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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> si-cmos

        CMOS傳感器+高級色彩算法,快準穩(wěn)捕獲色彩

        • 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異,實現(xiàn)在線檢測,大大提高了檢測效率,同時對產(chǎn)品進行全檢,檢測結果更為客觀、更準確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節(jié)都要求相機具備某些特征。那么,相機廠商該如何應對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢?Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合,并具備:色彩校正矩陣,用于實現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn);高質(zhì)量圖像,卓越的靈敏度和動態(tài)范圍,能夠較大限度提升圖像對比度;靈活多變的自定義觸發(fā)設置,準確觸發(fā)
        • 關鍵字: 傳感器  色彩  CMOS  

        CMOS傳感器+高級色彩算法,快準穩(wěn)捕獲一致色彩

        • 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異,實現(xiàn)在線檢測,大大提高了檢測效率,同時對產(chǎn)品進行全檢,檢測結果更為客觀、更準確。問:無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節(jié)都要求相機具備某些特征。那么,相機廠商該如何應對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢?答:Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合,并具備:? 色彩校正矩陣,用于實現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像,卓越的靈敏度和動態(tài)范圍,能夠較大限度提升圖像對比度?
        • 關鍵字: CMOS  傳感器  色彩算法  

        CMOS 2.0 革命

        • 受到威脅的不是摩爾定律本身,而是它所代表的促進經(jīng)濟增長、科學進步和可持續(xù)創(chuàng)新的能力。
        • 關鍵字: CMOS  

        臺積電熊本新廠建筑工程上個月末已完成

        • 1月8日消息,據(jù)報道,日本熊本放送消息,臺積電日本熊本新廠建筑工程在上個月末已完成,預定年內(nèi)投產(chǎn),目前處于設備移入進機階段。另外,該廠開幕式預計在2月24日舉行。公開資料顯示,臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼,以及持股約10%的日本電裝(DENSO),熊本第一工廠計劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類成熟制程的半導體,初期多數(shù)產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數(shù)字圖像處理器(ISP),其余則為電裝代工車用電子微控制器 MCU,電裝可取得約每月1萬片產(chǎn)能。臺積
        • 關鍵字: 臺積電  索尼  日本電裝  CMOS  ISP  MCU  

        CIS 產(chǎn)能誘惑再起

        • 移動互聯(lián)時代,在電子半導體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段,有 3~4 類芯片會沖在前面,呈現(xiàn)出明顯的增長勢頭,存儲器是典型代表,還有一種芯片也很搶眼,那就是 CIS(CMOS 圖像傳感器),它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長過程中就扮演了重要角色。如今,2024 年半導體業(yè)即將復蘇,CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應用領域:手機、安防和汽車。當然,CIS 在工業(yè)和其它消費類電子產(chǎn)品上也有應用。近日,全球 CIS 市場排名第二的三星電子發(fā)出通知,將大幅調(diào)升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
        • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  

        英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術:在 60nm 柵距下實現(xiàn) CFET

        • IT之家 12 月 10 日消息,由于當下摩爾定律放緩,堆疊晶體管概念重獲關注,IMEC (比利時微電子研究中心)于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術(IT之家注:即垂直堆疊互補場效應晶體管技術,業(yè)界認為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術),英特爾和臺積電也都進行了跟進。在今年的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM 2023)上,英特爾展示了多項技術突破,并強調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先,英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)晶體管方面取得的突
        • 關鍵字: 英特爾  CMOS  

        下一代CMOS邏輯,邁入1nm時代

        • 3D 亞納米時代,CMOS 邏輯電路如何發(fā)展?
        • 關鍵字: CMOS  

        Teledyne e2v 發(fā)布新一代高性能全局快門 CMOS 圖像傳感器

        • Teledyne Technologies [NYSE: TDY] 子公司、全球成像解決方案革新者 Teledyne e2v 發(fā)布全新高水準 CMOS 圖像傳感器系列 Emerald? Gen 2。新系列在 Teledyne e2v 先進成像技術的基礎上又增強了性能,使之成為各種機器視覺應用、室外監(jiān)控以及交通檢測與監(jiān)控相機的理想選擇。 Emerald? Gen2Emerald Gen2 的型號分為 8.9M像素(4,096 x 2,160)和 12M 像素(4,096 x 3,072)
        • 關鍵字: 成像技術  CMOS  圖像傳感器  機器視覺  

        索尼唯一正增長,今年上半年全球手機 CIS 傳感器出貨量 20 億:同比下降 14%

        • IT之家 10 月 26 日消息,根據(jù)市場調(diào)查機構 Counterpoint Research 公布的最新調(diào)查報告,受到需求疲軟、庫存調(diào)整以及每部智能手機的攝像頭數(shù)量減少等諸多因素,2023 年上半年全球智能手機 CMOS 圖像傳感器(CIS)出貨量為 20 億個,同比下降 14%。該機構研究分析師 Alicia Kong 表示:持續(xù)的通脹壓力、充滿挑戰(zhàn)的宏觀經(jīng)濟環(huán)境,影響了消費者信心,導致智能手機出貨量低于預期。2023 年上半年,每部智能手機的平均攝像頭數(shù)量也從 2022 年下半年
        • 關鍵字: 索尼  CMOS    

        ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積!

        • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會,對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
        • 關鍵字: ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

        產(chǎn)品性能才是首位,CIS芯片領先供應商芯視達亮相安博會

        • 2023年6月7日,第十六屆安博會在北京新首鋼會展園區(qū)開幕,本屆安博會以“自主創(chuàng)新、數(shù)智融合、賦能安防、服務社會”為主題。在本屆安博會上,集中展示了視頻監(jiān)控、防盜報警、出入口控制、安檢防爆、實體防護、數(shù)據(jù)應用與安全等安防技術和產(chǎn)品,同時突出了今年來熱門的無人化、AI智能化,加上近期大熱的生成式人工智能(AIGC),本屆安博會可以說是充滿了創(chuàng)新的一屆安博會,極大地展示了近期我國在安防上的最新應用成果。 安博會作為安全行業(yè)的盛會,一直以來被行業(yè)內(nèi)視為發(fā)展的風向標。在本屆安博會上,作為CIS圖像傳感器
        • 關鍵字: 安博會  芯視達  CMOS  

        地芯科技發(fā)布全球首款基于CMOS工藝的國產(chǎn)化多頻多模線性PA

        • 5月18日,杭州地芯科技有限公司(以下簡稱:地芯科技)在上海發(fā)布了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多頻功率放大器模塊(MMMB PAM),它應用于3G/4G手持設備(包括手機及其他手持移動終端)以及Cat1.物聯(lián)網(wǎng)設備,支持的多頻段多制式應用。本模塊還支持可編程MIPI控制。圖片來源:地芯科技CMOS工藝是集成電路中最為廣泛使用的工藝技術,具有高集成度、低成本、漏電流低、導熱性好、設計靈活等特性,但也存在擊穿電壓低、線性度差兩大先天性
        • 關鍵字: 地芯科技  CMOS  多頻多模  線性PA  

        深挖 GaN 潛力,中國企業(yè)別掉隊

        • 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導體材料,其禁帶寬度達到 3.4eV,是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度,氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率,以及更優(yōu)的抗輻照能力,這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備,下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要,襯底也占據(jù)了大部分成本,因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主,4 英寸已實現(xiàn)商用,6 英寸
        • 關鍵字: GaN-on-Si  氮化鎵  
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        si-cmos介紹

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