spi nor flash 文章進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)

數(shù)字接口系列文章之SPI總線

　串行外設(shè)接口 (SPI) 總線是一種運(yùn)行于全雙工模式下的同步串行數(shù)據(jù)鏈路。用于在單個(gè)主節(jié)點(diǎn)和一個(gè)或多個(gè)從節(jié)點(diǎn)之間交換數(shù)據(jù)。SPI 總線實(shí)施簡(jiǎn)單，僅使用四條數(shù)據(jù)信號(hào)線和控制信號(hào)線（請(qǐng)參見(jiàn)圖 1）。
　　圖 1 基本的
關(guān)鍵字： SPI 總線文章系列接口數(shù)字

對(duì)FPGA中SPI復(fù)用配置的編程方法的研究

SPI(SerialPeripheralInteRFace，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上...
關(guān)鍵字： FPGA SPI 復(fù)用配置存儲(chǔ)器

FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器，具有ROM存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，存儲(chǔ)在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失，而芯片的引腳與訪問(wèn)又具有類(lèi)似于RAM的特點(diǎn)。NAND FLASH 存儲(chǔ)器將數(shù)據(jù)線與地址線復(fù)用為8條線
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 應(yīng)用嵌入式 MSP430F149 K9F1G08U0M FLASH

FPGA中SPI復(fù)用配置的編程方法

FPGA中SPI復(fù)用配置的編程方法, SPI(Serial Peripheral Interface，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上只占用4根線，不僅節(jié)約了芯片的引腳，同時(shí)在PCB的布局上還節(jié)省空間。正是出于這種簡(jiǎn)單、易用的特性，
關(guān)鍵字：編程方法配置復(fù)用 SPI FPGA

基于SPI方式DSP外部E2PROM接口設(shè)計(jì)

基于SPI方式DSP外部E2PROM接口設(shè)計(jì),0 引言
近年來(lái)，隨著DSP技術(shù)的普及、高性能DSP芯片的出現(xiàn)，DSP已越來(lái)越多地被廣大的工程師所接受，并越來(lái)越廣泛地被應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，例如：語(yǔ)音處理、圖像處理、模式識(shí)別及工業(yè)控制等，并且已日益顯示出其巨大
關(guān)鍵字： E2PROM 接口設(shè)計(jì) 外部 DSP SPI 方式基于

張汝京下課中芯大漲

　　為中芯解開(kāi)多年無(wú)法突破的經(jīng)營(yíng)困境，而與臺(tái)積電未來(lái)如能合作，將會(huì)是個(gè)雙贏的局面。張汝京的下臺(tái)，為臺(tái)積電、中芯國(guó)際都找到下一個(gè)春天。　　11月11日，臺(tái)灣有四家報(bào)紙的頭版頭條報(bào)道了同一則新聞：中芯國(guó)際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長(zhǎng)張汝京宣布辭職;董事會(huì)即刻宣布由王寧國(guó)接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺(tái)積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。　　中芯將分5年賠償臺(tái)積電2億美元，并且無(wú)償授予臺(tái)積電8%的中芯股權(quán)，且臺(tái)積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價(jià)格認(rèn)購(gòu)2%的中芯股權(quán)。　　這件事情所以在臺(tái)灣
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際晶圓 NOR NAND

基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動(dòng)程序分析與移植

基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動(dòng)程序分析與移植,0 引言
嵌入式系統(tǒng)需要支持的外部設(shè)備種類(lèi)繁多，如何構(gòu)造運(yùn)行良好的嵌入式設(shè)備的驅(qū)動(dòng)程序，對(duì)嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用有重要意義。eCos是一種源代碼公開(kāi)的實(shí)時(shí)嵌人式操作系統(tǒng)，對(duì)嵌入式應(yīng)用具有良好的支持，內(nèi)
關(guān)鍵字：分析移植驅(qū)動(dòng)程序 FLASH eCos 操作系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)

JTAG模式下的MPC5554外部FLASH編程的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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隨著信息技術(shù)的發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來(lái)越廣泛地應(yīng)用于手機(jī)通信、汽車(chē)、航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域。在這些電子產(chǎn)品中，大多以嵌人式微處理器為核心，配套相關(guān)的外圍輔助設(shè)備，對(duì)控制對(duì)象進(jìn)行軟硬件的功能
關(guān)鍵字：編程設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) FLASH 外部模式 MPC5554 JTAG

基于DM642的FLASH分頁(yè)二級(jí)引導(dǎo)程序設(shè)計(jì)

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TMS320DM642是TI公司推出的一款高性能的數(shù)字多媒體處理器，具有二級(jí)存儲(chǔ)器和高速緩沖器，以及超長(zhǎng)指令字結(jié)構(gòu)。其運(yùn)算速度快、體積小、功耗低的優(yōu)點(diǎn)使得它在多媒體處理領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)基于
關(guān)鍵字： FLASH 642 DM 二級(jí)

消息稱(chēng)張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期市場(chǎng)傳出中芯國(guó)際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺(tái)。　　臺(tái)灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱(chēng)，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國(guó)際CEO王寧國(guó)見(jiàn)面，但王寧國(guó)未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會(huì)中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來(lái)成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。　　據(jù)報(bào)道，中芯在張汝京時(shí)代，曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議，成都市政府出資成立成
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際晶圓 NOR NAND

延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)囂使用壽命的研究

延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)囂使用壽命的研究,引言
隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、MP3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器已經(jīng)逐步取代其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)據(jù)和程序載體。Flash存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存
關(guān)鍵字：壽命研究使用存儲(chǔ) Flash 延長(zhǎng)

TI 8 通道高壓雙極 DAC 系列滿足低功耗應(yīng)用需求

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款最新數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)，其可提供 12、14 以及 16 位版本，并采用 SPI 或并行接口。8 通道 DAC87x8 系列在正常模式下的標(biāo)準(zhǔn)功耗為每通道 14.8 mW，而在斷電模式下單位通道功耗則低至不足 170 uW。內(nèi)部 4x 或 6x 可編程增益能夠在整個(gè) 8 通道上實(shí)現(xiàn)雙極 ±16 V 或單極 0 V 至 33 V 電壓輸出范圍，從而無(wú)需外部放大器。與同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)器件相比，其不但可節(jié)省成本，而且還可將板級(jí)空間銳降約 24%，可充分滿足
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2009年12月4日，西爾特推出MTK手機(jī)平臺(tái)NAND Flash 編程解決方案

　　2009年12月4日，西爾特最新推出MTK(聯(lián)發(fā)科)手機(jī)平臺(tái)NAND Flash 編程解決方案。
關(guān)鍵字：西爾特 MTK NAND Flash

STM32單片機(jī)的FSMC機(jī)制FlaSh存儲(chǔ)器擴(kuò)展

關(guān)鍵字： STM32 FSMC機(jī)制 Flash 存儲(chǔ)器擴(kuò)展

NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯，NOR成明日黃花

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí)，NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一，應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢(shì)越明顯，應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，應(yīng)用廠家也多。手機(jī)市場(chǎng)變化迅速，現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年，NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)“長(zhǎng)壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降，但是專(zhuān)心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
關(guān)鍵字：手機(jī) NAND NOR