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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

        聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程

        •   晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM 共同宣布,聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10納米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。   擁有IBM的支援與know-how,聯(lián)電將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14納米FinFET 技術(shù),針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算與通訊產(chǎn)品,提供富競(jìng)爭力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計(jì)劃開發(fā) 10納米制程基礎(chǔ)技術(shù),以滿足聯(lián)電客戶的需求。聯(lián)電將指派工程團(tuán)隊(duì)加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納
        • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  CMOS  

        東芝開發(fā)出應(yīng)用于小型低功率產(chǎn)品的CMOS圖像傳感器

        • 東京 – 東芝公司(東京: 6502)日前宣布了對(duì)于具有小面積低功率像素讀出電路的CMOS圖像傳感器的開發(fā)進(jìn)展。 內(nèi)置讀出電路的樣品傳感器性能是傳統(tǒng)傳感器的兩倍。(1)東芝于2月20日在加州舊金山舉行的 ISSCC 2013(美國電氣和電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)主辦的國際固態(tài)電路研討會(huì))會(huì)議上對(duì)該產(chǎn)品的開發(fā)進(jìn)展進(jìn)行了介紹。
        • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  傳感器  

        TTL電平和CMOS電平總結(jié)

        • TTL電平:輸出高電平〉2.4V輸出低電平〈0.4V在室溫下,一般輸出高電平是3.5V輸出低電平是0.2V。最小輸入...
        • 關(guān)鍵字: CMOS    電平    電路  

        CMOS集成電路設(shè)計(jì)(三):CMOS設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

        • (1)使用TTL集成電路注意事項(xiàng)  ①TTL集成電路的電源電壓不能高于+5.5V使用,不能將電源與地顛倒錯(cuò)接,否則將會(huì)因 ...
        • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  

        CMOS與MEMS方案走紅 移動(dòng)裝置RF架構(gòu)改弦更張

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: CMOS  MEMS  RF前端  雙工器  

        Aptina與LFoundry攜手規(guī)劃CMOS成像未來

        •    Aptina宣布與LFoundry建立牢固的戰(zhàn)略合作關(guān)系,LFoundry在收購Micron的半導(dǎo)體制造工廠后將繼續(xù)在意大利阿韋扎諾生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設(shè)備代工經(jīng)驗(yàn)與客戶至上的堅(jiān)定理念,以此來鞏固阿韋扎諾工廠與Aptina之間長久的技術(shù)合作關(guān)系。   阿韋扎諾工廠生產(chǎn)的Aptina傳感器具有業(yè)界領(lǐng)先的性能,使制造商和終端用戶能為市場(chǎng)的諸多成像應(yīng)用帶來差異化產(chǎn)品,這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、汽車、平板電腦、電視機(jī)、游戲平臺(tái)、運(yùn)動(dòng)相機(jī)、醫(yī)療設(shè)備和數(shù)碼相機(jī)。  
        • 關(guān)鍵字: Aptina  半導(dǎo)體  CMOS  

        CCD與CMOS哪個(gè)更能推動(dòng)工業(yè)相機(jī)市場(chǎng)的發(fā)展

        • 工業(yè)相機(jī)是機(jī)器視覺系統(tǒng)的核心部件,其本質(zhì)功能完成是將光信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)的過程,相比于普通相機(jī)來說,具有更高 ...
        • 關(guān)鍵字: CCD  CMOS  工業(yè)相機(jī)  

        一種新型的nA量級(jí)CMOS基準(zhǔn)電流源

        • 基準(zhǔn)電流源是指在模擬集成電路中用來作為其他電路電流基準(zhǔn)的高精度、低溫度系數(shù)的電流源[1]。作為模擬集成...
        • 關(guān)鍵字: nA量級(jí)  CMOS  基準(zhǔn)電流源  

        一種應(yīng)用于D類音頻放大器的CMOS振蕩器的設(shè)計(jì)

        • 文中介紹了一種應(yīng)用于低D類音頻功放的CMOS振蕩器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),用于對(duì)音頻信號(hào)的調(diào)制。振蕩器采用內(nèi)部正反饋的遲滯比較器設(shè)計(jì),大大降低了電源電壓和環(huán)境溫度時(shí)CMOS振蕩器振蕩頻率的影響。理論分析及仿真結(jié)果表明,此CMOS振蕩器具有較高的頻率穩(wěn)定性。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  應(yīng)用于  D類音頻放大器  振蕩器    

        紅海的取勝策略

        • 手機(jī)是典型的紅海市場(chǎng),很多歐美公司因此放棄了此塊業(yè)務(wù),轉(zhuǎn)向工業(yè)、個(gè)人科技等利潤較高的藍(lán)海領(lǐng)域。而手機(jī)卻是我國本土芯片廠商活躍的地帶。
        • 關(guān)鍵字: 格科  CMOS  201304  

        手持式觸摸屏系統(tǒng)的低功耗設(shè)計(jì)

        • 摘要:觸摸屏在移動(dòng)設(shè)備中越來越受歡迎。但觸摸屏消耗的平均電流可能很大,從而會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)電池的電量快速耗盡。本文將主要探討以下內(nèi)容:功耗的基礎(chǔ)知識(shí)、影響功耗的不同因素以及為需要提供強(qiáng)大性能同時(shí)節(jié)省電池使用壽命的器件設(shè)計(jì)低功耗觸摸屏系統(tǒng)。
        • 關(guān)鍵字: 觸摸屏  CMOS  CPU  201304  

        2012年第四季度的緩解并未給半導(dǎo)體制造商帶來安慰

        •   盡管在第四季度出現(xiàn)了高于預(yù)期的增長,2012年對(duì)于半導(dǎo)體市場(chǎng)和供應(yīng)商來說仍然是慘淡的一年,前25家芯片制造商中僅有8家勉強(qiáng)維持收入增長——但是,9家芯片制造商遭受兩位數(shù)下滑。   根據(jù)信息及分析公司IHS(紐約證券交易所:IHS)的IHS iSuppli競(jìng)爭格局分析工具(CLT)的最終結(jié)果,與2011年相比,2012年的全球半導(dǎo)體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發(fā)布的初步預(yù)測(cè)報(bào)告中預(yù)計(jì)下降2.3%。最終結(jié)果的適度改善來自第四季度的同比增長,該增長稍微高于預(yù)期,最高實(shí)現(xiàn)了2
        • 關(guān)鍵字: LED  CMOS  

        用先進(jìn)的負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器改善醫(yī)療成像質(zhì)量

        • 傳統(tǒng)模擬 X 射線成像系統(tǒng)以專門的感光膠片為介質(zhì),將通過的 X 射線轉(zhuǎn)變成可視圖像。為了完成這一任務(wù),該膠片必須經(jīng)過一種化學(xué)顯影過程,這個(gè)過程可能需要幾分鐘,因此推遲了開始對(duì)病人進(jìn)行治療的時(shí)間。此外,顯影過程完成以后,醫(yī)療團(tuán)隊(duì)可能會(huì)發(fā)現(xiàn),由于 X 射線曝光不正確,該圖像需要重新攝取。
        • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  穩(wěn)壓器  CMOS  

        PIC單片機(jī)學(xué)習(xí)方法

        • 為了給前一段時(shí)間學(xué)習(xí)PIC16F616型單片機(jī)的一個(gè)總結(jié)和方便大家的交流,我寫了這篇關(guān)于PIC單片機(jī)的學(xué)習(xí)心得,都 ...
        • 關(guān)鍵字: PIC單片機(jī)  PIC16F616  CMOS  

        一種采用CMOS 0.18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片

        • 采用標(biāo)準(zhǔn)0.18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長1.6 nm的偶極子天線以及一對(duì)一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對(duì)該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進(jìn)行了仿真和測(cè)試,結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz,具有小型化的性能,同時(shí)具備三次諧波抑制的功能。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  EBG  制造  天線    
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        cmos digital image sensor介紹

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