mlc nand 文章進入mlc nand技術(shù)社區(qū)

中國半導體市場暢旺東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預估

　　根據(jù)彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務的營收成長，加上撙節(jié)計畫的奏效，日本最大半導體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營業(yè)利益上調(diào) 36%，來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。　　根據(jù)報導，東芝在聲明中表示，除了上調(diào) 2016 年上半年的預期營業(yè)利益之外，還同時微幅上調(diào)了上半年的預期營收，從 2.55 兆日圓上調(diào)至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示
關(guān)鍵字：東芝 NAND

技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設備及消費者的優(yōu)先選擇。
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD

技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

　　慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設計保駕護航　　以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容
關(guān)鍵字： NAND SSD

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設計思想。
關(guān)鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)

關(guān)于NAND閃存顆粒你必須知道這些事兒

　　隨著近段時間以來，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲設備的大幅度一致性漲價，影響著存儲設備漲價的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業(yè)內(nèi)人士，反復解讀。　　那么，在價格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。　　閃存顆粒的釋義及廠商　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
關(guān)鍵字： NAND 存儲器

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
關(guān)鍵字： SSD 3D NAND

如何將“壞塊”進行有效利用

　　被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器

2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。　　　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
關(guān)鍵字： 3D NAND

大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā)　明年推首顆自制3D NAND芯片

　　大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領域。　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術(shù)改朝換代之際，大
關(guān)鍵字：存儲器 NAND

NAND FLASH扇區(qū)管理

首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構(gòu)成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
關(guān)鍵字： Flash NAND 扇區(qū)管理

SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
關(guān)鍵字： SLC MLC TLC 閃存

西數(shù)超車三星電子或點燃NAND價格戰(zhàn)

　　全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產(chǎn)淹沒市場，重創(chuàng)NAND價格。　　巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產(chǎn)還擊。報告稱，當前三星在業(yè)界握有主導權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了
關(guān)鍵字：西數(shù) NAND

第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯價格續(xù)揚

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
關(guān)鍵字： NAND 服務器

TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價格續(xù)揚

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
關(guān)鍵字： TrendForce NAND

共1146條 26/77 |‹ « 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 » ›|

mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點　　3與SLC對比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點　　1、傳輸速率 [ 查看詳細 ]