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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計?！ ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器
- TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題，降低總所有成本
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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件
- TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預(yù)估今年營收將達(dá)8,300萬美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)
- 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設(shè)計實驗室合作備忘錄
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運(yùn)營的聯(lián)合設(shè)計實驗室，實現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運(yùn)用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國在2060年實現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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砥礪前行，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮
- 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點實驗室，圍繞中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： GaN FET SiC
在輕度混合動力汽車中利用GaN實現(xiàn)雙電池管理
- John Grabowski：安森美半導(dǎo)體電源方案部門的首席應(yīng)用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導(dǎo)體，此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設(shè)計，應(yīng)用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統(tǒng)。最近，他的團(tuán)隊積極推動將高功率半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車電子化。引言為應(yīng)對氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區(qū)的法律強(qiáng)制要求汽車制造商做出這些改變。為實現(xiàn)這一目標(biāo)，其中一種方式就是采用混合動力，即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
- 關(guān)鍵字： GaN 48V
第三代芯片徹底火了！45家公司實證涉足三代半導(dǎo)體
- 延續(xù)9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導(dǎo)體概念股持續(xù)強(qiáng)勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn)，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù)，或已積累相關(guān)技術(shù)專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導(dǎo)體方面有實際業(yè)務(wù)，或已出貨相關(guān)產(chǎn)品，但多數(shù)為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導(dǎo)體概念持續(xù)火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
- 關(guān)鍵字： 第三代芯片 三代半導(dǎo)體 GaN
面向新基建的GaN技術(shù)
- 新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導(dǎo)體電源設(shè)計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應(yīng)用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護(hù)功能，可提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機(jī)驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
- 關(guān)鍵字： OBC GaN 202009
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