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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-ldo

        CMOS多頻段低噪聲放大器設計

        • 本設計中的并行式多頻段LNA為單個LNA,但能同時工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
        • 關鍵字: CMOS  多頻  低噪聲  放大器設計    

        LDO穩(wěn)壓器的PSRR和輸出噪聲在RF電路中的選擇

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
        • 關鍵字: LDO  

        超低功耗電子電路系統(tǒng)設計原則

        • 本文將對超低功耗電路設計原則進行分析,并就怎樣設計成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述,從而證明了這種電路在電路結 ...
        • 關鍵字:   CMOS    TTL    單片機  

        MCU 中輸入/輸出口的使用

        • 本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
        • 關鍵字: 掩膜  CMOS  電阻  

        基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設計

        • 引言 隨著移動通信技術的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件,然而在用實際工藝實現(xiàn)電路時,會發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小,這將影響到電路的性能。于是,人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管,MOS變?nèi)莨鼙銘\而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏,源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容,其電容值隨柵極與襯底之間
        • 關鍵字: CMOS  RF專題  電源技術  模擬技術  射頻  振蕩器  

        集成多路模擬開關的應用技巧

        • 集成多路模擬開關(以下簡稱多路開關)是自動數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術領域的常用器件,其實際使用性能的優(yōu)劣對系統(tǒng)的嚴謹和可靠性重要影響。  關于多路開關的應用技術,些文獻上介紹有兩點不足:一是對器件自身介紹較多,而對器件與相關電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少;二是原則性的東西介紹較多,而操作性的東西介紹較少。研究表明:只有正確選擇多路開關的種類,注意多路開關與相關電路的合理搭配與協(xié)調(diào),保證各電路單元有合適的工作狀態(tài),才能充分發(fā)揮多路開關的性能,甚至彌補某性能指標的欠缺,收到預期的效果。本文從應用
        • 關鍵字: CMOS  電源技術  放大器  模擬技術  模擬開關  

        ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

        •  ——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無線家庭自動化和多種無線連接應用要求, 提供比同類產(chǎn)品提高7dB靈敏度,最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。 美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市(Norwood, Mass.)發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路(IC)擴展了其業(yè)界領先的射頻(RF)IC產(chǎn)品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz~650 MHz和862 MHz~940 MHz多個頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
        • 關鍵字: ADI  CMOS  IC  單片機  電源技術  工業(yè)控制  接收器  靈敏度  模擬技術  嵌入式系統(tǒng)  收發(fā)器  亞吉赫茲窄帶  工業(yè)控制  

        具有排序及跟蹤功能的LDO

        • 本文介紹了一種具有排序及跟蹤功能的低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器IC及其應用電路,它就是MICREL公司最近推出的MIC68200。 主要特點 MIC68200是一種低壓差線性穩(wěn)壓器IC。該IC主要特點:有輸出固定電壓(1.2V、1.5V、1.8V等固定電壓)及輸出電壓可設定的品種;多個MIC68200可組成主、從電源系統(tǒng),實現(xiàn)主、從電源輸出電壓的排序及跟蹤的要求;輸入電壓范圍1.65~5.5V;輸出可設定的電壓范圍0.5~5.0V;輸出固定電壓的電壓精度典型值為
        • 關鍵字: LDO  MIC68200  MLF封裝  電源技術  模擬技術  封裝  

        Microchip推出新型單芯片1.5A LDO

        • 穩(wěn)定的陶瓷輸出電容器(LDO)可進一步降低設計成本,并縮小占板空間 Microchip Technology(美國微芯科技公司)日前推出業(yè)界首個集關斷、電源正常指示、可編程的電源正常指示延遲和綁定線補償?shù)裙δ苡谝惑w的單芯片1.5A LDO。MCP1727是一種高效的低功耗LDO,在一個小型散熱封裝(8引腳SOIC或3 mm x 3 mm DFN)中可提供高輸出電流和低輸出電壓。憑借以上特性,MCP1727成為各種高性能嵌入式處理器和新一
        • 關鍵字: LDO  Microchip  單片機  嵌入式  嵌入式系統(tǒng)  微處理器  

        集成CMOS對稱式收/發(fā)開關的設計

        • 本文分析了影響對稱式射頻收/發(fā)開關性能的因素,包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進行設計和實現(xiàn)。
        • 關鍵字: 設計  開關  對稱  CMOS  集成  

        一種新型雙極型LDO線性穩(wěn)壓器的設計

        思比科開發(fā)CMOS手機攝像芯片實現(xiàn)本土化

        •  北京思比科微電子自主研發(fā)了可廣泛用于汽車電子、手機、筆記本攝像頭、醫(yī)療電子等行業(yè)的CMOS攝像芯片。該項技術擁有6項發(fā)明專利的200萬像素CMOS攝像芯片,已通過了技術測試。   思比科200萬像素攝像芯片,基于上海中芯國際0.18微米工藝,從設計開發(fā)到芯片制造的全部工作均在國內(nèi)完成,完全實現(xiàn)了國產(chǎn)化。   思比科表示:“目前,公司已經(jīng)成功研發(fā)出30萬像素、130萬像素、200萬像素等多種CMOS圖像傳感器,300萬和500萬像素的CMOS圖像傳感器芯片現(xiàn)在已經(jīng)申請國內(nèi)專利8項,準備申請9項國內(nèi)專利,出
        • 關鍵字: CMOS  電源技術  手機攝像芯片  思比科  

        靜脈認證相機采用1/6英寸CMOS傳感器

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        cmos-ldo介紹

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