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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> sdram-based

        MIPS和矽統(tǒng)科技推動Android進入數(shù)字家庭應(yīng)用

        •   為數(shù)字家庭、網(wǎng)絡(luò)和移動應(yīng)用提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商美普思科技公司攜手臺灣矽統(tǒng)科技公司共同宣布,雙方將共同推動 Android? 平臺進入數(shù)字家庭應(yīng)用,樹立新的里程碑。兩家公司合作推出以矽統(tǒng)科技新款 MIPS-Based? 集成網(wǎng)絡(luò)電視平臺為基礎(chǔ)的優(yōu)化 Android 解決方案,現(xiàn)已面市。同時,矽統(tǒng)科技獲得了全新超標(biāo)量多處理 MIPS32TM 1074Kf? 同步多處理系統(tǒng)(CPS)授權(quán),用于開發(fā)下一代芯片產(chǎn)品。   MIPS 科技營銷和業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁
        • 關(guān)鍵字: MIPS   Android   MIPS-Based  

        DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

        • 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進行處理和分析,研究人員們把重點更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A/D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn),已經(jīng)可以實現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理,則
        • 關(guān)鍵字: SDRAM  DDR  高速數(shù)據(jù)  采集系統(tǒng)    

        處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

        • 處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹,現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器,它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同,而且它們的控制程序大部分都位于開機程序內(nèi),皆屬于
        • 關(guān)鍵字: 介紹  技術(shù)  控制  SDRAM  處理器  

        DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時代步伐?

        •   DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存,如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知,隨著iPhone等大牌智能手機的采納,DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一,例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。   DDR技術(shù)不斷發(fā)展,并行總線達到了串行技術(shù)的速度,時鐘速度達到1GHz。目前,DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率,而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中,很快就會出現(xiàn)在市場上。
        • 關(guān)鍵字: SDRAM  DDR測試  

        基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)的設(shè)計與實

        • 要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)??梢蕴峁┐笕萘康拇鎯臻g。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過計算機并口實現(xiàn)與計算機的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
        • 關(guān)鍵字: SDRAM  FPGA  數(shù)字電視信號  采集系統(tǒng)    

        一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計

        • 自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實還原三維...
        • 關(guān)鍵字: FPGA  立體視頻轉(zhuǎn)換  SDRAM  DVI  

        如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

        • 采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬,工作電壓低至1.5V,因此功耗小,存儲密度更可高達2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但問
        • 關(guān)鍵字: SDRAM  FPGA  DDR3  存儲器    

        基于FPGA的LED大屏幕控制系統(tǒng)的設(shè)計實現(xiàn)

        • 相比于液晶顯示、投影顯示等其他大屏幕顯示技術(shù),LED顯示技術(shù)有其獨特的優(yōu)越性:高亮度、寬可視角度、豐富...
        • 關(guān)鍵字: LED大屏幕  FPGA  反γ校正  SDRAM  

        基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)

        • 基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言  面對不同的應(yīng)用場景,原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號,這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外,由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu),緩存系統(tǒng)的設(shè)計需要保存原
        • 關(guān)鍵字: 方式  數(shù)據(jù)  系統(tǒng)  存儲  結(jié)構(gòu)  SDRAM  文件  基于  

        基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計

        • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計,  本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案,同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗證的參考設(shè)計來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
        • 關(guān)鍵字: 接口  控制器  設(shè)計  存儲器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  基于  

        MIPS科技推出針對MIPS-Based設(shè)備的Skype參考方案

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: MIPS-Based  SkypeKit  MIPS  Skype  DTV  STB  

        茂德、鈺創(chuàng)攜手進軍SDRAM

        •   臺系DRAM廠陸續(xù)啟動多角化產(chǎn)品線策略,近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進行結(jié)盟,將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品,采用72納米制程,目前已進入試產(chǎn),這是茂德跨入消費性電子市場重要里程碑,對鈺創(chuàng)而言,亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時雨。   2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(Qimonda),但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品,終究是一條不歸路,因此自 2010年開始,陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域,包括SDRAM、
        • 關(guān)鍵字: Qimonda  DRAM  SDRAM  

        Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口

        • Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強系統(tǒng)性能,改善數(shù)據(jù)位寬是一個有效的手段。通常來說,可以把系統(tǒng)頻率擴大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的,因為它們會增加
        • 關(guān)鍵字: SDRAM  接口  DDR  實現(xiàn)  II  如何  Cyclone  

        力晶王其國:DRAM制程難度提升 摩爾定律放緩

        •   力晶總經(jīng)理王其國表示,目前12寸晶圓廠不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上,產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊,未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上,會因為財務(wù)問題而放緩腳步,因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題,尤其是相當(dāng)看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量,算是殺手級的應(yīng)用,對于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。   王其國表示,過去摩爾定律認(rèn)為每隔18個月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍,但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加,制程微縮的腳步放緩,可能較難達成,加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進
        • 關(guān)鍵字: 力晶  SDRAM  DRAM  
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