qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

群聯(lián)發(fā)布最高容量的QLC閃存硬盤(pán)：15.36TB、掀翻HDD

HDD硬盤(pán)的出貨量不斷下滑，現(xiàn)在大容量方面也要遇到SSD的挑戰(zhàn)了——群聯(lián)今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。群聯(lián)的S12DC方案不追求極致性能，基于此的SRE250硬盤(pán)使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，連續(xù)讀取為530MB/s，連續(xù)寫(xiě)入為220MB/s，4K隨機(jī)讀取90K IOPS，4K隨機(jī)寫(xiě)入10K IOPS，功耗4.5W。這個(gè)QLC硬盤(pán)的性
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存首次公開(kāi)亮相

Q3季度閃存價(jià)格又要跌10%，今年6大原廠將會(huì)把重點(diǎn)轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來(lái)。國(guó)產(chǎn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)也趕上來(lái)了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國(guó)電子信息博覽會(huì)首次亮相。長(zhǎng)江存儲(chǔ)這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國(guó)內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，單位面積的存儲(chǔ)密度是同類(lèi)產(chǎn)品中最大的。目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存，已經(jīng)隨光威、國(guó)科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤(pán)上市。長(zhǎng)江存儲(chǔ)展示的另一個(gè)重點(diǎn)是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
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第八屆中國(guó)電子信息博覽前瞻！這些亮點(diǎn)不容錯(cuò)過(guò)！

寂半年之后，無(wú)論是業(yè)內(nèi)人士還是廣大消費(fèi)者，都渴望換換環(huán)境、出去走走，在深圳會(huì)展中心看一場(chǎng)科技盛宴再適合不過(guò)。8K智慧屏、5G芯片、機(jī)器人、新能源汽車(chē)，還有會(huì)跳舞的機(jī)器人，這些來(lái)自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng)新成果都將出現(xiàn)在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側(cè)重世界科技創(chuàng)新合作，也更聚焦于時(shí)代風(fēng)口下的“科技”之爭(zhēng)，注重科技與生活的結(jié)合。對(duì)于即將到來(lái)的CITE2020，面對(duì)那些不勝枚舉的震撼現(xiàn)場(chǎng)，你準(zhǔn)備好了嗎？搭建電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈展示、交流平臺(tái)！作為中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的窗口和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo),第八
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Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級(jí)NVMe?固態(tài)硬盤(pán)控制器

隨著數(shù)據(jù)中心支持的人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）工作負(fù)載越來(lái)越多，市場(chǎng)需要具備更寬存儲(chǔ)帶寬和更高單機(jī)架存儲(chǔ)密度的云級(jí)別基礎(chǔ)設(shè)施。因此，市場(chǎng)的趨勢(shì)是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)工業(yè)協(xié)會(huì)（SINA）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲(chǔ)器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤(pán)。這些固態(tài)硬盤(pán)要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)，能驅(qū)動(dòng)NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時(shí)保持這種企業(yè)級(jí)NVMe固態(tài)硬盤(pán)所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
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研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球NAND閃存銷(xiāo)售額今年增至560億美元同比大增27%

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，銷(xiāo)售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)率將達(dá)到27.2%，銷(xiāo)售額將達(dá)到560.07億美元。從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來(lái)看，在集成電路的33個(gè)產(chǎn)品類(lèi)別中，NAND閃存今年銷(xiāo)售額的同比增長(zhǎng)率，將是最高的，是增長(zhǎng)最明顯的一類(lèi)。就預(yù)期的銷(xiāo)售金額而言，NAND閃存依舊會(huì)是集成電路中的第二大細(xì)分市場(chǎng)，僅次于DRAM，后者的銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)中，在全球集成電路市場(chǎng)，NAND閃存今年的銷(xiāo)售額將占到15.2%，僅次于
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門(mén)總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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游戲新機(jī)上市填補(bǔ)云端需求空缺三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限

根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查，盡管消費(fèi)性產(chǎn)品及智能型手機(jī)受到疫情沖擊導(dǎo)致需求下降，但云端服務(wù)、遠(yuǎn)距教學(xué)的需求也同步催生，加上部份客戶因擔(dān)憂供應(yīng)鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場(chǎng)在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機(jī)、消費(fèi)性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場(chǎng)較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當(dāng)前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻，初步觀察因新款游戲機(jī)的年底上市計(jì)劃不變，首次轉(zhuǎn)進(jìn)SSD的
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國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世武漢基地二期開(kāi)工

4年前的2016年，國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開(kāi)工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開(kāi)工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
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三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子日前表示，計(jì)劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國(guó)平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開(kāi)始，預(yù)計(jì)2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專(zhuān)注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開(kāi)始建設(shè)，預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國(guó)將擁有7條
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集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%，達(dá)136億美元。延續(xù)去年第四季開(kāi)始的數(shù)據(jù)中心強(qiáng)勁采購(gòu)力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應(yīng)求。此外，自年初起，各供應(yīng)商當(dāng)時(shí)的庫(kù)存水位多已恢復(fù)至正常，也帶動(dòng)主要產(chǎn)品合約價(jià)呈現(xiàn)上漲。隨后在農(nóng)歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據(jù)集邦咨詢當(dāng)時(shí)的調(diào)查，服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機(jī)，也因此對(duì)于數(shù)據(jù)中心需求
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集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，第一季NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%，達(dá)136億美元。
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美光推出性能型和經(jīng)濟(jì)型客戶端 NVMe? SSD 新品，搭載業(yè)界領(lǐng)先的容量和 QLC NAND 技術(shù)

新聞要點(diǎn)●? ?全新的性能型和經(jīng)濟(jì)型 SSD 的靈活選擇滿足了從輕薄筆記本到高性能工作站客戶端PC系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求；●? ?M.2 外形規(guī)格的美光 2300 SSD 采用美光創(chuàng)新的 96 層 3D NAND 技術(shù)，具備行業(yè)領(lǐng)先的 2TB 容量[1]；●? ?美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性價(jià)比；與機(jī)械硬盤(pán)相比，采用了美光 QLC 架構(gòu)的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Techn
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英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲(chǔ)器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開(kāi)始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，英特爾的快閃存儲(chǔ)器部門(mén)最近公布了發(fā)展藍(lán)圖，在目前其他各家NAND快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)商都已經(jīng)開(kāi)始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計(jì)在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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Intel SSD將全面轉(zhuǎn)向144層3D QLC閃存：PLC研發(fā)中

在QLC閃存的商用上，Intel和曾經(jīng)的親密戰(zhàn)友美光（英睿達(dá)）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道開(kāi)賣(mài)了很長(zhǎng)一段時(shí)間。日前，Intel非易失性存儲(chǔ)解決方案負(fù)責(zé)人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出貨量超1000萬(wàn)。她同時(shí)公布，基于144層3D QLC閃存（內(nèi)部命名為Arbordale Plus技術(shù)，家族第四代閃存）的SSD（代號(hào)Keystone Harbor）會(huì)在今年底出貨，Intel準(zhǔn)備在2021年內(nèi)將整個(gè)SSD產(chǎn)品線都遷移到144層閃存芯片上。不僅如此，Intel確認(rèn)，容量密度更高
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