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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic fet

        如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

        • 如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
        • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

        揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

        • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術(shù)的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
        • 關(guān)鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動器  

        在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

        •   摘要  本文評測了主開關(guān)采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性,并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明,新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標桿,讓系統(tǒng)具更高的能效,對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大?! ∏把浴 ∈袌鰧﹂_關(guān)速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高,而硅器件理論上正在接近性能上限?! 拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好,被認為是硅半導體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中,兼容硅
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  SiC  

        制造能耗變革從新一代半導體開始

        •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
        • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

        ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應用

        • 近年來,SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻,在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源,以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比,SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗,可實現(xiàn)設(shè)備中冷卻機構(gòu)的小型化。同時,通過更高頻率的開關(guān)動作,還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見,SiC是可以同時實現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
        • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  汽車  

        走過疑慮 SiC器件終迎春天

        • 在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后,SiC器件終于迎來了春天。
        • 關(guān)鍵字: SiC  Cree  

        1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

        • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然,要進行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外,還必須具備適當?shù)目煽啃?,以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等??膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅(qū)動電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
        • 關(guān)鍵字: 電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  

        SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案設(shè)計

        • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
        • 關(guān)鍵字: SiC  集成技術(shù)  生物電信號  采集方案  

        基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

        • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何
        • 關(guān)鍵字: EEG  SiC  生物電信號采集  IMEC  

        第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

        • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
        • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導體材料  

        FET知識:采用結(jié)型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

        •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式。  最一般的源極接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反。  FET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
        • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

        ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大!支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001),有助于大功率應用的高效化與小型化

        •   <概要>  全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?! ”井a(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計優(yōu)化,實現(xiàn)了600A額定電流,由此,在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應用成為可能。另外,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時),這非常有助于應
        • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

        汽車功率元器件市場前景廣闊

        •   汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
        • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

        汽車功率元器件市場前景廣闊

        •   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片。  與遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點,使用200毫米(和
        • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

        功率半導體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

        •   與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長期低估,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
        • 關(guān)鍵字: 功率半導體  SiC  
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