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東芝級聯(lián)共源共柵技術解決 GaN 應用的痛點
- 和傳統(tǒng)的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車載充電）、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
- 關鍵字： 202207 東芝 共源共柵 GaN
Transphorm的表面貼裝封裝產品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
- 關鍵字： Transphorm GaN
東芝級聯(lián)共源共柵技術解決GaN應用痛點
- 受訪人：黃文源 東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術統(tǒng)括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 回答：自從半導體產品面世以來，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導體的出現(xiàn)，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
- 關鍵字： 東芝 GaN 級聯(lián)共源共柵
IAR Systems 全面支持 Renesas RH850，助力汽車行業(yè)創(chuàng)新
- IAR Systems 很高興地宣布推出全新的 3.10 版 IAR Embedded Workbench 以及 IAR 構建工具（Renesas RH850 版），全面支持 Renesas RH850，用于創(chuàng)建汽車行業(yè)下一代突破性解決方案，助力汽車行業(yè)創(chuàng)新?日益復雜的汽車應用需要在保證性能的情況下進行實時控制， Renesas 的現(xiàn)代化多核 RH850 汽車 MCU可以幫助實現(xiàn)這一目標。作為全球唯一為 Renesas 全系列 MCU 提供開發(fā)工具的供應商，IAR Systems 推出的最新版本
- 關鍵字： IAR Systems Renesas RH850
破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
- SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時，SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的，這會導致設備和人員危險，同時還會由
- 關鍵字： SiC GaN 柵極動態(tài)測試 光隔離探頭
IAR Systems支持全新Arm Cortex-M85處理器
- 嵌入式開發(fā)軟件和服務的全球領導者 IAR Systems 今天宣布推出完整開發(fā)工具鏈 IAR Embedded Workbench for Arm 的最新9.30版本，支持最新推出的高性能 Arm Cortex-M85 處理器。圖：IAREmbeddedWorkbench_9.30_screenshot?Arm 公司物聯(lián)網和嵌入式事業(yè)部副總裁 Mohamed Awad 表示：“要想在多樣化且不斷增長的物聯(lián)網和嵌入式市場中進行創(chuàng)新并取得成功，開發(fā)者需要一個強大的軟件和工具生態(tài)系統(tǒng)。Arm 最高性能
- 關鍵字： IAR Systems Arm Cortex-M85 處理器
學貫中西(8)：從GAN領悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道
- 1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網 ) 里的 兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者，又稱為創(chuàng)新者，而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領域，其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是： G( 創(chuàng)新者 ) 負責創(chuàng)作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一 張圖像的真或假，然后引領 G 逐步改進，止于完美逼 近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式，屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而，在 AI 科技不斷
- 關鍵字： 202206 GAN 人機協(xié)同
毫米波技術需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產品
- 5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進產業(yè)數(shù)字化轉型，為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場機會，例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境，高質量醫(yī)療，并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車，等等?！?打造未來智能工廠——5G 無線網絡可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動，并降低事故風險。● 提供高質量的醫(yī)療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測，進行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
- 關鍵字： 202206 毫米波 5G GAN
TI：運用GaN技術可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率
- 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術實現(xiàn)更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產業(yè)領導者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術創(chuàng)新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調，
- 關鍵字： TI GaN 數(shù)據(jù)中心 能源效率
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