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總投資573億元！中芯國際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線新進(jìn)展

據(jù)臨港新片區(qū)管委會(huì)官網(wǎng)披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目城鎮(zhèn)污水排入排水管網(wǎng)許可順利獲批。據(jù)悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目由中芯國際和中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會(huì)合作規(guī)劃建設(shè)。根據(jù)協(xié)議，雙方共同成立合資公司，規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目，聚焦于提供28納米及以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。據(jù)中芯國際發(fā)布的公告顯示，該項(xiàng)目計(jì)劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個(gè)按照Twin Fa
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X-FAB推出針對(duì)近紅外應(yīng)用的新一代增強(qiáng)性能SPAD器件

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺(tái)。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時(shí)，顯著增強(qiáng)信號(hào)，而且不會(huì)對(duì)暗計(jì)數(shù)率、后脈沖和擊穿電壓等參數(shù)產(chǎn)生負(fù)面影響。X-FAB通過推出這一最新版本的產(chǎn)品，成功豐富了其SPAD產(chǎn)品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
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X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項(xiàng)

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展——X-FAB在2018年基于其先進(jìn)工藝XA035推出針對(duì)穩(wěn)健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后，現(xiàn)又在此平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對(duì)半導(dǎo)體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產(chǎn)品的設(shè)計(jì)更加靈活，從而應(yīng)對(duì)可再生能源、EV動(dòng)力系統(tǒng)、工廠自動(dòng)化和工業(yè)電源領(lǐng)域的新興機(jī)遇。XA035基于350納米工藝節(jié)點(diǎn)，非常適合制造車用傳感器和高壓工
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X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測(cè)試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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芯科科技波士頓辦公室設(shè)立全新的Connectivity Lab生態(tài)系統(tǒng)和開發(fā)人員齊聚同慶

為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商模擬真實(shí)世界的操作性和連接性測(cè)試?中國，北京 - 2023年6月27日 - 致力于以安全、智能無線連接技術(shù)，建立更互聯(lián)世界的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布，芯科科技波士頓辦公室開設(shè)全新的Connectivity Lab（”連接實(shí)驗(yàn)室”）?！边B接實(shí)驗(yàn)室”模擬現(xiàn)代智能家居場(chǎng)景，其中包含一系列的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備、應(yīng)用軟件、生態(tài)系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)，為開發(fā)人員提供一個(gè)理想的環(huán)境，從而支持他們?cè)诎鞣N協(xié)議和設(shè)備品牌的真實(shí)場(chǎng)景中測(cè)試其M
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X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化

中國北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項(xiàng)目---該項(xiàng)目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺(tái)。在此過程中，模擬/混合信號(hào)晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項(xiàng)戰(zhàn)略倡議，旨在推
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X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
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碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

近期，一眾國內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團(tuán)宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出，按照計(jì)劃，瑞薩電子擬在目
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X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)，進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán)，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)帶給大批量市場(chǎng)的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)新創(chuàng)建的130納米平臺(tái)顯著加強(qiáng)了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨(dú)特的解決方案，達(dá)到滿足下一代通信要求所需的更高
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是誰在拉動(dòng)嵌入式存儲(chǔ)的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴(kuò)張？

近年來，受到全球半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲(chǔ)器件的價(jià)格呈現(xiàn)出較大的波動(dòng)態(tài)勢(shì)。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機(jī)構(gòu)的分析師都預(yù)測(cè)了半導(dǎo)體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個(gè)2022年，甚至更長。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析，2022年全球存儲(chǔ)器件市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)到1716.82億美元，較之前預(yù)估的2022年增加135.21億美元，同比增長將會(huì)達(dá)到8.5%。圖 | WSTS的電子元器件市場(chǎng)預(yù)測(cè)（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實(shí)現(xiàn)宏偉的增長目標(biāo)和投資，進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導(dǎo)體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領(lǐng)新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠找買家

GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來，大刀闊斧進(jìn)行改革，宣布退出全球高端技術(shù)的開發(fā)，又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣給臺(tái)積電旗下的世界先進(jìn)后，業(yè)界再度點(diǎn)名“下一刀”，是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠尋找買家。據(jù)傳美系 IDM 大廠有興趣，看來新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底，GlobalFoundries 經(jīng)歷大改革后可否涅槃重生值得關(guān)注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha，出任 GlobalFoundries 的新 CEO
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電飯鍋數(shù)據(jù)采集平臺(tái)的設(shè)計(jì)

介紹了一種基于LabVIEW的電飯鍋數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，此方案選擇采用NI USB-6008數(shù)據(jù)采集卡DAQ對(duì)電飯鍋煮飯過程中的鍋頂溫度、鍋底溫度和繼電器電壓進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，通過LabVIEW構(gòu)建數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)軟件平臺(tái)，將采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行顯示、存儲(chǔ)、圖像處理及分析，研究電飯鍋煮飯過程中的鍋頂和鍋底溫度曲線特征及繼電器輸出的電壓曲線特征，從而得出電飯鍋煮飯過程中繼電器的工作與控制溫度的關(guān)系?！?/li>
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SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

　　隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價(jià)比。此外，隨著市場(chǎng)的增長，由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來越具有吸引力。　　功率半導(dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機(jī)制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實(shí)現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
關(guān)鍵字： X-FAB SiC