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        技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）
        
                                                            
          
                    	
        • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻                          
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        用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能
        
                                                            
          
                    	
        • 所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí)，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        智能MOSFET  醫(yī)療電子  FET                          
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        基于FET輸入型OP放大器的長時(shí)間模擬定時(shí)電路介紹
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來組成定時(shí)器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        FET  輸入  OP放大器  模擬                            
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        硅上GaN LED分析
        
                                                            
          
                    	
        • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個(gè)研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  分析                            
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        用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路介紹
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算                            
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        20W-50W單端FET純甲類功放的設(shè)計(jì)制作
        
                                                            
          
                    	
        • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標(biāo)，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        單端  FET  甲類  功放                          
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        與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器電路
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個(gè)等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時(shí)，
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        VOO  檢驗(yàn)  電路  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表                          
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        隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)
        
                                                            
          
                    	
        • 隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        隔離式  FET  脈沖驅(qū)動(dòng)器                          
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        使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原理
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中，各種功率場效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        RTP器件  FET                          
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        通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        利用氬氣改善p型GaN LED的性能
        
                                                            
          
                    	
        • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED                            
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        采用GaN LED的便攜式DNA分析儀
        
                                                            
          
                    	
        • 在當(dāng)今社會(huì)，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場
        
                                                            
          
                    	
        • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        LED  GaN  MOSFET                          
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        用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號
        
                                                            
          
                    	
        • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
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        • 關(guān)鍵字：
                        射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT                          
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        熱門主題
        
      			
        
      			
        
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