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三星正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨
- 三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。據(jù)韓媒，三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。他透露，三星電子還準(zhǔn)備針對高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的NCF（非導(dǎo)電粘合膜）組裝技術(shù)和HCB（混合鍵合）技術(shù)，以應(yīng)用于該產(chǎn)品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù)，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業(yè)務(wù)團(tuán)隊，以加強(qiáng)尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門之間的協(xié)同作用。
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HBM4將迎來大突破？
- AI大勢下，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺前，備受存儲市場關(guān)注。近期，媒體報道下一代HBM將迎來重大變化，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。自2015年以來，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。另據(jù)韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計2026年量產(chǎn)HBM4。盡管HBM4將有大突破，但它不會很快到來。當(dāng)前HBM市場以HBM2e為主，未來HBM3將挑起大梁。全球市場研究機(jī)
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傳三星預(yù)計2026年量產(chǎn)新一代HBM4
- 據(jù)韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數(shù)為每顆芯片1024個，擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
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