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聯(lián)電14納米 下季試產(chǎn)
- 聯(lián)電積極擴充28奈米產(chǎn)能，預計今年中月產(chǎn)能可達2萬片，28奈米毛利率將達平均水準。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線，預計第2季進行第2代14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶產(chǎn)品陸續(xù)完成設計定案(tape out)，明年將開始拉升產(chǎn)能進入量產(chǎn)階段。 聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶晶片進入量產(chǎn)，并有逾10家客戶完成設計定案并展開試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進行擴產(chǎn)，預估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴
- 關鍵字： 臺積電 三星 FinFET
Cadence與海思在FinFET設計領域擴大合作
- 益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，已與通訊網(wǎng)路與數(shù)位媒體晶片組供應商海思半導體(HiSilicon Technologies)已經(jīng)簽署合作協(xié)議，將于16奈米 FinFET 設計領域大幅擴增采用Cadence 數(shù)位與客制/類比流程，并于10奈米和7奈米制程的設計流程上密切合作。 海思半導體也廣泛使用Cadence數(shù)位和客制/類比驗證解決方案，并且已經(jīng)取得Cadence DDR IP與Cadence 3D-IC 解決方案授權，將于矽中介層基底(silicon interp
- 關鍵字： Cadence 海思 FinFET
三星擬以14納米FinFET制程 守住蘋果、進攻臺積電
- 三星電子(Samsung Electronics)在稍早傳出開始量產(chǎn)采用14納米FinFET制程技術的A9芯片，這對于三星來說，在搶佔先進微細制程市場以及與蘋果(Apple)合作關系上，可以說是一箭雙雕。 據(jù)ET News報導，三星美國奧斯汀廠傳出已經(jīng)開始量產(chǎn)采用14納米FinFET技術的蘋果A9。雖然美國奧斯汀廠以及韓國器興廠均擁有FinFET制程的產(chǎn)線，但由于為量產(chǎn)的第一階段，因此先由奧斯汀廠打頭陣。 此外分析指出，由于顧及次世代芯片性能資安以及供應等問題，奧斯汀廠是在蘋果的要求下首先
- 關鍵字： 三星 FinFET 14納米
Cadence IP組合和工具支持臺積電新的超低功耗平臺
- 全球知名的電子設計創(chuàng)新領導者Cadence設計系統(tǒng)公司今日宣布其豐富的IP組合與數(shù)字和定制/模擬設計工具可支持臺積電全新的超低功耗(ULP)技術平臺。該ULP平臺涵蓋了提供多種省電方式的多個工藝節(jié)點，以利于最新的移動和消費電子產(chǎn)品的低功耗需求。 為加速臺積電超低功耗平臺的技術發(fā)展，Cadence將包括存儲器、接口及模擬功能的設計IP遷移到此平臺。使用Cadence TensilicaÒ數(shù)據(jù)平面處理器，客戶可以從超低功耗平臺受益于各種低功耗DSP應用，包括影像、永遠在線的語音、面部識
- 關鍵字： Cadence 臺積電 FinFET
Cadence為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合
- 全球知名的電子設計創(chuàng)新領導者Cadence設計系統(tǒng)公司今日宣布為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。 Cadence所提供的豐富IP組合能使系統(tǒng)和芯片公司在16納米FF+的先進制程上相比于16納米FF工藝，獲得同等功耗下15%的速度提升、或者同等速度下30%的功耗節(jié)約。 目前在開發(fā)16 FF+工藝的過程中，Cadence的IP產(chǎn)品組合包括了在開發(fā)先進制程系統(tǒng)單芯片中所需的多種高速協(xié)議，其中包括關鍵的內存、存儲和高速互聯(lián)標準。IP將在2014年第四季度初通過測試芯片測試。有關IP
- 關鍵字： Cadence 臺積電 FinFET
Cadence數(shù)字與定制/模擬工具通過臺積電16FF+制程的認證，并與臺積電合作開發(fā)10納米FinFET工藝
- 全球知名電子設計創(chuàng)新領先公司Cadence設計系統(tǒng)公司今日宣布，其數(shù)字和定制/模擬分析工具已通過臺積電公司16FF+制程的V0.9設計參考手冊(Design Rule Manual，DRM) 與SPICE認證，相比于原16納米FinFET制程，可以使系統(tǒng)和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。目前16FF+ V1.0認證正在進行中，計劃于2014年11月實現(xiàn)。Cadence也和臺積電合作實施了16FF+ 制程定制設計參考流程的多處改進。此外，Cadence也
- 關鍵字： Cadence 臺積電 FinFET
FinFET/3D IC引爆半導體業(yè)投資熱潮
- 鰭式場效電晶體(FinFET)及三維積體電路(3DIC)引爆半導體業(yè)投資熱潮。行動裝置與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場快速成長，不僅加速半導體制程技術創(chuàng)新，晶圓廠、設備廠等業(yè)者亦加足馬力轉往3D架構及FinFET制程邁進，掀動半導體產(chǎn)業(yè)龐大的設備與材料投資風潮。 應用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸表示，3DIC及FinFET制程將持續(xù)引爆半導體業(yè)的投資熱潮，亦促使創(chuàng)新的設備材料陸續(xù)問世。 應用材料(AppliedMaterials)集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸表示，隨著行動裝置的功能推陳出新，及聯(lián)
- 關鍵字： FinFET 半導體
應用材料公司推出面向3D芯片結構的先進離子注入系統(tǒng)
- 應用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內領先的中電流離子注入設備，該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點的FinFET和3D NAND制程而開發(fā)，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復雜3D器件實現(xiàn)器件性能優(yōu)化，降低可變性，提高良率，是應用材料公司在精密材料工程領域的又一重大突破。 VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶實現(xiàn)制程的可重復性，優(yōu)化器件性
- 關鍵字： VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
應用材料公司突破導線技術傳統(tǒng)瓶頸
- 應用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學氣相沈積(CVD)系統(tǒng)加入獨特的鈷金屬后，一舉突破導線技術傳統(tǒng)瓶頸，讓“摩爾定律”持續(xù)向下進展到20納米。此外，應材的EnduraVentura實體氣相沈積(PVD)系統(tǒng)不但成功協(xié)助客戶降低成本，更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。 在強大技術創(chuàng)新突破的支持下，應用材料公司在營運方面也頗有斬獲。應用材料公司臺灣區(qū)總裁余定陸表示，拜半導體事業(yè)的蓬勃發(fā)展與應用材料公司不
- 關鍵字： 應用材料 FinFET
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