PWM應(yīng)用中的低電壓反饋

• 2004年6月A版 　　就低電壓高電流電源應(yīng)用而言，開關(guān)式電源柵極驅(qū)動(dòng)要求特別重要。由于幾個(gè) MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計(jì)的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅(qū)動(dòng)器解決方案就變的不再可行。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻，并減少傳導(dǎo)損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，柵極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動(dòng)級(jí)，因此與驅(qū)動(dòng)并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗，其形式都表現(xiàn)為控制器集成電路的散熱。因此，許多單片解決方案的驅(qū)動(dòng)級(jí)由于并聯(lián)組合的關(guān)系都無法有效地滿足
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