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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

        美光對NAND Flash發(fā)布警告

        •    全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示,目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當快速且先進,但微影技術(shù)無法跟上NAND Flash廠發(fā)展,尤其令人感到驚訝的是,微影設(shè)備商技術(shù)竟遠落后NAND Flash大廠數(shù)年,幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展,還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商,自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。   近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠,加上NAND&
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        NAND閃存供貨商搶食大餅

        • 根據(jù)國外媒體報導, NAND閃存市場上的競爭業(yè)者,包括Hynix、IM Flash與Toshiba等,最近都悄悄增加產(chǎn)量,并且準備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭,也在準備因應市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應用,例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能,采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動作頻仍,市場領(lǐng)導供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件,第二大供貨商 Toshi
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        SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家

        • NAND閃存產(chǎn)業(yè)風水輪流轉(zhuǎn),變化相當快速,原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓(Kingston)苦苦追趕,飽受價格大跌之苦,然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后,SanDisk成為了閃存存儲卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓,到終端成品制造一條鞭掌握的模式,在缺貨時期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價格大跌、終端需求疲弱不振的影響,財報出現(xiàn)了赤字,SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元,每股剛好損益平衡,第二季度受到了NAND閃
        • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  存儲器  

        NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”

        • 根據(jù)iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的,并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失,該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟學101法則 需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應,市況惡劣的主要原因在于NAND供
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        NAND近期市場形勢升級為“中性”

        • 對于受嚴重價格侵蝕打擊近六個月之久的NAND閃存供應商來說,現(xiàn)在有好消息但不是最好的消息:iSuppli公司已經(jīng)更新了近期該市場的形勢評級。 目前,iSuppli將2006年10月2日那一周以來一直保持的NAND供應商市場形勢評級自“負面”升為“中性”。就在兩周前,iSuppli還認為供應商的情況是有史以來最為糟糕的。但是峰回路轉(zhuǎn)—在持續(xù)惡劣條件的情況下,其拐點即將來臨。 iSuppli的NAND動量指標—上周跟蹤各項決定市場狀態(tài)因素的指標向正臨界偏移,該現(xiàn)象是自2006年11月13日那一周后首次出現(xiàn)。
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        NAND市場在一季度遭遇最慘痛經(jīng)歷

        • 一季度NAND閃存市場有多糟糕? 糟糕得驚人! •        全球NAND市場營收下降了6.84億美元,相比2006年第四季度下降了20.6%! •        市場如此糟糕以至于一個被公認為該市場領(lǐng)軍供應商NAND的營收在此期間下降了10.1%! •    &nbs
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        義隆電子上市高速八位 Flash MCU產(chǎn)品

        • 因應市場的需求,義隆電子近期推出八位Flash MCU的產(chǎn)品—編號 EM77F900 。這顆IC是一款速度高達40MIPS的八位單片機,在高速控制的應用領(lǐng)域可以讓您使用時得心應手,同時,可以廣泛的應用于二維條形碼閱讀(2D Bar code reader)、游戲鼠標(Gaming mouse)、高速傳輸器(Dongle)、指紋辨識、移動檢測(Motion detect)、USB audio、無線傳輸?shù)阮I(lǐng)域。 義隆電子
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        受三星停電事件影響 NAND價格上漲15-25%

        •     根據(jù)集邦科技資料,8月上旬NAND型閃存價格受韓國三星停電事件影響,平均上漲約15-25%。集邦分析師指出,由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場供貨不足,預估8月下旬價格將持平或小漲。     據(jù)港臺媒體報道,三星半導體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件,使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響,但三星已宣布于8月4日下午恢復到正常生產(chǎn)狀況,根據(jù)該公司初步估計損失約4300萬美元。  &
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        Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計平臺上預先驗證

        • 北京,2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布,其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機參考設(shè)計平臺上的預先驗證。MediaTek總部位于臺灣,是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導體芯片設(shè)計公司之一。在MediaTek參考設(shè)計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預先驗證,將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C更快地推向中國及其它高速增長市場。 在未來幾年內(nèi),中國將成為推動新型手機發(fā)
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        NAND閃存芯片吃緊 加劇行業(yè)整合態(tài)勢

        •     隨著NAND閃存芯片需求的增加,內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應,NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合,業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場中退出。   今年前一段時間NAND閃存芯片價格出現(xiàn)了下滑,現(xiàn)在價格又開始了回升,可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來,因為并非所有的內(nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應,特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。   現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務,這也是不得已而為之,由
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        TMS320VC55X系列DSP的FLASH引導方法*

        • 摘要: 本文以實際系統(tǒng)開發(fā)基礎(chǔ)為背景,闡述了TMS320C55X系列DSP對FLASH在線燒寫的方法,給出了系統(tǒng)的硬件連接示意圖和完整的燒寫程序,并研究了自舉引導的實現(xiàn)方法以及大程序的二次引導方法。關(guān)鍵詞: TMS320C55X;FLASH;Bootloader;燒寫;二次引導 引言隨著數(shù)字信號處理技術(shù)的快速發(fā)展,DSP被廣泛的應用到各種數(shù)字信號處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運行,必須將程序代碼存儲在非易失性存儲器中。FLASH存儲器以其大容量和可在線編程等特點已成為DSP
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        中芯國際切入NAND閃存市場

        •     在iPhone的帶動下,NAND閃存市場近期一片大好,國內(nèi)的晶元代工大廠中芯國際也抵制不住NAND閃存市場的誘惑,在近期宣布,下半年將開始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā),預計明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應廠之一。      受到今年Q2內(nèi)存價格崩盤以及0.13微米制程代工競爭激烈影響,國內(nèi)晶元代工大廠中芯國籍Q2營收出現(xiàn)約200萬美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
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        微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標準NAND閃存接口

        • 5月31日消息,美國當?shù)貢r間5月30日,微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系,開發(fā)面向PC的標準NAND閃存接口。 據(jù)techspot網(wǎng)站報道稱,名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導成立的,旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能,例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。  該組織希望能夠加速其標準的普及,從而使其優(yōu)勢得到真正的體驗。英特爾或其它廠商是否會將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知,但從該組
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        美國美光科技:NAND閃存的未來在SSD

        • 作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference(WinHEC)的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(Technical Session)。該公司 Memory Products Group 的首席應用工程師(D
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        NAND Flash和NOR Flash的比較

        •   NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。   相“flash存儲器”經(jīng)??梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因
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        nand-flash介紹

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