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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

- 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達(dá)8V,非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō),GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題,RO
- 關(guān)鍵字: SiC GaN ROHM
ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2高達(dá)8V,非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言,GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低,在開關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對(duì)這一課題,ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu),成功
- 關(guān)鍵字: ROHM 150V GaN HEMT
羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng):快充測(cè)試

- 一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線測(cè)試1)空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V,gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2)加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下:帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度,3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載,溫度始終未超過(guò)50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng):射頻熱凝控制儀測(cè)試

- 測(cè)試設(shè)備①直流電源由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載,可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載,測(cè)試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào),用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬(wàn)用表測(cè)量各測(cè)試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測(cè)量帶載后MOS管的溫度測(cè)試拓?fù)鋵⒄f(shuō)明書中電路按照上述描述修改:兩個(gè)直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
ST第三代碳化硅技術(shù)問(wèn)世 瞄準(zhǔn)汽車與工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用

- 電源與能源管理對(duì)人類社會(huì)未來(lái)的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說(shuō)明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長(zhǎng),我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對(duì)此非常重要,但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對(duì)此也有制定一些具體的目標(biāo)。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現(xiàn)各種節(jié)能目標(biāo)的具體數(shù)據(jù),圖中是對(duì)全球電力消耗狀況的統(tǒng)計(jì)。僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō),如果能將電力利用效率提升1%,
- 關(guān)鍵字: ST 碳化硅 汽車 工業(yè) SiC
半導(dǎo)體一周要聞3.7-3.11

- 1. 提前預(yù)定五年產(chǎn)能,全球半導(dǎo)體硅片進(jìn)入黃金期!根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%,總出貨量達(dá)到141.65 億平方英寸(MSI),收入同比增長(zhǎng)了13%,達(dá)到126.2億美元。 目前,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯等客戶,都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。其中,2022年1-6月預(yù)計(jì)交易金額分別為1.55億元、8000萬(wàn)元,而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國(guó)集成電路銷售額首
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 GaN 芯片 產(chǎn)能
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