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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> si cmos

        Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關

        • 2013 年 11 月5 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝,導通電阻只有1.5?
        • 關鍵字: Vishay  CMOS  導通電阻  

        美國半導體聯(lián)盟啟動“半導體合成生物技術”

        •   新計劃的第1階段將在3個相關又有所區(qū)別的領域支持6個探索性的項目:第1個領域是細胞形態(tài)-半導體電路設計領域,將從細胞生物學獲得的經(jīng)驗應用到新型芯片體系結構中,反之亦然;第2個領域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領域,專門支持半導體生物混合系統(tǒng);第3個領域是分子級精確增材制造領域,將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導未來多代半導體合成生物技術研究。半導體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。-   麻省理工學院的RahulSarpe
        • 關鍵字: 半導體  CMOS  

        改進RGC結構的光互連CMOS前置放大器設計

        • 該前置放大器采用了改良后的RGC結構作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結果表明:在光探測器結電容 ...
        • 關鍵字: RGC  CMOS  前置放大器  

        帶有增益提高技術的高速CMOS運算放大器設計

        • 設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源 ...
        • 關鍵字: 增益  高速  CMOS  運算放大器  

        CMOS型單片機時鐘電路圖

        • MCS-51內(nèi)部都有一個反相放大器,XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端,外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
        • 關鍵字: CMOS  單片機  時鐘電路  

        新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806

        • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性,還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力,是一款兩全其美外加實用的好產(chǎn)品。
        • 關鍵字: 新日本  CMOS  無線網(wǎng)絡  

        技術:CMOS集成電路電阻的應用分析

        •   目前,在設計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中,要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設計達到最優(yōu)。   1CMOS集成電路的性能及特點   1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管,且都是互補結構,工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。   1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
        • 關鍵字: CMOS  電阻  

        3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
        • 關鍵字: CMOS  LCVCO  電感  射頻開關  PVT  鎖相環(huán)  

        MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復用器/開關

        • 概述:MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速,低電壓,CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復用器(MAX4617),兩個4通道多路 ...
        • 關鍵字: MAX4617  MAX4619  CMOS  多路復用器  

        大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

        • 近年來氮化鎵(GaN)系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學儲存系統(tǒng)、高頻 ...
        • 關鍵字: 大尺寸  磊晶技術  GaN-on-Si  基板破裂  

        上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機銷售禁令 紅外LED廠受惠

        •   隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時間的臨近,本周自貿(mào)熱卷土重來:龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個漲停板,且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前,市場人士就已獲悉,允許國外企業(yè)在華銷售游戲機將是上海自貿(mào)區(qū)藍圖的一部分;本月23日晚間,百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告,更是令自貿(mào)區(qū)相關游戲機概念的炒作熱潮一觸即發(fā),百視通昨日就強勢漲停。   分析人士表示,百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設立合資公司的舉措表明,實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結;在此背景下,預計與游戲機生產(chǎn)相關的軟硬件公司,如水晶光電
        • 關鍵字: 紅外LED  CMOS  

        銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流

        •   銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說,是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外,其他CMOS半導體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬,并采取更好的散熱措施。   目前全球倒裝芯片市場規(guī)模為200億美元,以年增長率為9%計算,到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中,銅柱凸點式封裝的年增長率將達到19%。到2014年,已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點,從數(shù)量上來說,銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。   
        • 關鍵字: CMOS  倒裝芯片  

        ASM高級技術產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關鍵挑戰(zhàn)

        •   高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應用于先進互補式金氧半導體(CMOS) 技術的關鍵挑戰(zhàn)是什么?   高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術的引進是用來解決標準SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT),整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件,NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選,但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
        • 關鍵字: ASM  CMOS  

        東芝推出移動設備用的CMOS-LDO

        • 東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已經(jīng)擴充了其200mA單輸出CMOS-LDO穩(wěn)壓器陣容。該系列產(chǎn)品專為移動 ...
        • 關鍵字: 移動設備  CMOS-LDO  

        高電壓CMOS放大器利用單個IC實現(xiàn)高阻抗檢測

        • 電壓的準確測量需要盡量減小至被測試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表 (DVM) 采用 10M 電阻器網(wǎng)絡以把負載效應保持在不顯眼的水平,即使這會引起顯著的誤差,尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。
        • 關鍵字: 凌力爾特  LTC6090  CMOS  放大器  電阻器  
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