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	high na euv
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        臺積電大舉拉貨EUV光刻機
        
                                                            
          
                    	
        • 臺積電依然是 EUV 設備的最大買家。臺積電 2nm 先進制程產能將于 2025 年量產，設備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之 EUV（極紫外光刻機）至為關鍵，今明兩年共將交付超過 60 臺 EUV，總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產能持續(xù)擴充之下，ASML 2025 年交付數(shù)量增長將超過 3 成，臺廠供應鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。設備廠商透露，EUV 設備供應吃緊，交期長達 16~20
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        • 關鍵字：
                        EUV                          
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        EUV 的單次曝光與多次曝光的進步
        
                                                            
          
                    	
        • 在過去的五年中，EUV 模式設計取得了長足的進步，但高 NA EUV 又重現(xiàn)了舊的挑戰(zhàn)。
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        • 關鍵字：
                        EUV  ASML                          
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        ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
        
                                                            
          
                    	
        • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA 
EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經開始對下一代Hyper-NA 
EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道，Hyper-NA
 EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA 
EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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        • 關鍵字：
                        ASML  Hyper-NA EUV  光刻機  臺積電  三星  英特爾                          
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        獨擁四大連續(xù)制程設備 TEL成EUV出貨大贏家
        
                                                            
          
                    	
        • 國際設備大廠東京威力科創(chuàng)（TEL）為全球唯一擁有沉積、涂布／顯影、蝕刻、清洗四大連續(xù)制程設備之公司，是晶圓片進入EUV曝光前重要步驟。TEL宮城總裁神原弘光指出，隨著芯片設計演進，蝕刻技術不斷朝著3D化方向演進，垂直堆棧發(fā)展、更有效利用空間，然而堆棧層數(shù)的增加，在成膜次數(shù)跟蝕刻時間、次數(shù)也會隨之增加，所需的機臺數(shù)量同步成長。 EUV大廠擁有近乎100％市占率，TEL在涂布／顯影與之緊密配合，同樣近乎獨占；換言之，只要EUV出貨，TEL亦將同步受惠。TEL更透露，早已在臺設置研發(fā)中心，近期更會擴增潔凈室規(guī)模
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        • 關鍵字：
                        制程設備  EUV  TEL                          
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        臺積電EUV大舉拉貨 供應鏈集體狂歡
        
                                                            
          
                    	
        • 臺積電2納米先進制程產能將于2025年量產，設備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之EUV（極紫外光曝光機）至為關鍵，今明兩年共將交付超過60臺EUV，總投資金額上看超過4,000億元。在產能持續(xù)擴充之下，ASML2025年交付數(shù)量成長將超過3成，臺廠供應鏈沾光，其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設備業(yè)者透露，EUV機臺供應吃緊，交期長達16至20個月，因此2024年訂單大部分會于后年開始交付；據(jù)法人估計，今年臺積電EUV訂
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        • 關鍵字：
                        2納米  先進制程  ASML  EUV  臺積電                          
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        改變?摩爾定律的未來是粒子加速器嗎？
        
                                                            
          
                    	
        • 位于日本筑波的高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技術可能會更便宜、更快、更高效。
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        • 關鍵字：
                        摩爾定律  粒子加速器  EUV  光刻技術                          
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        ASML市值超車LVMH，成為歐洲第二大上市公司
        
                                                            
          
                    	
        • 最新 EUV 設備的銷售情況對 ASML 的市值產生了明顯影響。
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        • 關鍵字：
                        EUV  ASML                          
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        可量產0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了
        
                                                            
          
                    	
        • 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數(shù)值只有0.33，對應產品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實現(xiàn)1.4nm的量產。High NA光刻機升級到了
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        • 關鍵字：
                        ASML  光刻機  高NA EUV  0.2nm                          
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        ASML：EUV光刻機已近極限 追趕技術還是另辟蹊徑？
        
                                                            
          
                    	
        • ASML首席財務官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術路線發(fā)展受歐美限制，且光刻機已接近技術極限，此一技術路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進行技術跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術路徑？將面臨艱難的抉擇。 據(jù)《芯智訊》報導，臺積電已經訂購了High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關設備訂單。ASML預測其設備的市場需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
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        • 關鍵字：
                        ASML  EUV  光刻機                          
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        臺積電今年將拿到最新款光刻機
        
                                                            
          
                    	
        • 6月6日消息，據(jù)外媒報道稱，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進的光刻機，單臺造價達3.8億美元。報道中提到，ASML首席財務官Roger Dassen在最近的一次電話會議上告訴分析師，公司兩大客戶臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經訂購了最新的高NA EUV設備，第一臺設備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺積電何時會收到設備。據(jù)悉，這些機器每臺造價3.5億歐元（3.8億美元），重量相當于兩架空中客車A
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        • 關鍵字：
                        ASML  光刻機  高NA EUV                          
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        EUV光刻機“忙瘋了”
        
                                                            
          
                    	
        • 據(jù)市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關鍵設備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當?shù)貢r間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營。推動摩爾定律關鍵因素：High NA EUV技術據(jù)業(yè)界信息，High NA EUV技術是
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        • 關鍵字：
                        EUV  光刻機  EDA設計                          
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        ASML和IMEC啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室
        
                                                            
          
                    	
        • 自ASML官網獲悉，6月3日，比利時微電子研究中心（imec）與阿斯麥（ASML）宣布在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同運營。聲明中稱，經過多年的構建和集成，該實驗室已準備好為領先的邏輯和存儲芯片制造商以及先進材料和設備供應商提供第一臺原型高數(shù)值孔徑EUV掃描儀（TWINSCAN EXE：5000）以及周圍的處理和計量工具。據(jù)悉，該聯(lián)合實驗室的開放是High-NA EUV大批量生
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        • 關鍵字：
                        阿斯麥  ASML  EUV                          
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        臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現(xiàn)未來
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        • 關鍵字：
                        臺積電  ASML  High-NA  EUV  光刻機                          
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        美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
        
                                                            
          
                    	
        • 據(jù)日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠并生產新一代芯片。去年，日本經濟產業(yè)省曾表示，將利用這筆經費協(xié)助美光科技生產芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術發(fā)展的關鍵。
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        • 關鍵字：
                        美光  DRAM  日本  EUV                          
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        High-NA EUV光刻機或將成為英特爾的轉機
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。
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        • 關鍵字：
                        High-NA  EUV  光刻機  英特爾  芯片  半導體                          
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