的影響；而紅外測溫是根據(jù)被測物體的紅外輻射能量來確定物體的溫度，不與被測物體接觸，具有不擾動被測物體溫度分布場，溫度分辨率高、響應(yīng)速度快、測溫范圍廣，穩(wěn)定性好等特點，近年來在汽車電子、航空和軍事上得到越來越廣泛的應(yīng)用。 2 測溫原理概述PWN的全稱是Pulse Width Modulation（脈沖寬度調(diào)制）即通過調(diào)節(jié)脈沖的周期、寬度，以達到變壓、變頻的目的，
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分頁燒寫Flash的多頁程序并行自舉方法

以TMS320VC5410為例，介紹對Am29LV200B Flash存儲器進行程序分頁燒寫以及上電后多頁用戶程序并行自舉的方法。
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用SPI實現(xiàn)dsPlC與ISD語音芯片的通信

本文介紹一種簡單實用的dsPIc數(shù)字信號控制器，用來完成語音錄放功能。
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英特爾擴展嵌入式產(chǎn)品進入串行閃存市場

中國北京, 2006年6月7日–英特爾（中國）有限公司今天宣布, 將擴展其NOR閃存產(chǎn)品線，以滿足不斷增長的數(shù)十億美元嵌入式市場的需要。英特爾公司計劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構(gòu)。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產(chǎn)品進入迅速發(fā)展的串行閃存領(lǐng)域。英特爾的上述行動體現(xiàn)了其對NOR嵌入式閃存市場的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應(yīng)用到各種消費電子
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大容量串行e-Flash的FPGA配置方案

為配合某電力測量儀表的開發(fā)，對Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動串行模式下完成對XC2S30 的在線配置。該方案具有接口簡單、成本低廉、便于移植的優(yōu)點。
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MAX1247芯片在MCS-51系列中的應(yīng)用

關(guān)鍵字： SPI 接口差分輸入 A/D轉(zhuǎn)移 MAX1247

常憶推出新型高速SPI閃存

　常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存，8Mb及16Mb也將在2006年推出，以供應(yīng)計算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商，提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。　　新一代的PM25LV
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基于SPI總線的電能計量芯片ATT7022及其在配電監(jiān)測終端的應(yīng)用

介紹了高精度電能計量芯片ATT7022的主要功能、性能比較、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、接口方式及校表方法等，同時對ATT7022在電能配電監(jiān)控終端的應(yīng)用作了簡要闡述。
關(guān)鍵字：配電及其監(jiān)測終端應(yīng)用 ATT7022 芯片 SPI 總線電能