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富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案
- 富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導(dǎo)體公司（Jazz）將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設(shè)備的片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合，使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具（COT）代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝，提供給捷智高精度的RF模型
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Zarlink上市RF收發(fā)器SoC面向人體醫(yī)療器件
- 加拿大卓聯(lián)半導(dǎo)體(ZarlinkSemiconductorLimited)上市了面向植入人體的醫(yī)療器件的RF收發(fā)器SoC（系統(tǒng)芯片）“ZL70101”。主要用于心臟起搏器、心臟除顫器、藥泵和生理監(jiān)測儀。配備最高數(shù)據(jù)處理速度為800kbit/秒的MAC（MediaAccessController）。利用MICS（MedicalImplantCommunicationService）使用的402～405MHz頻帶工作。 新產(chǎn)品配備有“wake-up”信號接收器，將睡眠模式下的消耗電流控制
- 關(guān)鍵字： RF Zarlink 收發(fā)器 SoC ASIC 醫(yī)療電子芯片
NI發(fā)布11款基于PXI的RF開關(guān)模塊
- 美國國家儀器有限公司（National Instruments，簡稱NI）發(fā)布了11款新的RF開關(guān)，將50 和75 Ohm 應(yīng)用的PXI RF開關(guān)模塊的選擇增多了一倍。這些模塊包括4x1、4x1匹配、4x1雙向、8x1雙向多路復(fù)用器以及四重SPDT和雙匹配SPDT通用配置。有了這些產(chǎn)品，工程師們可以基于性價比和改善信號完整性的考慮，自主選擇優(yōu)化他們的RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。6款新的2.5 GHz 75 ohm模塊是NI為高頻率視頻應(yīng)用（例如置頂盒測試等）推出的第一批產(chǎn)品。5款2.7 GHz 50 ohm模塊是NI現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： NI RF 電源技術(shù) 開關(guān)模塊 模擬技術(shù) 模塊
帶有MSP430與Chipcon RF模塊的開發(fā)工具
- 編號為MSP-EXP430FG4618的MSP430實驗板可幫助設(shè)計人員利用高集成度片上信號鏈(SCoC)MSP430FG4618 或 14 引腳小型F2013 微控制器快速開發(fā)超低功耗醫(yī)療、工業(yè)與消費類嵌入式系統(tǒng)。該電路板除集成兩個 16 位 MSP430 器件外，還包含一個 TI（Chipcon 產(chǎn)品線）射頻 (RF) 模塊連接器，以用于開發(fā)低功耗無線網(wǎng)絡(luò)。另外，它還支持多種輸入輸出選項，其中包括擴音器、蜂鳴器、液晶顯示屏 (LCD)、電容觸摸板、按鈕以及引腳板原型空間等。 利用兩款 MSP430
- 關(guān)鍵字： Chipcon MSP430 RF 單片機 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 模塊
加拿大Lyrtech推出四通道雙波段射頻接收機Quad Dual-Band RF Transceiver
- 加拿大Lyrtech公司推出新產(chǎn)品：四通道雙波段射頻接收機“Quad Dual-Band RF Transceiver”。近幾年，Lyrtech公司一直致力于MIMO技術(shù)的開發(fā)和優(yōu)化設(shè)計工作，該產(chǎn)品成為Lyrtech MIMO系統(tǒng)集成解決方案的重要組成部分。 Quad Dual-Band RF Transceiver 是由Lyrtech和COMLAB 公司聯(lián)合開發(fā)的。該接收機是一個四通道MIMO射頻模擬前端，
- 關(guān)鍵字： Dual-Band Quad RF Transceiver 電源技術(shù) 加拿大Lyrtech 模擬技術(shù) 四通道雙波段射頻接收機 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
- 摘 要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝
飛思卡爾使EDGE RF 子系統(tǒng)尺寸減半
- 緊湊型解決方案支持 DigRF 接口，縮短了產(chǎn)品上市時間 通過擴大其支持Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE) 手機設(shè)計的RF產(chǎn)品，飛思卡爾半導(dǎo)體揭開了公司第一款RF CMOS 90 納米收發(fā)器的神秘面紗。新RFX275-30是一個收發(fā)器子系統(tǒng)，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低發(fā)送和接收電流、高接收器靈敏度，并且結(jié)構(gòu)非常緊湊。通過簡化編程，新
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手機多頻帶切換力推RF MEMS 開關(guān)發(fā)展
- 手機的發(fā)展要求在以低插入損耗進行多頻帶和多模頻帶切換的同時仍保持優(yōu)良的線性特性，這推動了RF MEMS開關(guān)的應(yīng)用和發(fā)展。隨著新的復(fù)雜波形如WiMAX添加到混合信號上，多頻帶的切換問題變得更加突出。目前在全球大規(guī)模興建的3G網(wǎng)絡(luò)可提供包括數(shù)據(jù)和點播視頻在內(nèi)的多種業(yè)務(wù)，網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展對手機設(shè)計師提出了新的挑戰(zhàn)。無線技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使得手機可以使用7種不同的無線標準(頻帶)，包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見表1)。每種標準自身均具有獨特的特性和限制，并因此產(chǎn)生了自
- 關(guān)鍵字： 0609_A MEMS RF RF專題 消費電子 雜志_專題 消費電子
ADI推出兩款新型高集成度RF收發(fā)器
- ADI公司用于WiMAX終端的高集成度RF收發(fā)器推動寬帶無線接入的部署 ——兩款新型直接變頻收發(fā)器提供高集成度和優(yōu)異的RF性能 使低成本W(wǎng)iMAX終端具有擴展的覆蓋范圍和改進的服務(wù)質(zhì)量。 美國模擬器件公司10月10～12日在美國波士頓WiMAX世界峰會上展示了兩款用于全球微波接入互通（WiMAX）終端的射頻 （RF）收發(fā)器，它們將有助于降低成本，推動寬帶無線接入的大規(guī)模部署。基于IEE 802.16標準，WiMAX終端提供無線寬帶連接，是諸如DSL和
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