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力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元
- “經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫(huà)」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計(jì)畫(huà);而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來(lái)力晶
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鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)
- 鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb，寫(xiě)入壽命達(dá)3萬(wàn)次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb，寫(xiě)入壽命同樣為3萬(wàn)次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 鎂光這次開(kāi)發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。 鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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市場(chǎng)供貨吃緊，NAND閃存合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)
- 研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶(hù)10月到11月的旺季長(zhǎng)單，同時(shí)近期記憶卡客戶(hù)的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場(chǎng)供貨吃緊，在賣(mài)方主導(dǎo)市場(chǎng)下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)地上揚(yáng)。 16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢(shì)圖 集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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NAND Flash缺翻天 三星推品牌記憶卡與民爭(zhēng)食？
- 2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對(duì)飽受缺貨之苦的存儲(chǔ)器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來(lái)?yè)屖晨蛻?hù)飯碗，到底葫蘆里是賣(mài)什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對(duì)立場(chǎng)的大客戶(hù)創(chuàng)見(jiàn)，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來(lái)龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說(shuō)三星2009年真的是新人事、新作風(fēng)，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 與三星做生意的客戶(hù)都知道，2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜 模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫(xiě)新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月?tīng)I(yíng)收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任，營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷(xiāo)售DRAM芯片，一律只銷(xiāo)售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng)，減少與現(xiàn)貨客戶(hù)合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。 存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜 模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫(xiě)新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月?tīng)I(yíng)收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動(dòng)SSD增長(zhǎng)六倍
- 據(jù)iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格飛漲而受挫，但企業(yè)市場(chǎng)對(duì)彌補(bǔ)上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余，從而推動(dòng)今年整體SSD 市場(chǎng)的營(yíng)業(yè)收入將增長(zhǎng)六倍。 第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價(jià)格跳漲，使其與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)相比缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價(jià)值的90%。然而，對(duì)于尋求擴(kuò)展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，SSD 仍然是一個(gè)具有吸引力的選擇。 由于企業(yè)
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IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲
- 分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。 IC Insights總裁Bill McClean稱(chēng)，今年半導(dǎo)體資本支出在銷(xiāo)售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后，對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。 “我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說(shuō)道，“我們從來(lái)沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。” 資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
- 據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開(kāi)始采用20nm級(jí)別制程來(lái)量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬(wàn)片的產(chǎn)能水平。 東芝公司最近已經(jīng)開(kāi)始32nm制程3bpc(每存儲(chǔ)單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計(jì)劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右，不過(guò)按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來(lái)已經(jīng)會(huì)有所拖延。 另一方面，對(duì)手In
- 關(guān)鍵字： SanDisk 20nm NAND 閃存芯片
NAND Flash缺貨潮11月前無(wú)解 大廠產(chǎn)能全被包下
- 蘋(píng)果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊，預(yù)計(jì)在2009年11月底之前，缺貨情況仍無(wú)解。現(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋(píng)果包下來(lái)，另外存儲(chǔ)器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長(zhǎng)期合作伙伴，顯示未來(lái)全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少，缺貨潮將延燒到11月。 存儲(chǔ)器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 存儲(chǔ)器
DRAM廠和模塊廠誤判情勢(shì) DDR2供貨吃緊
- 2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢(shì)如虹的DDR3氣勢(shì)，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場(chǎng)意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢(shì)，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫(kù)存過(guò)低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問(wèn)題將更明顯浮上臺(tái)面，且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。 近期市場(chǎng)傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
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手機(jī)內(nèi)建NAND Flash風(fēng)潮
- 手機(jī)搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費(fèi)者對(duì)于利用手機(jī)下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對(duì)于記憶體容量的需求更是越來(lái)越高。 過(guò)去只流行數(shù)位相片的時(shí)代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當(dāng)夠用，但數(shù)位影片的風(fēng)氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無(wú)法滿足消費(fèi)者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內(nèi)建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開(kāi)始發(fā)酵，從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。
- 關(guān)鍵字： Samung NAND 智能手機(jī)
全球IC市場(chǎng)V形反彈已啟動(dòng) 增長(zhǎng)勢(shì)頭將延續(xù)至2011年
- 市場(chǎng)研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷(xiāo)售額和出貨量分別增長(zhǎng)98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)也十分健康，這說(shuō)明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月，IC市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷(xiāo)售額分別增長(zhǎng)61%、57%和50%。 爆炸式的增長(zhǎng)率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場(chǎng)業(yè)績(jī)達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。 “IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的，而是V形增長(zhǎng)，目前上升周期已經(jīng)開(kāi)始。”IC Insights分析師
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND MPU 模擬電路
三星NAND Flash供貨臺(tái)廠銳減50%
- 近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺(tái)系存儲(chǔ)器模塊廠，9月對(duì)于臺(tái)廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲(chǔ)器模塊廠大老板緊急前往韓國(guó)調(diào)貨;無(wú)獨(dú)有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶(hù)無(wú)貨可供應(yīng)，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴(yán)重不足。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，主要是蘋(píng)果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機(jī)大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費(fèi)性大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND iPhone iPod
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
nand電路
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