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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic mosfet

        帶電流感應(yīng)的±4A數(shù)字控制兼容型單低端MOSFET驅(qū)動

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  德州儀器  

        高速M(fèi)OSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  德州儀器  

        NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品

        •   NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā),并將于即日起開始發(fā)售樣品。   此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機(jī)等通過電流為數(shù)十安培的控制單元,其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品;另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比,導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。   對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言,使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時產(chǎn)生的熱量,從而減輕電路設(shè)計時的負(fù)擔(dān)。   新產(chǎn)品的樣品價格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
        • 關(guān)鍵字: NEC電子  MOSFET  汽車電子  

        京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)

        •    京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布,使用“量產(chǎn)型SiC(碳化硅)外延膜生長試制裝置”,確立對SiC晶圓進(jìn)行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導(dǎo)熱系數(shù)等特征的功率半導(dǎo)體朝著實(shí)用化邁出了一大步。目前,三家已經(jīng)開始使用該裝置進(jìn)行功率半導(dǎo)體的試制,面向混合動力車的馬達(dá)控制用半導(dǎo)體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途,“各廠商供應(yīng)工程樣品,并獲得了好評”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
        • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  京大  SiC  外延膜  消費(fèi)電子  

        高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: MaximIntegratedProducts  MOSFET  DC/DC  

        如何計算高功率電源中MOSFET的功耗

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  

        功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  美國國家半導(dǎo)體  

        飛兆推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H

        •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H,采用雙DPAK封裝,提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力,有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計而優(yōu)化,是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比,雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外,F(xiàn)DD8424H在
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  單片機(jī)  飛兆半導(dǎo)體  嵌入式系統(tǒng)  

        Fairchild推出互補(bǔ)型40V MOSFET改進(jìn)LCD設(shè)計

        • 飛兆半導(dǎo)體推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H,采用雙DPAK封裝,提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力,有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計而優(yōu)化,是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比,雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外,F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
        • 關(guān)鍵字: Fairchild  LCD設(shè)計  MOSFET  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  液晶顯示  LCD  

        Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯

        • Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強(qiáng)度放電管,以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機(jī)控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓,可適應(yīng)9V~13.2V的寬泛電源電壓范圍,能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負(fù)載。
        • 關(guān)鍵字: IC  MOSFET  Vishayn  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  

        ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6

        • 4月20日訊,半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社(總社設(shè)在京都市)最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品,這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝,是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品;預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社(茨城縣)進(jìn)行;包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  MPT6  ROHM  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  封裝  

        ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列

        • ROHM株式會社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動器使用的「MPT6 Dual(2元件)」型系列產(chǎn)品,這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝,低導(dǎo)通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品;預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社(茨城縣)進(jìn)行;包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) 
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  ROHM  消費(fèi)電子  封裝  消費(fèi)電子  

        帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器

        •   Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器,輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個輸出電壓,可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調(diào)節(jié),并且總輸出電流高達(dá)6A。2個PWM是180o異相同步的,降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。   ISL65426的獨(dú)特電源模塊架構(gòu)允許對6個電流高達(dá)1A的模塊進(jìn)行分配,以便支持4個輸出配置選項之一。一個主電源模塊與各個同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個浮動從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  雙同步降壓穩(wěn)壓器  

        ZETEX推出帶診斷功能的自保護(hù)MOSFET ZXMS6002/3

        • ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET,它可通過獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋,有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員,均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件,特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載,如電燈、電機(jī)及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護(hù)功能,可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示,無需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現(xiàn)智能的
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  ZXMS6002/3  工業(yè)控制  工業(yè)控制  
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