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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-ldo

        如何為便攜產品選擇合適的LDO

        • 如何為便攜產品選擇合適的LDO- 接地電流或靜態(tài)電流 (IGND 或 IQ)、電源波紋抑止比 (PSRR)、噪聲與封裝大小通常是為便攜式應用決定最佳LDO選擇的要素。在選擇低壓降線性調節(jié)器(LDO) 時,需要考慮的基本問題包括輸入電壓范圍、預期輸出電壓、負載電流范圍以及其封裝的功耗能力。
        • 關鍵字: LDO  便攜電子  

        LDO在IoT中省電的兩種方法

        • LDO在IoT中省電的兩種方法- 隨著物聯網 (IoT) 不斷占領于我們的住宅和辦公場所,我們會發(fā)現越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件,而且我們能夠在世界上的任何一個角落訪問這些電器和系統(tǒng)。
        • 關鍵字: LP2951  LDO  IOT  

        揭開廢棄紐扣電池的秘密

        • 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設備或配套服務系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級,對現代 CMOS 運算放大器來說是一項常見的簡單應用。
        • 關鍵字: CMOS  CR2032  德州儀器  

        TI工程師教你設計更小的電源

        • TI工程師教你設計更小的電源-假設您幾乎已經完成了最新、最重大的應用設計。所有漏洞都已清除,而且非常好用。差不多該進入主要階段了,但還要解決最有一件事:電源。
        • 關鍵字: TI  LDO  TLV71333P  

        所有這些干擾都是從哪里來的?

        • 所有這些干擾都是從哪里來的?-自從進入市場以來,CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設計人員帶來了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 (THD+N) 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是,輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復雜。
        • 關鍵字: CMOS  電源放大器  THD  

        硅光子芯片設計突破結構限制瓶頸

        • 硅光子芯片設計突破結構限制瓶頸-當今的硅光子芯片必須采用復雜的制造制程連接光源與芯片,而且也和晶圓級堆棧密不可分。
        • 關鍵字: 硅光子  半導體芯片  CMOS  芯片設計  

        基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

        • 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾,開關芯片轉換出各種系統(tǒng)所需電壓,LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補,各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境,同時開啟它們的共贏之路。
        • 關鍵字: MPS模塊  MOSFET  LDO  DC-DC  

        如何解決電源管理芯片效率不高的問題?

        • 如何解決電源管理芯片效率不高的問題?-DC-DC控制IC在各電子產品中應用廣泛,為了統(tǒng)一物料,工程師往往會用自己熟悉且能輸出較大電流的DC-DC芯片,不管負載大小均用一個型號一統(tǒng)江湖。由此可能在小負載電流時,效率不盡如人意,該怎么解決?
        • 關鍵字: 電源管理芯片  DC-DC  LDO  

        cmos+憶阻器實現高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構

        • cmos+憶阻器實現高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構-依靠憶阻器執(zhí)行像素級自適應背景提取算法的成像傳感器架構,與全cmos成像傳感器相比,基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能,讓設計人員能夠使用可編程時間常數建立圖像背景模型。
        • 關鍵字: cmos  憶阻器  傳感器  

        資深工程師教你如何設計一個合適的系統(tǒng)電源

        • 資深工程師教你如何設計一個合適的系統(tǒng)電源-分析電源需求不僅僅是關心輸入電壓,輸出電壓和電流,還要仔細考慮總的功耗,電源實現的效率,電源部分對負載變化的瞬態(tài)響應能力,關鍵器件對電源波動的容忍范圍以及相應的允許的電源紋波,還有散熱問題等。
        • 關鍵字: 電源  LDO  
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        cmos-ldo介紹

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