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中國智能手機CMOS傳感器競爭硝煙彌漫
- 在中國智能手機市場，CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)傳感器領(lǐng)域的競爭正硝煙彌漫?，F(xiàn)在的中國，低價手機也至少配備了800萬像素的傳感器，對CMOS的需求持續(xù)上漲?？梢宰⒁獾降氖牵饕a(chǎn)企業(yè)都紛紛加大當(dāng)?shù)厣a(chǎn)能力，并專門制定對中國市場的戰(zhàn)略。 今年中國智能手機出貨量比去年增長了56%，預(yù)計會達到約3億2000萬臺，占世界總量的30%。除去中國一線城市，其他城市的主流手機仍然是從1000到2000元左右的低價手機。產(chǎn)品價格低，那么上面搭載的原件價格也低。 據(jù)此，CMOS傳感器預(yù)計中國需
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MAX44265低功耗關(guān)斷模式CMOS運算放大器
- MAX44265運算放大器的特點是在最大增益帶寬比(物質(zhì)GBW)提供電流，如手機，筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設(shè)備的電池供 ...
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美國半導(dǎo)體聯(lián)盟啟動“半導(dǎo)體合成生物技術(shù)”
- 新計劃的第1階段將在3個相關(guān)又有所區(qū)別的領(lǐng)域支持6個探索性的項目：第1個領(lǐng)域是細胞形態(tài)-半導(dǎo)體電路設(shè)計領(lǐng)域，將從細胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗應(yīng)用到新型芯片體系結(jié)構(gòu)中，反之亦然;第2個領(lǐng)域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領(lǐng)域，專門支持半導(dǎo)體生物混合系統(tǒng);第3個領(lǐng)域是分子級精確增材制造領(lǐng)域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導(dǎo)未來多代半導(dǎo)體合成生物技術(shù)研究。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。- 麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
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新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806
- 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產(chǎn)品。
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技術(shù)：CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
- 目前，在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設(shè)計達到最優(yōu)。 1CMOS集成電路的性能及特點 1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補結(jié)構(gòu)，工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導(dǎo)通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。 1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
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上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機銷售禁令 紅外LED廠受惠
- 隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時間的臨近，本周自貿(mào)熱卷土重來：龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個漲停板，且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前，市場人士就已獲悉，允許國外企業(yè)在華銷售游戲機將是上海自貿(mào)區(qū)藍圖的一部分;本月23日晚間，百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告，更是令自貿(mào)區(qū)相關(guān)游戲機概念的炒作熱潮一觸即發(fā)，百視通昨日就強勢漲停。 分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設(shè)立合資公司的舉措表明，實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結(jié);在此背景下，預(yù)計與游戲機生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司，如水晶光電
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銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流
- 銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。 目前全球倒裝芯片市場規(guī)模為200億美元，以年增長率為9%計算，到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點式封裝的年增長率將達到19%。到2014年，已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點，從數(shù)量上來說，銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。
- 關(guān)鍵字： CMOS 倒裝芯片
ASM高級技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
- 高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進互補式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么? 高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進是用來解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
- 關(guān)鍵字： ASM CMOS
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