spi nor flash 文章進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)

硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

　　供給端：原材料價(jià)格調(diào)漲，大廠退出　　原材料漲價(jià) 　　今年以來(lái)半導(dǎo)體硅晶圓市場(chǎng)出現(xiàn)八年以來(lái)首度漲價(jià)情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺(tái)積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進(jìn)工藝占比不斷提高，加大對(duì)高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時(shí)工業(yè)與汽車(chē)半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開(kāi)始快速增長(zhǎng)，大陸半導(dǎo)體廠商大舉建廠擴(kuò)產(chǎn)，帶來(lái)新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺(tái)，前六大廠商市占98%，在硅片
關(guān)鍵字： NOR 晶圓

1970-2017 DRAM芯片市場(chǎng)的生死搏殺

自1970年，美國(guó)英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來(lái)，已經(jīng)過(guò)去47年，美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進(jìn)來(lái)，卻在輸光光之后黯然離場(chǎng)。目前，只有韓國(guó)三星和海力士，占據(jù)絕對(duì)壟斷地位，在DRAM市場(chǎng)呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn)。
關(guān)鍵字： DRAM Flash

NOR Flash行業(yè)趨勢(shì)解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲(chǔ)雄心勃勃

　　這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢(shì)與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績(jī)即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jī)沒(méi)有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣(mài)以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會(huì)反饋意見(jiàn)等)，同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動(dòng)預(yù)期，詳細(xì)測(cè)算供需缺口，以求對(duì)未來(lái)趨勢(shì)定性、定量研究; 　　汽車(chē)電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢(shì)反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花　　1、汽車(chē)與工控拉動(dòng)2016趨勢(shì)反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗(yàn)證，2016年是NOR
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) NOR

Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱(chēng)霸江湖夢(mèng)碎

UFS普及并不缺乏機(jī)會(huì)，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
關(guān)鍵字： Flash UFS

被傳產(chǎn)線遭受重大化學(xué)污染武漢新芯發(fā)聲明回應(yīng)

　　如今某些網(wǎng)絡(luò)新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德，為博眼球胡謅瞎報(bào)，誤導(dǎo)群眾，損人又害己，更有可能會(huì)影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。　　歪曲報(bào)道如下：　　武漢新芯廠內(nèi)傳出化學(xué)污染事件，雖然沒(méi)有造成人員傷亡，但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染，影響產(chǎn)能在9000片左右，市場(chǎng)預(yù)料，將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。　　由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場(chǎng)，使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口，現(xiàn)在武漢新芯受到化學(xué)污染，有望再度推升NOR Flash報(bào)價(jià)，市場(chǎng)最
關(guān)鍵字：武漢新芯 NOR

基于ZigBee技術(shù)的家居智能無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點(diǎn)闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無(wú)線節(jié)點(diǎn)的軟硬件設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： UART ZigBee ACLK Flash

基于FPGA的測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)交換技術(shù)

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲(chǔ)芯片的優(yōu)點(diǎn)有效地結(jié)合起來(lái)，實(shí)現(xiàn)了FPGA對(duì)串行存儲(chǔ)芯片的高效讀寫(xiě)操作，完成了對(duì)大量測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)處理和與上位機(jī)的交換，并在某電力局項(xiàng)目工頻場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測(cè)儀中成功應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash 串行存儲(chǔ) FPGA

基于FPGA的水聲信號(hào)高速采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號(hào)數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對(duì)各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲(chǔ)容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲(chǔ)容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA

基于FPGA的串行接口SPI的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

SPI 總線是一個(gè)同步串行接口的數(shù)據(jù)總線，具有全雙工、信號(hào)線少、協(xié)議簡(jiǎn)單、傳輸速度快等特點(diǎn)。介紹了SPI 總線的結(jié)構(gòu)和工作原理，對(duì)4 種工作模式的異同進(jìn)行了比較，并著重分析了SPI 總線的工作時(shí)序。利用Verilog 硬件描述語(yǔ)言編寫(xiě)出SPI 總線的主機(jī)模塊，經(jīng)ModelSim 仿真得出相應(yīng)的仿真波形。
關(guān)鍵字： SPI 同步串行接口 Verilog

基于FPGA的數(shù)據(jù)并轉(zhuǎn)串SPI發(fā)送模塊的設(shè)計(jì)

SPI 接口應(yīng)用十分廣泛，在很多情況下，人們會(huì)用軟件模擬的方法來(lái)產(chǎn)生SPI 時(shí)序或是采用帶SPI 功能模塊的MCU。但隨著可編程邏輯技術(shù)的發(fā)展，人們往往需要自己設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的SPI 發(fā)送模塊。本文介紹一種基于FPGA 的將并行數(shù)據(jù)以SPI 串行方式自動(dòng)發(fā)送出去的方法。
關(guān)鍵字： SPI VHDL FPGA

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶(hù)I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時(shí)鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計(jì)FPGA電路之前，需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊(cè)。
關(guān)鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡(jiǎn)單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說(shuō)的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時(shí)鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來(lái)協(xié)同工作；翻譯層主要實(shí)現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個(gè)物理塊的關(guān)系，同時(shí)支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯(cuò)誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(dòng)(map、read、write、erase等)；socket層的名稱(chēng)來(lái)源于可以插拔的socket存儲(chǔ)卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動(dòng)。
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機(jī)與閃速存儲(chǔ)器接口和程序設(shè)計(jì)中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
關(guān)鍵字：編程接口 Flash 擦除