sk海力士 文章 進入sk海力士技術(shù)社區(qū)
全球半導體支出縮減 三星、SK海力士反其道而行
- 南韓存儲器芯片業(yè)界將主導設(shè)備投資(CAPEX)競爭。在其他地區(qū)競爭業(yè)者擔憂IT產(chǎn)品需求趨緩,而縮減設(shè)備投資規(guī)模時,三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行,擴大投資并推動微細制程尖端化等,致力于研發(fā)新技術(shù),未來在競爭中將更具優(yōu)勢。 據(jù)南韓Newstomatoa報導,英特爾(Intel)決定將2015年設(shè)備投資規(guī)模,從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺積電設(shè)備投資規(guī)模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產(chǎn)業(yè)
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平面架構(gòu)1x納米NAND揭密!

- 過去的一年半以來,主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應來源,美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商,隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后,TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點,在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體,例如三星
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DRAM產(chǎn)業(yè)十年一劫,中國全面搶灘市場
- 中國扶植自有DRAM供應鏈計劃浮上臺面,業(yè)界透露中國將分三個階段著手,包括扶植大型集團建立自有技術(shù)、高關(guān)稅逼迫國際大廠合作、強制品牌系統(tǒng)廠采用, 由于上一輪全球DRAM市場崩盤是在2008年發(fā)生,業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆,對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。 半導體業(yè)者表示,中國建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問題,似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術(shù),然事實上,中
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SK海力士全面進入20納米級DRAM時代
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級DRAM,全面進入20納米級生產(chǎn)時代。據(jù)了解,SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM,不過到2015年第1季,生產(chǎn)效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例,已高達全體生產(chǎn)的82%。 韓媒Digital Times報導,日前業(yè)界消息傳出,SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止,約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%,但從2015年第1季開始已全面轉(zhuǎn)進20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron),目前30納米級
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SK海力士20nm級制程轉(zhuǎn)換,4年后100%完成
- SK海力士(SK Hynix)搶進20奈米級制程進展迅速!韓媒報導,SK海力士引進38奈米制程,已在四年后停止30奈米級生產(chǎn),全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級制程。 韓媒BusinessKorea 13日報導,2014年第四季,SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%,預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱,今年Q1,25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預估,SK海力士將在今年Q3進入2z制程,明年邁上軌道。 相較之下,30奈米制程仍占美光
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嗆三星!SK海力士20奈米級制程轉(zhuǎn)換、100%完成
- SK海力士(SK Hynix)搶進20奈米級制程進展迅速!韓媒報導,SK海力士引進38奈米制程,已在四年后停止30奈米級生產(chǎn),全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級制程。 韓媒BusinessKorea 13日報導,2014年第四季,SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%,預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱,今年Q1,25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預估,SK海力士將在今年Q3進入2z制程,明年邁上軌道。 相較之下,30奈米制程仍占美光
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迎接物聯(lián)網(wǎng)時代 SK海力士擴大晶圓代工事業(yè)
- 韓系半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將擴大非存儲器領(lǐng)域的晶圓代工事業(yè)。三星電子(Samsung Electronics)采14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程推動晶圓代工事業(yè)發(fā)展,SK海力士將把焦點放在8吋90納米制程,以架構(gòu)少量生產(chǎn)多元系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)系統(tǒng)。 據(jù)ET News報導,為擴大專門提供晶圓代工服務的清州M8廠可生產(chǎn)的芯片種類,SK海力士著手重新調(diào)整產(chǎn)線。 M8廠主要生產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)、電源管理芯片(PMIC)、顯示器驅(qū)動芯片(DDI)等。過去也曾生產(chǎn)N
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SK海力士啟航3年 成為SK集團當紅炸子雞
- SK海力士(SK Hynix)成立3年便進入營業(yè)利益5兆韓元具樂部(約45.3億美元),成為SK集團(SK Group)的當紅炸子雞。目前正著手系統(tǒng)芯片研發(fā),同時積極購并企業(yè)以掌握必要的技術(shù)力。中長期目標便是成為綜合半導體企業(yè)。 根據(jù)韓媒AsiaToday的報導,SK海力士的業(yè)績已經(jīng)超越SK集團的傳統(tǒng)主力企業(yè)SK Innovation與SK電信(SKT),將2家公司2014年的營業(yè)利益合并計算后,得到的數(shù)值只有SK海力士營業(yè)利益的4分之1。 SK海力士在成立第1年雖然有超過2,000億韓元
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SK海力士今年成長三大核心 20納米、M14新廠、3D NAND
- 面對競爭激烈的半導體市場,SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業(yè)持續(xù)成長,2015年將面臨三大課題:成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構(gòu)利川M14新廠的量產(chǎn)系統(tǒng),以及強化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。 根據(jù)韓媒E-Daily報導,SK海力士社長樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會上表示,2015年下半初期將開始量產(chǎn)22納米DRAM,意即最快在7月SK海力士就會開始量產(chǎn)22納米DRAM。 SK海力士近2年業(yè)績屢創(chuàng)新高,主力產(chǎn)
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三星、SK海力士半導體獲利佳 今年可望更上層樓
- 三星集團(Samsung Group)和SK集團(SK Group)正迅速拓展半導體事業(yè)領(lǐng)域。移動裝置和煉油等主力事業(yè)成長停滯不前,半導體事業(yè)儼然成為集團金雞母。 據(jù)Digital Times報導,SK海力士(SK Hynix)獨家對樂金電子(LG Electronics)供應固態(tài)硬碟(SSD),搭載在2015年1月上市的超輕量Ultrabook Gram 14上。Gram 14上市后較前一代產(chǎn)品銷售量提升約30%,SK海力士的SSD獲樂金熱門機種搭載,對SK海力士相對表現(xiàn)較不出色的NAND F
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sk海力士介紹
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