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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應
- 在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。根據(jù)電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數(shù)百安。 額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結溫范圍）內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
- 關鍵字： MOSFET 雪崩 電流
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
- 關鍵字： Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠智能化
- 本文的關鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進無碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
- 關鍵字： 電力轉換 SiC MOSFET
利用低電平有效輸出驅動高端MOSFET輸入開關以實現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)
- 摘要在無線收發(fā)器等應用中，系統(tǒng)一般處于偏遠地區(qū)，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場進行干預，此類應用必須持續(xù)運行。系統(tǒng)持續(xù)無活動或掛起后，需要復位系統(tǒng)以恢復操作。為了實現(xiàn)系統(tǒng)復位，可以切斷電源電壓，斷開系統(tǒng)電源，然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。 本文將探討使用什么方法和技術可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來驅動高端輸入開關，從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。 簡介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性，一種方法是實施能夠檢測故障并及時響應的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統(tǒng)正常運行
- 關鍵字： MOSFET 系統(tǒng)電源循環(huán) ADI
SiC MOSFET用于電機驅動的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯(lián)。但在特定的
- 關鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
- ～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開關和超短反向恢復時間特點的5款新產(chǎn)品～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來，隨著照明用的小型電源
- 關鍵字： ROHM Super Junction MOSFET
英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
- 數(shù)據(jù)中心和計算應用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
- 關鍵字： 英飛凌 溝槽功率 MOSFET
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
- 關鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開關
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