EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ddr4
ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)
紫光國(guó)微：國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片預(yù)計(jì)年底推向市場(chǎng)
- 國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示，目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)?！ ≈白瞎鈬?guó)微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來(lái)紫光國(guó)微會(huì)在DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對(duì)于公司來(lái)說(shuō)，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會(huì)在年內(nèi)完成設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。 紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開(kāi)發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個(gè)型號(hào)為“SCQ04
- 關(guān)鍵字： 紫光國(guó)微 DDR4
國(guó)產(chǎn)內(nèi)存真的來(lái)了：紫光可提供DDR3、DDR4內(nèi)存芯片
- 還記得前段時(shí)間鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)的國(guó)產(chǎn)DDR4芯片的傳聞嗎?當(dāng)時(shí)有消息稱紫光旗下的半導(dǎo)體公司量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)DDR4內(nèi)存，只是這事疑點(diǎn)重重，最后紫光官方也辟謠稱目前并沒(méi)有DDR4內(nèi)存量產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品正在研發(fā)中。 現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存又來(lái)了，涉及的還是紫光旗下的西安國(guó)芯半導(dǎo)體，其官網(wǎng)頁(yè)面明確提到了可以長(zhǎng)期供應(yīng)DDR3、DDR4在內(nèi)的DRAM芯片和裸晶圓。 這次涉及國(guó)產(chǎn)DDR4的還是紫光集團(tuán)的子公司紫光國(guó)芯，旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬?guó)芯、深圳國(guó)微、紫光同創(chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，&ld
- 關(guān)鍵字： 紫光 DDR4
SK海力士搞定單Die 16Gb DDR4顆粒：256GB內(nèi)存條有戲
- SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量?jī)?nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。 16Gb乃至是32Gb DDR4顆粒其實(shí)并不罕見(jiàn)，SK海力士等早都有了，不過(guò)是用兩顆或者四顆8Gb Die堆疊而成的，再造出16GB、32GB內(nèi)存條。 但是，如此密集堆疊的內(nèi)存顆粒和內(nèi)存條十分復(fù)雜，比如64GB LRDIMM條子需要設(shè)置為四個(gè)Rank，128GB的更得八個(gè)Rank，結(jié)果導(dǎo)致延遲非常高，DDR4-2400/26
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DDR4
紫光國(guó)芯官方確認(rèn) 首款國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存明年上市
- 最近，一張印有紫光國(guó)芯(UniIC)LOGO 的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡(luò)上，有人稱這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內(nèi)存。一開(kāi)始大家還不太相信圖片的真實(shí)性，因?yàn)橘N紙上出現(xiàn)了 PC3-12800U 的字樣，對(duì)應(yīng)的其實(shí)是 DDR3 1600 內(nèi)存。但是近日紫光官方竟然主動(dòng)承認(rèn)了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實(shí)有相關(guān)的計(jì)劃。 近日，紫光國(guó)芯在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上發(fā)出了正式回應(yīng)，他們表示上述關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的報(bào)道并不確切，但是公司現(xiàn)在確實(shí)在開(kāi)展 DDR4存儲(chǔ)芯片和模組的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)工作，而按照計(jì)劃，該
- 關(guān)鍵字： 紫光 DDR4
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
三星第二代10nm級(jí)別8Gb DDR4內(nèi)存投產(chǎn)，以后高頻條3600MHz起跳
- 三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別(1y-nm)的8Gb DDR4內(nèi)存顆粒，新的內(nèi)存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產(chǎn)能可以比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%，然而價(jià)格嘛……應(yīng)該暫時(shí)不會(huì)降。 新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，性能水平與效能會(huì)比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運(yùn)行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說(shuō)以后的高頻內(nèi)存要以360
- 關(guān)鍵字： 三星 DDR4
第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂(lè)觀，價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來(lái)，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià)，報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長(zhǎng)的多頭行情。 事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
至少到明年一季度！內(nèi)存價(jià)格依舊持續(xù)維持高位
- 近一年多來(lái)，內(nèi)存價(jià)格持續(xù)高漲，雖然這一段時(shí)間暫時(shí)有所平穩(wěn)，漲價(jià)的勢(shì)頭似乎被遏制住了，但想降價(jià)的話短期內(nèi)還是個(gè)夢(mèng)。 據(jù)博板堂統(tǒng)計(jì)，2017年10月份中國(guó)區(qū)TOP11內(nèi)存品牌總出貨量又下滑了10%左右，連續(xù)兩個(gè)月倒退。 原因主要是上游DRAM內(nèi)存顆粒供應(yīng)依然十分緊張，而且供貨時(shí)間有限，再加上雙11電商備貨影響，整個(gè)市場(chǎng)異常慘淡。 作為內(nèi)存行業(yè)老大，金士頓缺貨問(wèn)題非常嚴(yán)重，實(shí)際出貨時(shí)間只有半個(gè)月左右，整體工廠出貨量創(chuàng)下歷史新低，當(dāng)月還
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DDR4
DDR4陣營(yíng)持續(xù)擴(kuò)大 將首度超越DDR3
- 第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長(zhǎng)。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過(guò)去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
- 關(guān)鍵字： DDR4 DDR3
ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
ddr4相關(guān)帖子
ddr4資料下載
ddr4專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473