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新興市場智能手機(jī)需求增 2017年NAND供貨仍吃緊
- 隨著全球?qū)τ谑謾C(jī)、電腦、汽車等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)增強(qiáng)，NAND FLASH始終處于供不應(yīng)求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機(jī)市場，當(dāng)?shù)叵M(fèi)者智慧手機(jī)持有率大增，進(jìn)而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預(yù)計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊，特別是在第2、3季最為嚴(yán)重。 群聯(lián)董事長潘建成表示，預(yù)計NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機(jī)、電腦、汽車等終端消費(fèi)性產(chǎn)品需求仍舊強(qiáng)勁。因應(yīng)此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做3D
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非揮發(fā)性存儲器規(guī)模將超越SSD
- NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè)，而非揮發(fā)性存儲器(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異，勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟，即將卷土重來，成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報導(dǎo)指出，F(xiàn)lash SSD速度雖較傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)磁碟裝置快上許多，但兩者的I/O堆疊其實沒有太大的差異，因此Flash SSD在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時，仍有延遲、錯誤等缺點(diǎn)。反觀NVM除了速度更快之外，其存儲器還擁有持久型儲存的功能
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?NAND缺口達(dá)顛峰 推升SSD價漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強(qiáng)勁的智慧型手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達(dá)今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預(yù)估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。 DRAM
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SSD價格2016年來首度大漲，明年第一季價格估將持續(xù)走升
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達(dá)6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預(yù)估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計保駕護(hù)航 以相同的成本，卻能達(dá)到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強(qiáng)力投入，預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預(yù)
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兆易創(chuàng)新擴(kuò)大供應(yīng)商布局 買下憶正武漢SSD廠
- 業(yè)界領(lǐng)先的存儲器和控制器供應(yīng)商兆易創(chuàng)新 (Gigadevice)上市剛滿一月便閃電停牌籌劃重組。業(yè)內(nèi)傳出消息，兆易創(chuàng)新日前買下固態(tài)硬盤(SSD)供應(yīng)商憶正科技位于武漢的廠房，開啟并購之路。而憶正科技出售武漢廠房后，將專心朝特殊型SSD和智能手機(jī)內(nèi)置eMMC技術(shù)做研發(fā)。據(jù)了解，兆易創(chuàng)新為了擴(kuò)大供應(yīng)商布局，目前除了與中芯國際合作外，也在與華力微電子和武漢新芯合作。 當(dāng)前世界中，有三家供應(yīng)商憑借SPI NOR Flash在消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域中取得了成功，兆易位列其一，另外兩家是臺灣的旺宏和華邦，這三家公司合
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