nand 文章 進入nand技術(shù)社區(qū)
NAND Flash下半年將出現(xiàn)供不應求現(xiàn)象
- 根據(jù)內(nèi)存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告,七月上旬NAND Flash合約價出爐;SLC市場供給吃緊、合約價大漲,平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察,整體NAND Flash需求將在本季超過供給,下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應求。 在MLC部分,集邦表示,因供貨商持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往8Gb以上的產(chǎn)品,另外加上iPhone題材所帶來的預期心理,4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%,高容量MLC也順勢漲了
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Nand Flash合約價大漲 模塊廠樂透
- 集邦科技最新報告指出,伴隨需求持穩(wěn)放大,加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡,NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象,七月上旬NANDFLASH合約報價,SLC大漲15%至30%之多%。集邦認為,依照當前掌握數(shù)據(jù)觀察,整體NAND Flash需求將在第三季超過供給,下半年NAND Flash將供不應求,第三季、第四季供給缺口各約0.3%、1.5%。 模塊廠勁永指出,F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌,因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響,五月份下旬價格才開始緩步
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美光對NAND Flash發(fā)布警告
- 全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示,目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當快速且先進,但微影技術(shù)無法跟上NAND Flash廠發(fā)展,尤其令人感到驚訝的是,微影設備商技術(shù)竟遠落后NAND Flash大廠數(shù)年,幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展,還必須領(lǐng)先微影設備商,自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。 近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠,加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅
- 根據(jù)國外媒體報導, NAND閃存市場上的競爭業(yè)者,包括Hynix、IM Flash與Toshiba等,最近都悄悄增加產(chǎn)量,并且準備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭,也在準備因應市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應用,例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能,采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動作頻仍,市場領(lǐng)導供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件,第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家
- NAND閃存產(chǎn)業(yè)風水輪流轉(zhuǎn),變化相當快速,原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓(Kingston)苦苦追趕,飽受價格大跌之苦,然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后,SanDisk成為了閃存存儲卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓,到終端成品制造一條鞭掌握的模式,在缺貨時期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價格大跌、終端需求疲弱不振的影響,財報出現(xiàn)了赤字,SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元,每股剛好損益平衡,第二季度受到了NAND閃
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”
- 根據(jù)iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的,并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失,該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟學101法則 需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應,市況惡劣的主要原因在于NAND供
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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