si-cmos 文章進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)

凌力爾特?cái)U(kuò)大RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)的“H 級(jí)”器件

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴(kuò)大了 RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)的“H 級(jí)”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴(kuò)展工作溫度范圍以及這些應(yīng)用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級(jí)器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)低功率 CMOS 收發(fā)器產(chǎn)品線(xiàn)，有助于在汽車(chē)應(yīng)用中常見(jiàn)的嚴(yán)酷環(huán)境條件下確保可靠數(shù)據(jù)傳輸。　　凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉(zhuǎn)換率限制，同時(shí)其它版本具有接
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 RS422 CMOS

意法半導(dǎo)體（ST）芯片向先進(jìn)的45nm CMOS 射頻技術(shù)升級(jí)

　　意法半導(dǎo)體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術(shù)的功能芯片。這項(xiàng)先端技術(shù)對(duì)于下一代無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)(WLAN)應(yīng)用產(chǎn)品至關(guān)重要。　　這些系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)是在ST的法國(guó)Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線(xiàn)制造的，原型產(chǎn)品集成了從初級(jí)RF信號(hào)檢測(cè)到下一步信號(hào)處理需要的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進(jìn)的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和濾波器都工作在1.1V下，整個(gè)電路僅占用0.45mm2)。　　ST的半導(dǎo)體成就歸功于公司開(kāi)發(fā)CM
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 意法半導(dǎo)體 45nm CMOS EDA IC設(shè)計(jì)

2007年12月10日，ST推出采用CMOS 45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片

　　2007年12月10日，意法半導(dǎo)體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片。 ?
關(guān)鍵字： ST CMOS 45nm 射頻

CMOS集成電路設(shè)計(jì)中電阻設(shè)計(jì)方法的研究

討論了集成電路設(shè)計(jì)中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實(shí)現(xiàn)方法，論述了他們各自的優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及其不同的作用
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路設(shè)計(jì) 電阻設(shè)計(jì)方法

以有源電感為負(fù)載的CMOS寬帶LNA設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一個(gè)基于數(shù)字CMOS工藝的以有源電感為負(fù)載的寬帶低噪聲放大器，其中包括了級(jí)聯(lián)型有源電感的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： CMOS LNA 有源電感負(fù)載

CMOS圖像傳感器中時(shí)問(wèn)延遲積分的實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化

　　1 引言　　利用高速線(xiàn)掃描攝像機(jī)進(jìn)行監(jiān)控，具有在線(xiàn)監(jiān)控、高精度和高速度的特點(diǎn)[1，2]，一般常見(jiàn)的線(xiàn)掃描攝像機(jī)，感光器上的每個(gè)像素在進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描時(shí)，每次僅對(duì)移動(dòng)中的物體做一次曝光，而時(shí)間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時(shí)間，從而增強(qiáng)信號(hào)的輸出強(qiáng)度。目前，TDI技術(shù)的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實(shí)現(xiàn)TDI的理想器件，它能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術(shù)存在驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) TDI CMOS 圖像傳感器傳感器執(zhí)行器

一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

0 引言帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真，HSPICE
關(guān)鍵字：軟啟動(dòng) CMOS 帶隙基準(zhǔn) 電源模擬IC 電源

一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

　　引言　　帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。　　本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真，HSPICE的仿真結(jié)果表明該基
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Si整流器與SiC二極管：誰(shuí)與爭(zhēng)鋒

　　在當(dāng)今的電氣設(shè)備中,功率半導(dǎo)體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見(jiàn)。它們?cè)谡９ぷ鬟^(guò)程中會(huì)在為其供電的交流電線(xiàn)上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。　　首先，這些器件會(huì)引起較小的功率因數(shù)。其次，它們會(huì)使線(xiàn)電流失真，引起電噪聲或者產(chǎn)生與線(xiàn)電壓之間的相位偏移。　　功率因數(shù)是指實(shí)際使用的功率與交流線(xiàn)上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設(shè)備中如果存在大電容或者電感就會(huì)導(dǎo)致視在功率大于實(shí)際使用的功率，出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。　　功率因數(shù)越小，在為設(shè)備供電的交流導(dǎo)線(xiàn)上損耗的電能就越多。如果設(shè)備中的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)操作非常
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) Si 整流器二極管元器件用材料

奧地利微電子為代工用戶(hù)擴(kuò)展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù)

　　奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠(chǎng)業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時(shí)間表，擴(kuò)展了其具有成本效益的、快速的專(zhuān)用集成電路(ASIC)原型服務(wù)，即所謂以多項(xiàng)目晶圓 (MPW) 或往復(fù)運(yùn)行(shuttle run)。該服務(wù)將來(lái)自不同用戶(hù)的若干設(shè)計(jì)結(jié)合在一個(gè)晶圓上，有助于眾多不同的參與者分?jǐn)偩A和掩膜成本。　　RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù) 　　奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺(tái)積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器

Akustica CMOS MEMS數(shù)字傳聲器銷(xiāo)售量突破兩百萬(wàn)大關(guān)

益登科技所代理的系統(tǒng)單芯片聲學(xué)系統(tǒng)領(lǐng)先開(kāi)發(fā)商Akustica日前宣布，其數(shù)字傳聲器產(chǎn)品銷(xiāo)售量已突破兩百萬(wàn)大關(guān)，這是該公司繼三個(gè)月前突破百萬(wàn)銷(xiāo)售量后的另一重要里程碑。Akustica自從推出首款和獲獎(jiǎng)的AKU2000數(shù)字傳聲器后，在短短的15個(gè)月內(nèi)就將銷(xiāo)售量增至百萬(wàn)以上。今天，移動(dòng)個(gè)人計(jì)算機(jī)對(duì)高質(zhì)量語(yǔ)音輸入的強(qiáng)勁需求促使Akustica再度推出3款數(shù)字傳聲器，同時(shí)快速提升產(chǎn)能以滿(mǎn)足客戶(hù)要求。 A
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 Akustica CMOS MEMS 數(shù)字傳聲器消費(fèi)電子

In-Stat：圖像傳感器硝煙正濃 CMOS暫居上風(fēng)

市場(chǎng)調(diào)研公司In-Stat根據(jù)最近的調(diào)查結(jié)果指出，CMOS圖像傳感器繼續(xù)主宰市場(chǎng)，CCD仍居于下風(fēng)。這與IC Insights的看法相悖。In-Stat表示，盡管在數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，但手機(jī)仍然是圖像傳感器的主要市場(chǎng)。據(jù)In-Stat，相機(jī)手機(jī)占全部圖像傳感器出貨量的75%以上。 In-Stat表示，對(duì)相機(jī)手機(jī)的這種旺盛需求，也導(dǎo)致CMOS傳感器的單位出貨量超過(guò)CCD傳感器。據(jù)In-Stat
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 圖像傳感器 CMOS 模擬IC 電源傳感器

一種新型低電荷共享電荷泵電路

我們闡述了一個(gè)低失配(mismatch2%)、低電荷共享的新型電荷泵,通過(guò)增加并不復(fù)雜的電路達(dá)到了加倍提高電荷泵...
關(guān)鍵字： CMOS 鎖相邏輯

Cypress推高速CMOS圖像傳感器LUPA-1300-2

　　賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress)近日發(fā)布了一款高靈敏度、高速SXGA(超級(jí)擴(kuò)展型圖形陣列)分辨率CMOS圖像傳感器的商業(yè)樣品。這款新型130萬(wàn)像素LUPA-1300-2傳感器是一款提供了觸發(fā)和管線(xiàn)同步快門(mén)(pipelinedsynchrounousshutter)和片上數(shù)字LVDS(低壓差分信號(hào))輸出的產(chǎn)品。本產(chǎn)品針對(duì)機(jī)器視覺(jué)和運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，具備500幀/秒(fps)的高幀頻以及窗口功能，能夠提供無(wú)失真圖像并執(zhí)行快速讀出。　　LUPA-1300-2的特色包括了一個(gè)全同步面曝光快門(mén)，使其能夠于
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 Cypress CMOS 圖像傳感器音視頻技術(shù)

賽普拉斯推出LVDS輸出的高速SXGC CMOS圖像傳感器

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司近日發(fā)布了一款高靈敏度、高速SXGA(超級(jí)擴(kuò)展型圖形陣列)分辨率CMOS圖像傳感器的商業(yè)樣品。這款新型130萬(wàn)像素LUPA-1300-2傳感器是業(yè)界第一款提供了觸發(fā)和管線(xiàn)同步快門(mén)(pipelined synchrounous shutter)和片上數(shù)字LVDS(低壓差分信號(hào))輸出的產(chǎn)品。本產(chǎn)品針對(duì)機(jī)器視覺(jué)和運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，具備500幀/秒(fps)的高幀頻以及窗口功能，能夠提供無(wú)失真圖像并執(zhí)行快速讀出。　　LUPA-1300-2的特色包括了一個(gè)全同步面曝光快門(mén)，使其能夠于在拍
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 賽普拉斯圖像傳感器 CMOS 測(cè)試測(cè)量