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	gan system
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        e絡(luò)盟宣布引入飛思卡爾半導(dǎo)體公司的塔式系統(tǒng)
        
                                                            
          
                    	
        • 首個融合電子商務(wù)與在線社區(qū)的電子元件分銷商e絡(luò)盟及其母公司element14今天宣布引入飛思卡爾半導(dǎo)體公司(Freescale semiconductor)的塔式系統(tǒng)(Tower System)。這是一種適用于8、16和32位微控制器和微處理器的模塊化開發(fā)平臺，可通過快速的原型制作實現(xiàn)高級研發(fā)。

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        • 關(guān)鍵字：
                        element14  微處理器  Tower System                          
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        硅襯底LED芯片主要制造工藝解析
        
                                                            
          
                    	
        • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        LED芯片  硅襯底  GaN                            
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        硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展
        
                                                            
          
                    	
        • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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        • 關(guān)鍵字：
                        MOCVD  GaN  LED芯片                            
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        基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示,摘要：采用自頂向下的設(shè)計思想，綜合運用EDA 技術(shù)、CPLD技術(shù)和共享式雙口RAM，解決了大屏幕LED點陣顯示屏無閃爍顯示的技術(shù)難題。給出了系統(tǒng)設(shè)計方法及實際電路。LED點陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端，其中
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        點陣  顯示  LED  System  CPLD  Embedded  基于                          
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        一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計
        
                                                            
          
                    	
        • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  S波段  寬帶  放大器                            
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        GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  探測器  紅外  量子  GaN                          
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        System C特點及FPGA設(shè)計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • System C特點及FPGA設(shè)計,一、概述 　　

          SYSTEM C 是由 Synospy Inc. 提出的，目前最新的版本為V2.0。它提出的目的就是以一種系統(tǒng)設(shè)計的思想進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計。它將軟件算法與硬件實現(xiàn)很好的結(jié)合在一起，提高了整個系統(tǒng)設(shè)計的效率和正確性。 
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  FPGA  特點  System                          
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        一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  功率放大器  GaN  一種                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
        
                                                            
          
                    	
        • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  襯底  功率型                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億
        
                                                            
          
                    	
        • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。
　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        深入了解賽靈思System Generator中的時間參數(shù)
        
                                                            
          
                    	
        • 　基于模型的設(shè)計(MBD)因其在縮小實時系統(tǒng)抽象的數(shù)學(xué)建模和物理實現(xiàn)之間差距方面的光明前景而備受關(guān)注。通過使用相同的源代碼進(jìn)行算法分析、架構(gòu)探討、行為模擬和硬/軟件設(shè)計，MBD有望縮短系統(tǒng)設(shè)計周期。 　　無需通
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        Generator  System  賽靈思  參數(shù)                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示系統(tǒng)的實
        
                                                            
          
                    	
        • 　LED點陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端，其中大屏幕LED點陣顯示屏在許多場合得以應(yīng)用。大屏幕顯示所采用的技術(shù)比中小屏幕顯示難度更大，因為其屏幕大、LED點數(shù)多，要求在極短的時間內(nèi)刷新每個點，使得其掃
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        Embedded  System  CPLD  LED                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        SiC襯底X波段GaN MMIC的研究
        
                                                            
          
                    	
        • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        MMIC  SiC  GaN  襯底                            
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        一種用于嵌入式系統(tǒng)的液晶顯示單元設(shè)計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 在自動化儀器儀表、工業(yè)測控裝置等嵌入式計算機系統(tǒng)中，圖形液晶顯示模塊（點陣LCD）以顯示靈活、信息量大、可實現(xiàn)圖形界面等優(yōu)點而被廣泛的用做顯示終端。這些模塊大多提供并行數(shù)據(jù)接口，少量提供串行接口的模塊也要
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        • 關(guān)鍵字：
                        單元  設(shè)計  液晶顯示  系統(tǒng)  嵌入式  用于  LCD  Embedded-system  RS-232  GUI                          
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        IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。
　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。
　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
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        • 關(guān)鍵字：
                        IR  功率器件  GaN  終端                          
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        gan system介紹
        
      			
        
		      	
        
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