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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
臺(tái)模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦 三星陣營(yíng)臺(tái)廠壓力倍增
- 相較于DRAM價(jià)格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對(duì)于拉抬NAND型閃存( Flash)市場(chǎng)不遺余力，然最令客戶頭痛的問(wèn)題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問(wèn)題，釋出給臺(tái)廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營(yíng)的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場(chǎng)低價(jià)策略越來(lái)越積極，這讓與三星電子站在同一陣營(yíng)的臺(tái)廠壓力倍增。 近期三星電子不斷釋出N
- 關(guān)鍵字： Flash NAND 三星 消費(fèi)電子 模塊 消費(fèi)電子
CSR公司推出BlueVOX Flash解決方案
- 全球領(lǐng)先的藍(lán)牙連接及無(wú)線技術(shù)提供商CSR公司（倫敦證券交易所：CSR.L）日前宣布推出BlueVOX Flash解決方案，該解決方案擁有先進(jìn)的軟件功能，適用于高靈活性的低成本耳機(jī)。這款基于BlueCore4-Audio Flash芯片的新型解決方案將高性能、低功耗的藍(lán)牙無(wú)線電與6Mbits片上可編程閃存及全面的軟件開(kāi)發(fā)工具包（SDK）結(jié)合在一起，從而完善了軟件的靈活性。 藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，能否迅速響應(yīng)客戶需求將是決定成敗的關(guān)鍵。CSR公司的BlueVOX Flash包
- 關(guān)鍵字： BlueVOX CSR Flash 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線
DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開(kāi)發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品
- 據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫(kù)存，預(yù)計(jì)DRAM需求將隨之增長(zhǎng)。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績(jī)的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 內(nèi)置產(chǎn)品 消費(fèi)電子 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存
- 東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國(guó)電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場(chǎng)，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開(kāi)始。在這之前，東芝將在本月開(kāi)始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字： NAND 單片機(jī) 東芝 嵌入式系統(tǒng) 閃存
如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中
- 如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中下面是ICCAVR中對(duì)字符串和常數(shù)表格分配可能出現(xiàn)的五種情況: const int table[]={1,2,3};//table表格只分配進(jìn)程序存儲(chǔ)器中 const char string[]="iccavr";//字符串?dāng)?shù)組只分配進(jìn)程序存儲(chǔ)器中const char *prt1 //指針prt1位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間指向程序存儲(chǔ)器空間的字符型數(shù)據(jù) char *const prt2 //指針prt2位于程序存儲(chǔ)器空間指向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間的字符型數(shù)據(jù) const ch
- 關(guān)鍵字： flash ICCAVR
從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)
- 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤(pán)無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存設(shè)備就是為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來(lái)的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動(dòng)，則會(huì)給實(shí)際應(yīng)用帶來(lái)極大的方便。 U-BOOT簡(jiǎn)介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統(tǒng)，主要
- 關(guān)鍵字： NAND U-BOOT 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
愛(ài)特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器
- 愛(ài)特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲(chǔ)容量的ARM7 閃存微控制器 通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器， 能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位 愛(ài)特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
- 關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛(ài)特梅爾 單片機(jī) 工業(yè)控制 嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器 存儲(chǔ)器 工業(yè)控制
適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)
- 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來(lái)越多地在控制類、消費(fèi)類、通訊類等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，并且隨著數(shù)字信號(hào)處理與人機(jī)交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大，數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜，在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與管理是不容回避的問(wèn)題。FLASH存儲(chǔ)器因制造成本低廉、存儲(chǔ)容量大、數(shù)據(jù)非易失、無(wú)機(jī)械故障，在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲(chǔ)器件。然而Flash存儲(chǔ)器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，應(yīng)用中可能會(huì)出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元，這又給應(yīng)用Flash存儲(chǔ)器的嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理增
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Flash 編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)
- 1 引言 閃速存儲(chǔ)器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲(chǔ)器（ROM）使用。 現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題。Flash由于容量大、存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件的首選。由于在研制實(shí)時(shí)信號(hào)處理系統(tǒng)時(shí)，需要一塊大容量的Flash來(lái)存儲(chǔ)坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 1 引言 FLASH（閃速存儲(chǔ)器）作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM（Non-Volatile Memory），根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
- 關(guān)鍵字： FLASH 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 存儲(chǔ)器
Micron35億美金押寶NAND閃存
- 美國(guó)半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。 產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢(shì)地位。 美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營(yíng)業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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