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車載OBC+DC/DC方案

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，充電安全及技術(shù)越發(fā)重要，車載充電機(jī)（OBC）作為交流充電的關(guān)鍵組成部分，其市場規(guī)模隨著新能源汽車市場的快速增長而擴(kuò)大。據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，2022年中國新能源汽車銷量為688.7萬輛，新能源汽車OBC市場規(guī)模約為179億元，到2025年全球OBC市場將達(dá)到660億元，潛力巨大。車載OBC電動車按充電方式可分為：混合動力電動車（HEV），插電式混合動力汽車（PHEV），增程式混合動力汽車（EREV），電池驅(qū)動的純電動汽車（BEV），氫燃料電池的純電動汽車（FCEV）。其中PHEV、E
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大

EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導(dǎo)體開關(guān)領(lǐng)域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨(dú)特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結(jié)構(gòu)，其效率高于 IGBT，且比超結(jié) MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關(guān)乎轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
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Transphorm和偉詮電子合作發(fā)布集成式GaN SiP

Transphorm將在APEC2023會議上展出該產(chǎn)品(展位#853)。加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布雙方合作推出首款系統(tǒng)級封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片。偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領(lǐng)導(dǎo)者之一，新推出的WT7162R
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基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

隨著全球?qū)Νh(huán)保問題的重視，在汽車領(lǐng)域，新能源汽車肩負(fù)著構(gòu)建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿，汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術(shù)路線探索環(huán)保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術(shù)路線之一，其核心部件車載充電機(jī)（OBC）經(jīng)過幾年的發(fā)展技術(shù)日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性價(jià)比一直是各家方案商以及零部件供應(yīng)商持續(xù)追求的目標(biāo)。本方案是品佳集團(tuán)聯(lián)合國內(nèi)高校共同設(shè)計(jì)，基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運(yùn)算任務(wù)，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)

新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車載充電機(jī)OBC、直流變換器 DC/DC、電機(jī)控制器等應(yīng)用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應(yīng)用特點(diǎn)，介紹了車載充電機(jī)OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后，本文根
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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時(shí)，對于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個(gè)重要的話題。在車載OBC/DCDC應(yīng)用中，高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導(dǎo)體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及，但事實(shí)是無論
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全網(wǎng)最全的半導(dǎo)體封裝技術(shù)解析

半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測試（wafer Probe/Sorting)、芯片封裝（Assemble）、測試（Test）以及后期的成品（Finish Goods）入庫所組成。半導(dǎo)體器件制作工藝分為前道和后道工序，晶圓制造和測試被稱為前道（Front End）工序，而芯片的封裝、測試及成品入庫則被稱為后道（Back End）工序，前道和后道一般在不同的工廠分開處理。前道工序是從整塊硅圓片入手經(jīng)多次重復(fù)的制膜、氧化、擴(kuò)散，包括照相制版和光刻等工序，制成三極管、
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微小化技術(shù)需求日漲環(huán)旭電子以SiP創(chuàng)新技術(shù)持續(xù)發(fā)力可穿戴領(lǐng)域

今年，環(huán)旭電子進(jìn)入智能穿戴模組領(lǐng)域的第九年，并在先進(jìn)封裝技術(shù)的開發(fā)方面又登上新臺階。雙面塑封和薄膜塑封是環(huán)旭電子最新開發(fā)的技術(shù)，雙面塑封實(shí)現(xiàn)了模組的最優(yōu)化設(shè)計(jì)。薄膜塑封技術(shù)的引入，實(shí)現(xiàn)了信號連接導(dǎo)出區(qū)域的最小化設(shè)計(jì)，同時(shí)可以和其他塑封區(qū)域同時(shí)在基板的同一側(cè)實(shí)現(xiàn)同時(shí)作業(yè)。一直以來，手機(jī)是推動微小化技術(shù)的主要?jiǎng)恿Γ缃裎⑿』夹g(shù)正在多項(xiàng)領(lǐng)域體現(xiàn)其優(yōu)勢，其中智能穿戴領(lǐng)域?qū)ξ⑿』夹g(shù)的需求越來越高。系統(tǒng)級封裝技術(shù)是為智能手表、藍(lán)牙耳機(jī)等新型智能穿戴電子產(chǎn)品提供高度集成化和微小化設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)。環(huán)旭電子不斷加強(qiáng)研發(fā)
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Pickering Electronics 推出新款耐高壓 SIL/SIP 舌簧繼電器線圈電阻更高，功耗更低

英國Pickering Electronics 公司是小型化和高性能舌簧繼電器方面的領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有超過50年經(jīng)驗(yàn)。近日它宣布推出 100HV 系列耐高壓單列直插 SIL/SIP 舌簧繼電器，提供最高3kV的額定截止電壓，且線圈電阻是之前產(chǎn)品的兩倍以上。高系列繼電器適合應(yīng)用于變壓器、電纜測試，或任何其他要求高電壓但低線圈功耗的自動測試設(shè)備。 Pickering Electronics公司的技術(shù)專家 Kevin Mallett 對新產(chǎn)品作了說明：“100HV系列繼電器非常適用于需要切換電源電壓的應(yīng)
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清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進(jìn)的汽車功能電子化和自動駕駛技術(shù)賦能。安森美半導(dǎo)體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實(shí)現(xiàn)零排放，其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機(jī)的，隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊
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面向新基建的GaN技術(shù)

新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個(gè)挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計(jì)師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應(yīng)用。TI GaN在一個(gè)封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護(hù)功能，可提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機(jī)驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
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InnoSwitch3-AQ已通過Q100認(rèn)證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認(rèn)證的反激式開關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側(cè)檢測功能。新獲得認(rèn)證的器件系列適用于電動汽車應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機(jī))、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
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易靈思宣布推出 Trion Titanium FPGA 系列

可編程產(chǎn)品平臺和技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)易靈思?? 近日宣布推出其 Trion? Titanium FPGA 系列。Trion Titanium FPGA 是基于16納米工藝節(jié)點(diǎn),并采用易靈思的 “Quantum? 計(jì)算架構(gòu)”?！癚uantum 計(jì)算架構(gòu)”是受到了易靈思第一代 Trion FPGA 之基礎(chǔ)“Quantum 架構(gòu)”的啟發(fā),在其可交換邏輯和路由的“隨變單元” (XLR) 中增添了額外的計(jì)算和路由功能。增強(qiáng)的計(jì)算能力,加上利用16納米工藝實(shí)現(xiàn)的 3 倍性能(Fmax)的提升,使得 Trion Ti
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
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Bosch Sensortec與高通（Qualcomm）合作提供創(chuàng)新軟件解決方案

Bosch Sensortec一直以來通過高通平臺解決方案生態(tài)系統(tǒng)（Qualcomm? Platform Solutions Ecosystem）計(jì)劃與高通技術(shù)公司（Qualcomm Technologies, Inc.）合作開發(fā)創(chuàng)新傳感器軟件解決方案。根據(jù)雙方的合作協(xié)議，Bosch Sensortec可在高通傳感器執(zhí)行環(huán)境（Qualcomm? Sensor Execution Environment）中開發(fā)基于MEMS傳感解決方案的軟件，從而為智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備提供先進(jìn)的功能。首批開發(fā)成果包括應(yīng)用Bo
關(guān)鍵字：合作開發(fā) SiP BSEC