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nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

IHS公布二季度半導(dǎo)體銷(xiāo)售排行榜：三星又當(dāng)?shù)谝?/a>

　　由于持續(xù)受益于存儲(chǔ)器芯片熱潮，韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體銷(xiāo)售龍頭地位，再度超越其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——英特爾(Intel)。　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Markit的統(tǒng)計(jì)，三星在今年第二季全球芯片市場(chǎng)占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)市場(chǎng)顯著降溫，英特爾已自本季開(kāi)始縮小與三星的差距，其季成長(zhǎng)較三星更高3%?！　∫园雽?dǎo)體銷(xiāo)售額來(lái)看，三星在第二季的銷(xiāo)售額為192億美元，較第一季成長(zhǎng)3.4%，并較2017年第二季成長(zhǎng)了33.7

關(guān)鍵字：三星 NAND 英特爾

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法

　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND FLASH的讀寫(xiě)操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法?！　?. VDNF2T16VP193EE4V25簡(jiǎn)介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠?，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：　　其主要特性如下：　　? 總?cè)萘?/li>
關(guān)鍵字： NAND NIOS II FPGA

全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國(guó)大陸無(wú)一上榜

　　8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過(guò)遺憾的是，中國(guó)大陸暫時(shí)沒(méi)有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺(tái)積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長(zhǎng)，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
關(guān)鍵字： DRAM NAND

DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)知多少？

數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了D
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計(jì) FlaSh DSP

IC Insights預(yù)測(cè)：全球IC增長(zhǎng)和全球GDP增長(zhǎng)關(guān)聯(lián)日益密切

　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測(cè)，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測(cè)?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi)，全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
關(guān)鍵字： DRAM NAND

NAND閃存價(jià)格還要連跌10% 512GB SSD未來(lái)兩年將成主流

　　NAND閃存價(jià)格2018年以來(lái)一直在降低，大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機(jī)閃存容量也越來(lái)越大了，中高端機(jī)中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價(jià)的趨勢(shì)在下半年還會(huì)繼續(xù)，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)出貨量增長(zhǎng)放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì)下跌10%，不用過(guò)這也加速了大容量SSD硬盤(pán)的普及，未來(lái)2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。　　集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場(chǎng)下半年趨勢(shì)的報(bào)告，認(rèn)為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
關(guān)鍵字： NAND SSD

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫(xiě)
關(guān)鍵字：源代碼 RAM FlaSh

詳解嵌入式中參數(shù)存儲(chǔ)的一種方式

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫(xiě)
關(guān)鍵字：工控 FlaSh 嵌入式

對(duì)STM32的flash進(jìn)行操作的一些要點(diǎn)

說(shuō)到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來(lái)裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來(lái)裝程序，還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLAS
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中國(guó)存儲(chǔ)三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權(quán)

　　今年下半年，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)造成影響?！　《S著中美貿(mào)易局勢(shì)的緊張，以及中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對(duì)三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。　　目前，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專(zhuān)注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)?！　〗趥鞒龊戏书L(zhǎng)鑫投產(chǎn)8
關(guān)鍵字： NAND DRAM

三星150億美元擴(kuò)大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價(jià)

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計(jì)高達(dá)150億美元，這主要用于擴(kuò)大韓國(guó)平澤工廠以及中國(guó)西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報(bào)道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來(lái)SSD的繼續(xù)降價(jià)是基本沒(méi)懸念的事。　　全球NAND閃存市場(chǎng)份額中，三星排名第一，占有率達(dá)到37%，其一舉一動(dòng)直接影響整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴(kuò)大產(chǎn)能，也勢(shì)必讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手采用同樣的策略?！　∮袌?bào)道稱(chēng)，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
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NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

　　近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來(lái)的最大增幅。　　其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅(qū)動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲(chǔ)存容量增加，從而實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
關(guān)鍵字： NAND CAPEX

美光科技就中國(guó)福建省專(zhuān)利訴訟案件的聲明

　　美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國(guó)福建省福州市中級(jí)人民法院于今日通知美光科技的兩家中國(guó)子公司，針對(duì)聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晉華”)提起專(zhuān)利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專(zhuān)利侵權(quán)訴訟，實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺(tái)灣檢察機(jī)關(guān)針對(duì)聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對(duì)聯(lián)電和晉華向美國(guó)加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊?guó)子公司在中國(guó)制造、銷(xiāo)
關(guān)鍵字：美光科技 DRAM NAND

2018年Q1全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售達(dá)1158億美元，無(wú)線通訊市場(chǎng)大幅下滑

　　在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場(chǎng)依然創(chuàng)下了有史以來(lái)第二高的季度收入，其中，來(lái)自企業(yè)和消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)的需求最為強(qiáng)勁。　　隨著企業(yè)和儲(chǔ)存市場(chǎng)對(duì)于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲(chǔ)存類(lèi)別增長(zhǎng)率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實(shí)上，對(duì)于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動(dòng)該市場(chǎng)。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲(chǔ)存市場(chǎng)資深總監(jiān)Crai
關(guān)鍵字：無(wú)線通訊 NAND

紫光對(duì)3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨IC中國(guó)峰會(huì)”上，紫光集團(tuán)有限公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)作了“自主可控的中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND 自主可控 201807