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        內存條掀起的漲價潮：國產手機漲價 三星成最大贏家
        
                                                            
          
                    	
        • 存儲器作為一種根據庫存、需求、產能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè)，這一輪漲價大幅增加了國產智能手機和PC廠商的成本，目前部分智能手機已經漲價，幅度在100~500元不等。
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        • 關鍵字：
                        DRAM  三星                          
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        威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季
        
                                                            
          
                    	
        • 　　臺灣內存模塊廠威剛指出，由于服務器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續(xù)回溫， DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價格持續(xù)走揚，PC 大廠及渠道客戶也積極備貨，NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下，價格仍呈多頭格局。
　　威剛進一步指出，在國際數據中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下，全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產線的投入，上游 DRAM 廠多以移轉 PC DRAM 產能因應，導致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產能排擠效應，
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        • 關鍵字：
                        威剛  DRAM                          
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        分析師：顯卡價格將水漲船高 短期不可能回落
        
                                                            
          
                    	
        • 　　AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產品相匹敵，因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是，分析師卻并不這么認為。
　　日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲，銷量可能也會超過預期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。
　　由于需求增長幅度如此之高，供應鏈也遭遇了非常大的壓力，因為制造顯卡所需的DRAM已經開始出現(xiàn)短缺。根據行業(yè)研究公司ICInsight的預計，DRAM的每比特價格將提高40%，
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        • 關鍵字：
                        顯卡  DRAM                          
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        晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　聯(lián)電和兩名員工遭到內存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構陷入罪，但強調DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術開發(fā)。
　　聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。
　　簡山杰表示，對于司法中的案件原本不應多言，但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構陷入罪」才是真。 簡山杰質疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數認罪后，妻子就復
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        • 關鍵字：
                        晉華  DRAM                          
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        將DRAM技術根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
        
                                                            
          
                    	
        • 員工有無竊取機密資料可以查證，企業(yè)有無教唆員工偷竊，也可以透過證據來佐證，但如何定義一家企業(yè)“積極”與“未積極”防范∕規(guī)范員工的行為，這十分兩難。 
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        • 關鍵字：
                        DRAM  存儲器                          
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        看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　你如果問當前內存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內存市場,當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過,在內存天下三分的大背景下,新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進程已經超越了英特爾的3D X-point技術, Crossbar公司市場和業(yè)務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術研討會上接受與非網的采訪時說:&ldquo
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        • 關鍵字：
                        RRAM  DRAM                          
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        將DRAM技術根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
        
                                                            
          
                    	
        • 　　聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術帶到聯(lián)電任職，不只是員工個人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據違反營業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”，因此視為共犯。
　　我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術的案子。第一，臺灣半導體產業(yè)在這個合作案當中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術的過程中，有無竊取美光技術?;第三，如果企業(yè)沒有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
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        • 關鍵字：
                        DRAM  聯(lián)電                          
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        2018年DRAM產業(yè)供給年成長預估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢
        
                                                            
          
                    	
        • 　　隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
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        • 關鍵字：
                        DRAM                          
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        2018年DRAM產業(yè)供給年成長預估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢
        
                                                            
          
                    	
        • 　　隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
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        • 關鍵字：
                        DRAM  美光                          
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        半導體，中國的芯片設計產業(yè)需要怎樣突破？
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 世界集成電路三強：英特爾，三星，高通。光是高通和英特爾兩家，每年就能帶給美國八九百億美元的營收，養(yǎng)活數萬美國工程師，還能帶來一百多億美元的凈利潤。中國的經濟升級最大的兩個領域是汽車制造工業(yè)和集成電路工業(yè)。未來怎樣能在這兩個超級產業(yè)完成逆襲？
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        • 關鍵字：
                        芯片  DRAM                          
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        DRAM市場：海力士率先擴產，其他企業(yè)能否緊隨其后
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　DRAM存儲器是有史以來價格波動最劇烈的IC產品。下圖是DRAM波動性強的又一例證， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年時間，DRAM價格已經翻了一番還要多。市場調研機構IC Insights表示，2017年DRAM單位存儲價格(price per bit)漲幅將超過40%，為史上最高。
　　僅僅一年前，DRAM采購商還在盡可能利用產能過剩狀況來向DRAM制造商壓價，根本不管DRAM制造商在這樣低價合同上會賠多少錢。現(xiàn)在，DRAM制造商正在“復仇”，不斷漲
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        • 關鍵字：
                        DRAM  海力士                          
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        臺專家：中國半導體發(fā)展模式的探討
        
                                                            
          
                    	
        • 　　大陸半導體業(yè)發(fā)展進程在歷經萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發(fā)引進時期、全面布局的重點建設時期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期，當中2014年6月國務院發(fā)布的《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導體業(yè)發(fā)展最大的轉捩點。
　　  爾后不論是中國制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀發(fā)展戰(zhàn)略的帶動，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產業(yè)將是
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        • 關鍵字：
                        半導體  DRAM                          
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        美光：未來兩季 DRAM供不應求
        
                                                            
          
                    	
        • 　　美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示，未來兩季DRAM仍是供不應求，產業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。
　　他強調，美光在上季公布財報時也預估本季營收和獲利展望，同時看好DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)未來營運表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強勁，但供應端產能提升的速度仍無法滿足市場需求，預估未來兩季，DRAM仍供不應求，產業(yè)處于健康狀態(tài)。
　　艾倫指出，美光目前在DRAM的投資策略，著眼于制程技術推進，短期內不會增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠，包括三星、SK海力士，也是
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        • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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        聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬片產能
        
                                                            
          
                    	
        • 　　中國臺灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計劃已經獲得臺灣科技部科學工業(yè)園區(qū)審議委員會的核準，總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時間預計3年的情況下，則新廠2020年將可進入投產。
　　華邦電為臺灣地區(qū)的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產能約4.3萬片，2017年年底將擴增至4.8萬片，2018年底則擴增到5.3萬片。未來，最大的擴充能量到5.5萬片時就已經將當前臺中廠的剩余空間給全部用光。
　　因此，面
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                        華邦電  DRAM                          
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        莫大康：中國半導體業(yè)要奮力突圍
        
                                                            
          
                    	
        • 　　與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。
　　01引言
　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。
　　此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義：
　　一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。
　　另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進步
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        • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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