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        基于SOI高壓集成技術(shù)的電平位移電路設計
        
                                                            
          
                    	
        • 隨著智能功率IC的發(fā)展.其應用領域和功能都在不斷地擴展。而作為智能功率IC中的重要一類柵驅(qū)動IC在功率開關、顯示驅(qū)動等領域得到廣泛應用。在柵驅(qū)動電路中需要電平位移電路來實現(xiàn)從低壓控制輸入到高壓驅(qū)動輸出的電平轉(zhuǎn)
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        • 關鍵字：
                        電平  位移  電路設計  技術(shù)  集成  SOI  高壓  基于                          
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        基于SOI和體硅的FinFET對比研究
        
                                                            
          
                    	
        • 隨著半導體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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        • 關鍵字：
                        SOI  體硅  FinFET                          
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        ARM發(fā)布45納米SOI測試結(jié)果，最高節(jié)能40%
        
                                                            
          
                    	
        • 　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應工藝的可行技術(shù)。
　
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        • 關鍵字：
                        ARM  45納米  SOI                          
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        ARM制成45nm SOI測試芯片 功耗降低40%
        
                                                            
          
                    	
        • 　　據(jù)ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結(jié)果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。
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        • 關鍵字：
                        ARM  45nm  SOI  測試芯片                          
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        GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數(shù)水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設備。
　　據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
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        • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  32nm  SOI                          
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        Soitec第一季度銷售額環(huán)比增長22.3%
        
                                                            
          
                    	
        • 　　法國SOI技術(shù)公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷售額為4390萬歐元(約合6190萬美元)，環(huán)比增長22.3%，同比減少27.2%。
　　6月，Soitec在收到了主要客戶的急單之后，大幅上調(diào)了第一財季的預期，預測第一季度銷售額環(huán)比增長20%。
　　第一季度，Soitec稱晶圓銷售收入為4110萬歐元(約合5790萬美元)，環(huán)比增長30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環(huán)比增長35%。
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        • 關鍵字：
                        SOI  晶圓                          
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        Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業(yè)務、設計服務團隊之后，這次延攬建廠、廠務人才并將目標鎖定半導體設備商，Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設備龍頭應用材料(Applied Materials)服務事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺。
　　Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
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        • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  晶圓  半導體設備  SOI                          
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        Global Foundries志在英特爾　臺廠不是主要對手
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來將持續(xù)延攬來自各界半導體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實對準英特爾(Intel)。
　　競爭對手臺積電45/40
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        • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  40納米  晶圓代工  SOI                          
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        英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊
        
                                                            
          
                    	
        • 　　新聞事件：
　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
　　事件影響：
　　將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場
　　LS預計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊
　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。
　　合
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        • 關鍵字：
                        英飛凌  IGBT  CIPOS  射極控制二極管技術(shù)  SOI                          
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        新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
        
                                                            
          
                    	
        • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。
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        • 關鍵字：
                        SOI  器件                            
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        IMEC加入SOI聯(lián)盟
        
                                                            
          
                    	
        •         據(jù)EE Times網(wǎng)站報道，旨在推進SOI晶圓應用的產(chǎn)業(yè)組織SOI聯(lián)盟（SOI Consortium）宣布，比利時研究機構(gòu)IMEC已加入?yún)f(xié)會作為學術(shù)會員。
        IMEC是一家獨立的納電子研究中心，已在SOI技術(shù)領域積極開展研究超過20年。IMEC開展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個節(jié)點。IMEC不僅研究SOI相關的器件原
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        • 關鍵字：
                        SOI  晶圓  IMEC                          
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        加快推進集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作
        
                                                            
          
                    	
        •         由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會舉辦的“集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作交流會”2月17日在張江休閑中心召開。來自上海新陽半導體材料有限公司、安集微電子（上海）有限公司、上海新傲科技有限公司、上海華誼微電子材料有限公司等集成電路材料企業(yè)就高純CU電鍍液、SOI外延片、CMP拋光液、清洗液及高純化學試劑等新材料、新工藝做了介紹。會上近60位長三角地區(qū)晶圓制造企業(yè)代表參與并就四個報告進行交流。
 &nb
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        集成電路  SOI  CMP                          
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        SOI的CAN收發(fā)器實現(xiàn)EMC優(yōu)化重大突破
        
                                                            
          
                    	
        • 網(wǎng)絡電子系統(tǒng)在汽車和工業(yè)應用中日益得到廣泛部署，飛利浦采用獨特的新型絕緣體上硅芯片(SOI)技術(shù)推出的控制...
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        • 關鍵字：
                        SOI  CAN  EMC  汽車電子                          
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        用IC激發(fā)汽車電子的創(chuàng)新
        
                                                            
          
                    	
        • 訪NXP 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires

當人們在逐步習慣使用車用遙控門鎖（Remote Keyless Entry）打開車門的時候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動金屬鑰匙。將來，被稱作“駛向未來的鑰匙”的智能鑰匙又會怎樣簡化汽車的駕乘？

智能鑰匙其實是采用了NFC(近距離無線通信)、GPS無線技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡?？梢酝ㄟ^顯示屏直觀地顯示汽車停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個非接觸式支付的多功能錢包。智能鑰匙通過無線網(wǎng)絡將駕
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        • 關鍵字：
                        RKE  NXP  NFC  磁阻傳感器  車載網(wǎng)絡  SOI                          
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        滿足高溫環(huán)境需求的汽車電子器件
        
                                                            
          
                    	
        • 汽車中使用的電子器件數(shù)量在不斷增多，而且這一趨勢也開始出現(xiàn)在一些由于環(huán)境惡劣而通常難以使用具有成本效益 ...
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        • 關鍵字：
                        汽車電子  SOI                          
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