nano nor flash 文章 進(jìn)入nano nor flash技術(shù)社區(qū)
關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom
- FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
- 關(guān)鍵字： 單片機(jī) flash eeprom
NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解
- 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
- 關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh
DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)
- 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
- 關(guān)鍵字： 硬件設(shè)計(jì) FlaSh DSP
如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
- 關(guān)鍵字： 燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash
探秘DLP NIRscan Nano評(píng)估模塊
- 作為工程師和開發(fā)人員，我們的工作就是找到一個(gè)將所有元件組合在一起的最佳方法。不管是對(duì)于摩天大樓、還是集成電路，內(nèi)部工程結(jié)構(gòu)都是決定是否能夠運(yùn)轉(zhuǎn)良好的關(guān)鍵之一。但說回來，又有誰不曾幻想做個(gè)“破壞王”，把東西都拆開來一探究竟呢?我們最初的與工程設(shè)計(jì)有關(guān)的記憶大部分都來自小時(shí)候把看起來復(fù)雜——甚至是昂貴——的東西拆得七零八落。 既然如此，我們就打算看一看DLP NIRscan Nano評(píng)估模塊(EVM)的內(nèi)部構(gòu)造，我們將用老辦法&
- 關(guān)鍵字： DLP NIRscan Nano
東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進(jìn)行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
- 關(guān)鍵字： 東芝 Flash
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