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        1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功

        •   1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
        • 關(guān)鍵字: 華晶  DRAM  

        1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功

        •   1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
        • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  
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        dram介紹

        DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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