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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

        SSD價格還將要大降價:NAND供應過剩

        • 芯研所7月22日消息,TrendForce集邦咨詢表示,需求未見好轉(zhuǎn),NAND Flash產(chǎn)出及制程轉(zhuǎn)進持續(xù),下半年市場供過于求加劇,包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識,物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應鏈風險。因渠道庫存去化緩慢,客戶拉貨態(tài)度保守,造成庫存問題漫溢至上游供應端,賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預估,由于供需失衡急速惡化,第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%,且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應鏈的說法,雖然仍
        • 關鍵字: NAND  SSD  存儲  

        兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問世

        • 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列,采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝,最大厚度僅為0.4mm,在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi),其功耗、電壓范圍等方面均實現(xiàn)了進一步提升,為消費電子、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著嚴苛需求的應用提供了理想選擇。 如今,隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術的不斷迭代,在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
        • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  SPI NOR Flash  

        累計出貨190億顆!兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三

        • 在國產(chǎn)化Flash閃存領域,NAND閃存的領軍當屬長江存儲,NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?! ?月30日,兆易創(chuàng)新官方宣布,旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過190億顆,其中NOR閃存的市場份額更是排名全球前三?! ≌滓讋?chuàng)新還透露,正在在超低功耗、超小封裝等技術工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品,比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市,可大大縮減系統(tǒng)PCB面積;比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世,可顯著延長電池壽命。  NOR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無線耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
        • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  NOR Flash  

        2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長21%至35億美元

        • Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%,但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元,Nor Flash出貨量增長了33%,平均售價則上漲23%。預計Nor Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。 Nor Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導,市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷售額達10億美元,市占率以35%居冠。華邦電從2011年來,采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品,但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進40納米制程。
        • 關鍵字: 華邦電  旺宏  兆易創(chuàng)新  Nor Flash  

        鎧俠為實現(xiàn)超高容量SSD,正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

        • NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設備的存儲密度,據(jù)外媒報導,近日鎧俠表示,公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數(shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報道,近日鎧俠表示,已設法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc),盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高,存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如,要存儲4位,單元必須保持16個電壓電平 (2^4),但使用6位,該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現(xiàn)的每個單元
        • 關鍵字: SSD  NAND Flash  鎧俠  

        潛力無限的汽車存儲芯片

        •   隨著智能化、電動化浪潮的推進,汽車芯片的含量成倍提升,電動車半導體含量約為燃油車2倍,智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片,2035年增長為1285億顆。價值增量端,2020年汽車芯片價值量為339億美元,2035年為893億美元??梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點,有望成為引領半導體發(fā)展新驅(qū)動力?! ∑囆酒瑥膽铆h(huán)節(jié)可以分為5類:主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等,以存儲芯片為例,2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元,國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
        • 關鍵字: 北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND  

        盈利能力大增,估值較低的存儲龍頭被看好?

        • 5月30日兆易創(chuàng)新宣布,公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過190億顆,年出貨量超過28億顆,目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領域已成為中國第一,全球第三,2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片,兆易創(chuàng)新業(yè)務還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU,在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下,兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長,2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%,歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
        • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  NAND Flash  

        2022年NOR Flash產(chǎn)值將成長21%至35億美元

        • 據(jù)IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數(shù)據(jù)顯示, NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%,但NOR Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元, NOR Flash 出貨量增長了33%,平均售價則上漲23%。機構樂觀預計NOR Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。NOR Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導,市占率共達 91%。該機構指出,去年華邦電NOR Flash銷售額達10億美元,市占率以35%居
        • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  NOR Flash  

        兆易創(chuàng)新:MCU只是個“過渡故事”

        • A股市場向來熱衷炒作預期。投資者樂于為概念買單,愿意給一家公司提前多年的估值。國產(chǎn)半導體設計龍頭兆易創(chuàng)新(SH:603986),就曾是一個被預期打滿的例子。2020年初,兆易創(chuàng)新市值一度突破1200億。然而19年和20年,它才只有25億和38億營收。過度估值的結果就是,當抱團瓦解,兩年之內(nèi)兆易創(chuàng)新股價經(jīng)歷三次大起大落。圖片:兆易創(chuàng)新剛到千億市值,到如今 來源:雪球當下,作為A股閃存設計龍頭的兆易創(chuàng)新,再一次試圖向千億市值發(fā)起了沖擊。這一次,它有什么新故事嗎?01 基本面往事要想看清楚兆易創(chuàng)新的新故事,看清
        • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  NOR Flash  

        2021全球NOR Flash市場:兆易創(chuàng)新銷售額暴增100%,份額升至23.2%

        • 6月21日消息,半導體市場研究機構IC Insights發(fā)布的最新研究報告指出,2021年NOR Flash市場銷售額雖然僅占整個Flash市場的銷售額4%,但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長了33%,同時平均售價也同比上漲了23%,使得NOR Flash總銷售額同比暴漲了63%,達到了29億元。根據(jù)IC Insights的預測, 2022年NOR Flash市場還將繼續(xù)增長 21%,使得總銷售金額達到35億美元的新高,這也將頭部的NOR Flash大廠直接受益。數(shù)據(jù)顯示,華邦電子、旺宏
        • 關鍵字: 華邦電子  旺宏  兆易創(chuàng)新  NOR Flash  

        國際巨頭把控全球存儲市場,國內(nèi)企業(yè)如何破局

        • 根據(jù)斷電之后數(shù)據(jù)是否依舊被保存對半導體存儲器進行劃分,半導體存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類。我們熟知的RAM(隨機存取存儲器)屬于易失性存儲器,其中RAM又可分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)與SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。而ROM(只讀存儲器)和FLASH(閃存)則屬于非易失性存儲器,即斷電之后存儲器中的數(shù)據(jù)仍然能被保存的存儲設備。據(jù)IC Insights預測,2022年、2023年全球存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1804億和2196億美元,市場成長空間廣闊。但在全球的存儲芯片領域,市
        • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  NOR Flash  

        汽車缺芯帶來確定性上漲,智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動兆易創(chuàng)新活力

        • 作為國內(nèi) MCU 產(chǎn)商的領先公司,兆易創(chuàng)新將直接受益于 MCU 國產(chǎn)化,強化其領先地位,擴寬其成長潛力。全球汽車缺芯帶來公司估值的上漲,智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)帶來全新的創(chuàng)新方向,國產(chǎn)化擴寬公司的成長潛力。1. 確定性與創(chuàng)新性是公司估值擴張最有力的保障半導體行業(yè)庫存結構性緊張帶來確定性的估值上漲。半導體存貨緊張引起供應不足,帶來市場的高景氣。汽車電子市場需求旺盛,產(chǎn)業(yè)鏈沖擊的持續(xù)與消費電子等芯片市場產(chǎn)能擠壓共同影響,汽車芯片產(chǎn)能釋放不及時,存貨市場將帶來公司估值確定性擴張。圍繞最具活力的創(chuàng)新性方向擴張其估值。創(chuàng)新
        • 關鍵字: 兆易創(chuàng)新  MCU  NOR Flash  

        中國DRAM和NAND存儲技術和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

        • 近日,韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所(OERI)推算,韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為:DRAM的差距約為 5年,NAND 的差距約為2年。該研究院分析,中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM??紤]到每一代的技術差距為2年-2年半,兩國之間的技術差距超過5年。據(jù)該研究院推測,在NAND閃存領域,中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        長江存儲推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時代存儲升級

        • 近日,長江存儲科技有限責任公司(簡稱“長江存儲”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域,以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場,將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
        • 關鍵字: 長江存儲  3D NAND  

        中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

        • 全球范圍看,2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場規(guī)模約占56%,NAND Flash市場規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據(jù))。另外,根據(jù)CFM 閃存市場預計,2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元,增長29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構的數(shù)據(jù)相近,相差100億美元。目前,全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
        • 關鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND Flash  
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        nand flash介紹

         Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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