dc-dc pol 文章 進(jìn)入dc-dc pol技術(shù)社區(qū)
采用寬帶電壓與電流反饋運算放大器的應(yīng)用要求(06-100)
- 系統(tǒng)設(shè)計人員既能用電流反饋運算放大器，也能選擇電壓反饋運算放大器，到底如何決定呢？我們將討論每種放大器最合適的應(yīng)用，說明為什么某些應(yīng)用不適合某種放大器。我們通過設(shè)計樣例介紹廣泛采用的電路，其中包括新興全差動放大器(FDA，一款獨特的電壓反饋器件)，說明這種器件在什么情況下最適用。 放大器的選擇標(biāo)準(zhǔn) 就任何給定應(yīng)用而言，我們可從多種可能的運算放大器中進(jìn)行選擇。其中主要有兩種類型，即電壓反饋 (VFB) 運算放大器與電流反饋運算放大器 (CFB)，二者之間存在明顯的內(nèi)在差別，因此分別適應(yīng)于不同
- 關(guān)鍵字： TI 放大器 DC
控制PM DC電機速度的低成本電路(04-100)
- 本文所示的馬達(dá)速度控制電路(見圖1)是用SG3524脈寬調(diào)制(PWM)IC(U2)通過P溝FET(Q1)驅(qū)動電機的高端。電機直接連接到地更容易測量電機端電壓。U2的振蕩器周期設(shè)置為電機機械常數(shù)時間的2倍左右，即2ms左右或500Hz。 在U2的CMP引腳用33mF電容器補償環(huán)路延遲。U2 5V VREF輸出到地的電阻分壓器設(shè)置誤差放大器 輸出擺幅的中間處。然而，對于非常低速的工作，此電壓可低到接近于1V。在低速，PWM工作提供非常良好的轉(zhuǎn)矩輸出，盡管紋波轉(zhuǎn)矩是相當(dāng)高的。 永磁直流PM DC
- 關(guān)鍵字： DC 電路
高效、單片式同步降壓-升壓型LED驅(qū)動器可提供高達(dá)1A的連續(xù)驅(qū)動電流
- 引言 LTC3454是一款同步降壓-升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器，專為從單節(jié)鋰離子電池以高達(dá)1A的已調(diào)電流來驅(qū)動單個高功率LED而設(shè)計。電壓調(diào)節(jié)通常是采用開關(guān)轉(zhuǎn)換器來完成的，但是，LED需要恒定電流，以生成可預(yù)知的光輸出。LTC3454在其穩(wěn)壓環(huán)路中采用了一個自動置零跨導(dǎo)誤差放大器，以準(zhǔn)確地控制LED電流。LED電流可采用兩個外部電阻器和兩個使能引腳來設(shè)定為4個電流值(包括停機)之一。在停機模式中，電流消耗為零。 鋰離子電池的寬VIN范圍(2.7V至4.2V)要求轉(zhuǎn)換器在LED正向電壓處于電池放
- 關(guān)鍵字： LED LTC3454 DC/DC
選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET
- 對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負(fù)載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會很明顯地增加。 自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當(dāng)前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
- 關(guān)鍵字： POL MOSFET
適合于寬負(fù)載條件運行的有限雙極性軟開關(guān)DC／DC變換器
- 摘要：研究了一種適合寬負(fù)載條件運行的有限雙極性控制方法并配合飽和電感和隔直電容實現(xiàn)ZVZCS PWM的全橋變換器，分析了其工作過程及主開關(guān)器件實現(xiàn)ZVZCS的約束條件。最后通過具體的功率實驗.驗證了該控制方法在較寬負(fù)載范圍條件下實現(xiàn)軟開關(guān)的能力。 關(guān)鍵詞：有限雙極性控制;零電壓零電流開關(guān);飽和電感;全橋變換器 O 引言 全橋移相ZVS變換器近年來得到了廣泛關(guān)注，在中大功率的通訊電源和電力操作電源中得到廣泛的應(yīng)用。然而，這種控制方法有以下幾個明顯的缺點。 (1)滯后臂開關(guān)管在輕載
- 關(guān)鍵字： DC／DC 變換器
開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個關(guān)注點
- 上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。
- 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源，IGBT 碳化硅 AC/DC
電源控制另辟蹊徑
- 所面臨的挑戰(zhàn) 近年來，數(shù)字電源主要通過模仿使用數(shù)字部件的模擬方法來獲得可與成熟的模擬解決方案相媲美的動態(tài)性能。但是電力社區(qū)希望數(shù)字電源能更有所作為，而不僅僅是復(fù)制模擬電源的性能。我們將詳述用于獲得超出模擬電源性能的方法。這樣做的一個主要好處就是非線性環(huán)路補償，并改善了 DC/DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器的瞬態(tài)性能。 解決方案 數(shù)控 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 在應(yīng)用報告《基于 UCD91xx 的數(shù)字電源的數(shù)字補償器設(shè)計》[1]中闡述了數(shù)字補償電源的詳細(xì)情況。數(shù)字補償器的幾個關(guān)鍵組成部分是容錯
- 關(guān)鍵字： 數(shù)字電源 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 電源
MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
- 一個采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達(dá)2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負(fù)載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(pol)電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
- 關(guān)鍵字： MOSFET POL 電源 放大器
飛兆半導(dǎo)體:功率器件提高能效需求日益重要
- 超便攜式應(yīng)用產(chǎn)品的DC/DC轉(zhuǎn)換趨勢讓開關(guān)型調(diào)節(jié)器的使用日益普遍，隨著對更高效率的需求變得越來越重要，這種技術(shù)被用來取代線性調(diào)節(jié)器。飛兆半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)重點之一是開發(fā)小外形尺寸、更高效的步降和步升開關(guān)型DC/DC轉(zhuǎn)換器。為了讓總體解決方案的外形尺寸盡可能地小，我們把用于手機、媒體播放器和手持式游戲機等超便攜式應(yīng)用設(shè)備的步降DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率提高到了4MHz以上。 此外，由于對更高功率的需求大于電池容量的增加速度，DC/DC轉(zhuǎn)換器的增長正在超過線性調(diào)節(jié)器。這就需要提高電池能量的轉(zhuǎn)換效率，以滿足
- 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo)體 功率器件 DC/DC MCU和嵌入式微處理器
IR iPOWIR構(gòu)建模塊節(jié)省空間并簡化高效率POL降壓式轉(zhuǎn)換器設(shè)計
- 國際整流器公司推出新產(chǎn)品iP1206，為包括電信及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備在內(nèi)的同步降壓式應(yīng)用提供了全面優(yōu)化解決方案。 iP1206是iPOWIR集成電源轉(zhuǎn)換級產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品，適用于高達(dá)30A 的兩相單路輸出應(yīng)用或高達(dá) 15A 的雙獨立輸出。兩種選擇均采用了同步 180
- 關(guān)鍵字： 國際整流器 POL 降壓式轉(zhuǎn)換器 電源
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