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        XP Power推出低功率絕緣隔離DC/DC轉換器JHM系列
        
                                                            
          
                    	
        • 　　XP Power 正式宣布推出超緊湊低功率絕緣隔離DC/DC 轉換器JHM系列。該系列可選3W和6W的插件式安裝，封裝符合工業(yè)DIP-24引腳標準，并且符合國際醫(yī)療設備需要滿足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安規(guī)認證。該產品提供3000VAC輸入至輸出絕緣一分鐘，可滿足BF和CF應用所需要的次級絕緣要求，5000VAC絕緣可達10毫秒，可滿足心臟手術設備應用。任何病人需要接觸到的醫(yī)療器械都需要提供危險電壓的絕緣保護并且到達到低漏電流的標準。JHM系列漏電流僅
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        • 關鍵字：
                        XP-Power  DC/DC  轉換器  JHM                          
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        ARM發(fā)布45納米SOI測試結果，最高節(jié)能40%
        
                                                            
          
                    	
        • 　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應工藝的可行技術。
　
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        • 關鍵字：
                        ARM  45納米  SOI                          
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        ARM制成45nm SOI測試芯片 功耗降低40%
        
                                                            
          
                    	
        • 　　據(jù)ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。
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        • 關鍵字：
                        ARM  45nm  SOI  測試芯片                          
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        GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數(shù)水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設備。
　　據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進入正式量產階段，在32nm制程方面他們顯然又領先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
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        • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  32nm  SOI                          
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        “PAC 2009 China”金秋十月北京登場
        
                                                            
          
                    	
        • 　　由Power.org 主辦的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛會將再次回到中國，大會將于10月14日在北京·柏悅酒店召開。會議將聚焦多用途的Power架構技術平臺以及它繁茂而充滿生機的生態(tài)系統(tǒng)。 本次大會將亮相基于Power 架構的最新產品和解決方案以及來自Power.org的倡議，會議組織方還邀請了業(yè)界頂尖的專家做主題演講并展開討論和交流。
　　當今世界日新月異，根據(jù)需求不斷創(chuàng)新已經(jīng)成為時代發(fā)展的必然。Power Architecture
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        • 關鍵字：
                        Freescale  機頂盒  Power Architecture                          
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        Soitec第一季度銷售額環(huán)比增長22.3%
        
                                                            
          
                    	
        • 　　法國SOI技術公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷售額為4390萬歐元(約合6190萬美元)，環(huán)比增長22.3%，同比減少27.2%。
　　6月，Soitec在收到了主要客戶的急單之后，大幅上調了第一財季的預期，預測第一季度銷售額環(huán)比增長20%。
　　第一季度，Soitec稱晶圓銷售收入為4110萬歐元(約合5790萬美元)，環(huán)比增長30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環(huán)比增長35%。
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        • 關鍵字：
                        SOI  晶圓                          
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        NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產品
        
                                                            
          
                    	
        • 　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術于一體，可在各種嚴苛應用條件下
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        • 關鍵字：
                        NXP  MOSFET  PSMN1R2-25YL  Power-SO8                          
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        Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業(yè)務、設計服務團隊之后，這次延攬建廠、廠務人才并將目標鎖定半導體設備商，Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設備龍頭應用材料(Applied Materials)服務事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設備系統(tǒng)與IBM技術平臺。
　　Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
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        • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  晶圓  半導體設備  SOI                          
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        Global Foundries志在英特爾　臺廠不是主要對手
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Global Foundries制造系統(tǒng)與技術副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術，未來將持續(xù)延攬來自各界半導體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實對準英特爾(Intel)。
　　競爭對手臺積電45/40
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        • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  40納米  晶圓代工  SOI                          
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        英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊
        
                                                            
          
                    	
        • 　　新聞事件：
　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
　　事件影響：
　　將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場
　　LS預計于2010年1月在天安市的生產基地開始量產CIPOS模塊
　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產與行銷。
　　合
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        • 關鍵字：
                        英飛凌  IGBT  CIPOS  射極控制二極管技術  SOI                          
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        新型部分耗盡SOI器件體接觸結構
        
                                                            
          
                    	
        • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構，該方法利用局部SIMOX技術在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結擴散，形成體接觸的側面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明，該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結構可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。
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        • 關鍵字：
                        SOI  器件                            
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        新型節(jié)能照明電源的控制技術(07-100)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　用于建筑照明方面的電力管理解決辦法，如電感熒光燈，電子熒光燈，緊湊型熒光燈(CFL)，鹵素燈控制集成電路以及高壓氣體放電燈(H1D)技術等, 用于范圍寬廣的居民區(qū)、商業(yè)和汽車中，減少了它們所需要的電力,在節(jié)能方面向前邁進了巨大的一步。其控制集成電路中的自適應控制技術和高電壓半導體結隔離技術是其中的一部分,獲得了廣泛應用。
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        • 關鍵字：
                        The control technology of new illuminate power                          
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        Power 推出IC系列新品LNK632DG器件
        
                                                            
          
                    	
        •         Power Integrations為LinkSwitch-II初級側控制離線式開關IC系列再添新品

　　用于高能效功率轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司宣布推出LNK632DG器件，為其廣受歡迎的LinkSwitch-II產品系列再添新品。新器件針對最高輸出功率3.1 W的電源應用而設計，使制造商能夠滿足包括能源之星&acirc; EPS v2.0在內的全球所有的低功率
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        • 關鍵字：
                        Power  IC  離線式                          
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        ST展示綠色電源理念，太陽能LED街燈吸引眼球
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • ST（意法半導體）于2月26至27日亮相深圳IIC-China 2009，集中演示基于“Green Power”理念的系列節(jié)能產品及解決方案。三十余款產品的現(xiàn)場演示展示意法半導業(yè)界最領先的電源管理解決方案，體現(xiàn)意法半導體致力于幫助客戶減少環(huán)境影響的承諾。 
照片1 ST展位
其中，太陽能發(fā)光二極管（Solar LED）街燈格外引人注目，該產品是是意法半導體大中國區(qū)多元市場技術應用中心研發(fā)的獨特解決方案，據(jù)該中心的高級應用工程師史建忠介紹說，該方案由兩個模塊構成：一個85W太陽能
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        • 關鍵字：
                        ST  IIC  Green Power  電源管理                          
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        IMEC加入SOI聯(lián)盟
        
                                                            
          
                    	
        •         據(jù)EE Times網(wǎng)站報道，旨在推進SOI晶圓應用的產業(yè)組織SOI聯(lián)盟（SOI Consortium）宣布，比利時研究機構IMEC已加入?yún)f(xié)會作為學術會員。
        IMEC是一家獨立的納電子研究中心，已在SOI技術領域積極開展研究超過20年。IMEC開展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個節(jié)點。IMEC不僅研究SOI相關的器件原
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        • 關鍵字：
                        SOI  晶圓  IMEC                          
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