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IR為交錯降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器推出XPhase可擴展性多相架構(gòu)
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構(gòu)，適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路，可提供超出CPU電壓調(diào)節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案，適用于服務器和高端臺式電腦內(nèi)最先進的微處理器。IR XPhase架構(gòu)有別于其它只能驅(qū)動有限相位的多相方案，它提供可擴展的多相設計，滿足先進CPU瞬息萬
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IR推出專攻高頻開關(guān)電源應用的經(jīng)濟型大功率150kHz IGBT
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關(guān)電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國及香港銷售總監(jiān)
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IR推出多用途80V MOSFET
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET，額定電壓達80V，可用作隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器中的原邊和付邊MOSFET，專攻網(wǎng)絡通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領域。作為原邊MOSFET時，IRF1312能用于高達60V最大輸入電壓，因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器應用中的半橋或全橋結(jié)構(gòu)。與同類75V MOSFET相比，其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶，使設計更加堅固耐用。IR中國
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IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新MTP隔離式開關(guān)模塊系列，它們以氮化鋁陶瓷層進行絕緣，在結(jié)點與外殼間發(fā)揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性 (冷卻能力) 比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600V和1200V，它們把高速IGBT和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi)，有助節(jié)省空間和降低組裝成本，可取代分立式解決方案。新器件專為大電流工業(yè)電源而設計，適用于高頻弧焊機及不間斷電源 (UPS)。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富先生
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IR推出可替代機電式繼電器的300V MOSFET功率器件
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新產(chǎn)品IRF3000。它是一個300V、N溝道HEXFET功率MOSFET，用于取代多種電信及網(wǎng)絡應用中的機電式繼電器。新器件是一種固態(tài)半導體，無機械部分，故可提高整體系統(tǒng)可靠性，且體積比機電式繼電器低30%之多。IRF3000比機電式繼電器更具效率，導通電阻比機械繼電器低90%以上，最大限度地減低了傳導損耗。新器件的柵電荷極低，可最大程度減低開關(guān)損耗。IRF3000比繼電器更易驅(qū)動，有助簡化電路設計并降低整體
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IR披露最高集成度智能功率模塊
- 國際整流器公司 (International Rectifier)披露首個iNTERO可編程隔離式智能功率模塊 (PI-IPM)，在單一封裝內(nèi)將功率平臺整合到嵌入式驅(qū)動器板上，納入一個可編程數(shù)字信號處理器。新器件型號為PIIPM50P12B004，額定值為1200V和50A，具備電流傳感、隔離、柵驅(qū)動器及功率平臺保護功能，可直接與電機驅(qū)動器主機及輸入平臺接口，方案內(nèi)設有基本應用指令集及開發(fā)工具，效率高、堅固耐用，噪音低。該模塊電流反饋環(huán)路頻寬5kHz，提供平直的安全操作區(qū)，融合了IGBT技術(shù)，采用EMP封
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IR推出更小的集成式開關(guān)(6.29)
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高效、低成本強化集成開關(guān)IRIS系列，將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi)，可簡化電路設計，減少了印制電路板尺寸及25%的元件數(shù)目。與交流-直流開關(guān)電源的分立電路相比，效率相同，甚至更佳。 全新IRIS集成開關(guān)系列將一個低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個雙電壓及電流控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi)，適用于通用輸入及單輸入60W至180W開關(guān)電源的反激變換技術(shù)。
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