nor flash 文章 進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)
美系兩大廠商淡出NOR Flash市場(chǎng) NOR芯片缺貨無解
- 繼美光后，全球第二大編碼型快閃存儲(chǔ)器(NOR Flash)制造廠賽普拉斯(Cypress)也在法說會(huì)上，將淡出中低容量的NOR Flash市場(chǎng)，專注高容量的車用和工規(guī)領(lǐng)域的消息，加上蘋果明年新手機(jī)全數(shù)導(dǎo)入有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板，同步得搭載NOR芯片維持手機(jī)色彩飽和度，明年缺口持續(xù)擴(kuò)大。 存儲(chǔ)器業(yè)者透露，美系兩大廠商淡出NOR Flash，讓今年NOR芯片缺貨無解，更因硅晶圓廠優(yōu)先供貨給邏輯芯片廠和DRAM和3D NAND Flash廠，增產(chǎn)數(shù)量受阻，明年更將陷入史上最大缺貨潮，臺(tái)灣地區(qū)廠
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麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底
- 據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。 整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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蘋果入局加劇NOR芯片缺貨 預(yù)估今年漲幅60%
- 蘋果新手機(jī)iPhone 8將導(dǎo)入采用編碼型快閃存儲(chǔ)(NOR Flash)，已讓NOR芯片缺貨更為嚴(yán)重。存儲(chǔ)業(yè)者透露，今年NOR芯片供給缺口將擴(kuò)大至20%，主要供應(yīng)大廠賽普拉斯(Cypress)也正式發(fā)出漲價(jià)通知，業(yè)者估計(jì)今年漲幅可能擴(kuò)大至逾60%。 業(yè)者預(yù)期，會(huì)有更多廠商來臺(tái)搶貨，臺(tái)廠相關(guān)供應(yīng)商包括旺宏、華邦電及晶豪科等，也樂見睽違4年多難得一見的榮景，將同步調(diào)漲售價(jià)，且估計(jì)第2季漲幅將逾20%之高。 存儲(chǔ)通路商透露，去年下半年以來，市場(chǎng)焦點(diǎn)一直以DRAM和儲(chǔ)存型快閃存
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手機(jī)用OLED面板滲透率提升，加速2017年NOR Flash價(jià)格漲勢(shì)
- 日前，根據(jù)平面媒體的報(bào)導(dǎo)，由于記憶體大廠美光科技(Micron)計(jì)劃處分旗下編碼型快閃記憶體(NOR Flash)事業(yè)，將導(dǎo)致供應(yīng)鏈大洗牌，如此造成包括美系音響大廠，以及歐系車用系統(tǒng)大廠都來臺(tái)搶產(chǎn)能的情況，使得 NOR Flash 預(yù)計(jì) 2017 年上半年漲幅將超過 30%。而根據(jù)科技新報(bào)所掌握到的獨(dú)家消息，目前 NOR Flash 缺貨的情況，還包括南韓三星電子用于 AMOLED 的色彩控制上，一年估計(jì)要超過 4.8 億顆的需求，更是拉抬 NOR Flash 在 2017 年的漲勢(shì)。 &nbs
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美光出售NOR芯片業(yè)務(wù) 兆易華邦接手可能性大
- 全球存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)整并潮持續(xù)進(jìn)行，美光科技將退出NOR Flash業(yè)務(wù)，計(jì)劃出售旗下NOR芯片業(yè)務(wù)，正尋求相關(guān)買家，全力沖刺DRAM及3D NAND Flash，傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手。 美光當(dāng)初并入此芯片事業(yè)花12億美元，以目前內(nèi)存市況持續(xù)加溫來看，要以多少價(jià)格出售，有待觀察。 半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)人士透露，美光已和多家廠商接洽，主因美光認(rèn)為NOR芯片業(yè)務(wù)在該公司營(yíng)收占比不高，產(chǎn)能也不具經(jīng)濟(jì)效益，且近年全力聚焦在DRAM和NAND兩大內(nèi)存的效益整合，因而計(jì)劃出售NOR芯片業(yè)務(wù)，戰(zhàn)力集中在提升D
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賽普拉斯FL-L NOR 閃存系列迎來新成員，為汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高安全性、可靠性和性能
- 全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其配備四串行外設(shè)接口(Quad?SPI)的NOR閃存系列新增64Mb和128Mb產(chǎn)品。全新的兩款FL-L?NOR閃存可為那些在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)運(yùn)行并需要存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)的嵌入式系統(tǒng)提供最高可靠性和安全性。該系列閃存產(chǎn)品具備低功耗和AEC-Q100汽車認(rèn)證，并且能夠在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)提供更高的讀帶寬和更快的編程速度。借助小巧、統(tǒng)一的4KB物理存儲(chǔ)單元，該系列閃存產(chǎn)品能夠以最佳方式存儲(chǔ)程序代碼和參數(shù)數(shù)據(jù)，是高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)、汽
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大陸韓國(guó)擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩
- 儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)(NANDFlash)軍備競(jìng)賽再起，南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠，也預(yù)定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。 目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲(chǔ)廠，在中國(guó)大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數(shù)。 稍早三星和美光也都
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為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 SK海力士曾在20
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Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛
- 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！ ?nbsp; 1、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫 例如，在有對(duì)Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對(duì)以上情況，可以在程序中設(shè)置多個(gè)允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫入或擦除操作時(shí)，對(duì)
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第四季各?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾
Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢樹
- NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長(zhǎng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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nor flash介紹
NOR Flash存儲(chǔ)器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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