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UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產品組合
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
- 關鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
東芝級聯(lián)共源共柵技術解決 GaN 應用的痛點
- 和傳統(tǒng)的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車載充電）、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
- 關鍵字： 202207 東芝 共源共柵 GaN
Transphorm的表面貼裝封裝產品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
- 關鍵字： Transphorm GaN
東芝級聯(lián)共源共柵技術解決GaN應用痛點
- 受訪人：黃文源 東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術統(tǒng)括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 回答：自從半導體產品面世以來，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導體的出現(xiàn)，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
- 關鍵字： 東芝 GaN 級聯(lián)共源共柵
破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
- SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時，SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的，這會導致設備和人員危險，同時還會由
- 關鍵字： SiC GaN 柵極動態(tài)測試 光隔離探頭
學貫中西(8)：從GAN領悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道
- 1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網 ) 里的 兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者，又稱為創(chuàng)新者，而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領域，其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是： G( 創(chuàng)新者 ) 負責創(chuàng)作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一 張圖像的真或假，然后引領 G 逐步改進，止于完美逼 近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式，屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而，在 AI 科技不斷
- 關鍵字： 202206 GAN 人機協(xié)同
毫米波技術需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產品
- 5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進產業(yè)數(shù)字化轉型，為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場機會，例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境，高質量醫(yī)療，并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車，等等?！?打造未來智能工廠——5G 無線網絡可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動，并降低事故風險?！?提供高質量的醫(yī)療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測，進行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
- 關鍵字： 202206 毫米波 5G GAN
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