唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗證平臺半年來在用戶項目使用中,從性能、價格、穩(wěn)定性來說已得到了用戶的很高評價,當然,唐芯微人還是不失抓住每一次售后機會,把握用戶提出的問題和建議,配合用戶完成項目的同時對這款產品進行一次次優(yōu)化修正,不但用戶對唐芯微電子售后服務有了更進一步體會,而且?guī)醉椉夹g成果的突破也讓用戶刮目相看。
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ASIC DDR2
摘要: 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術, 給出了USB2.0與DDR2相結合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案, 同時提出了對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實現(xiàn)方法。 0 引
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DDR2 FPGA USB 數(shù)據(jù)采集
要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)??梢蕴峁┐笕萘康拇鎯臻g。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應能力。該方案通過計算機并口實現(xiàn)與計算機的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
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SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號 采集系統(tǒng)
采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬,工作電壓低至1.5V,因此功耗小,存儲密度更可高達2Gbits。該架構無疑速度更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但問
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SDRAM FPGA DDR3 存儲器
基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設計與仿真, 摘 要: 介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具,并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進行仿真分析,給出了一個具體的DDR2嵌入式系統(tǒng)的設計過程和方法?! ‖F(xiàn)代電子設計和芯片制造技術正在飛速發(fā)展
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設計 仿真 系統(tǒng) 嵌入式 Hyperlynx DDR2 基于
基于SDRAM文件結構存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言 面對不同的應用場景,原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號,這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外,由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結構,緩存系統(tǒng)的設計需要保存原
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方式 數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲 結構 SDRAM 文件 基于
基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計, 本白皮書討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案,同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經過硬件驗證的參考設計來為您自己的應用(從低成本的 DDR SDRAM 應用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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接口 控制器 設計 存儲器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 基于
美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內存,支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內存將成為該市場的 理想存儲解決方案。
美光的2Gb DDR2產品過渡到更先進的 50 納米制程節(jié)點, 反映出美光對市場所需的技術的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
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美光 50納米 DDR2
鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片,主要面向平板電腦市場。
該芯片采用低電壓DDR2標準制造,可與英特爾開發(fā)代號Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作,容量方面,該芯片從512Mb到2Gb不等,可構成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內存條,實現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。
得益于較小的制程,這款芯片可以工作在1.55V的低壓下,以降低系統(tǒng)的電源需求。
鎂光預計這種DD2存儲芯片將在2010年9月開始出樣,年末之前量產出貨。
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鎂光 50納米 DDR2
臺系DRAM廠陸續(xù)啟動多角化產品線策略,近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進行結盟,將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產品,采用72納米制程,目前已進入試產,這是茂德跨入消費性電子市場重要里程碑,對鈺創(chuàng)而言,亦在SDRAM產能吃緊情況下獲得及時雨。
2008~2009 年DRAM產業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(Qimonda),但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標準型DRAM產品,終究是一條不歸路,因此自 2010年開始,陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標準型DRAM產品領域,包括SDRAM、
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Qimonda DRAM SDRAM
Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復雜度的情況下要想增強系統(tǒng)性能,改善數(shù)據(jù)位寬是一個有效的手段。通常來說,可以把系統(tǒng)頻率擴大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的,因為它們會增加
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SDRAM 接口 DDR 實現(xiàn) II 如何 Cyclone
力晶總經理王其國表示,目前12寸晶圓廠不論在標準型DRAM或是代工業(yè)務如LCD驅動IC芯片、SDRAM產品上,產能都相當吃緊,未來DRAM業(yè)者在轉制程和蓋新廠上,會因為財務問題而放緩腳步,因此短期內不擔心供過于求的問題,尤其是相當看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產能的消耗量,算是殺手級的應用,對于未來DRAM產業(yè)看法相當正面。
王其國表示,過去摩爾定律認為每隔18個月晶圓產出數(shù)量可多出1倍,但未來隨著DRAM產業(yè)制程技術難度增加,制程微縮的腳步放緩,可能較難達成,加上現(xiàn)在轉進
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力晶 SDRAM DRAM
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